設(shè)置有黑矩陣的基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種設(shè)置有黑矩陣的基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]彩膜基板12是薄膜晶體管-液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)的重要元件之一，其基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括基板1、設(shè)置在基板I上的黑矩陣3和R/G/B色阻塊2。由于黑矩陣3的遮光作用，很大程度上影響了彩膜基板12的開口率，致使其透過率較低。為了使顯示器達(dá)到顯示亮度要求，就需要提高背光的亮度，這會導(dǎo)致功耗增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種設(shè)置有黑矩陣的基板及其制造方法、顯示裝置，能夠有效提高透過率，從而降低顯示器功耗。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種設(shè)置有黑矩陣的基板，所述黑矩陣迎向背光的一面為反射面，射向所述黑矩陣的背光經(jīng)所述反射面反射后能夠重新被利用。
[0006]更優(yōu)地，所述黑矩陣的反射面為凸面。
[0007]可選地，所述凸面的橫截面為弧形。
[0008]可選地，所述凸面的橫截面為梯形，或者倒V字形。
[0009]更優(yōu)地，所述反射面的表面設(shè)置有增加反射的納米結(jié)構(gòu)。
[0010]可選地，所述反射面為金屬材料制成。
[0011]可選地，所述黑矩陣包括:黑矩陣的主體部分，所述反射面設(shè)置在所述黑矩陣的主體部分迎向背光的一面，所述黑矩陣的主體部分由吸光材料或金屬材料制成。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種所述的基板的制造方法，包括:形成黑矩陣的工序，所述形成黑矩陣的工序中形成的黑矩陣迎向背光的一面為反射面，其中，所述反射面的作用是:使射向所述黑矩陣的背光經(jīng)所述反射面反射后能夠重新被利用。
[0013]可選地，所述形成黑矩陣的工序，包括:沉積金屬材料；涂覆光刻膠，進(jìn)行曝光；進(jìn)行刻蝕，形成迎向背光的一面為反射面的黑矩陣。
[0014]其中，所述涂覆光刻膠，進(jìn)行曝光，具體為:涂覆光刻膠，并使用灰度掩膜板進(jìn)行曝光，使顯影后的光刻膠能形成如下圖樣:所述黑矩陣預(yù)設(shè)區(qū)域的光刻膠厚度遞增，呈現(xiàn)凸面結(jié)構(gòu)，所述黑矩陣預(yù)設(shè)區(qū)域之外的光刻膠完全剝離。
[0015]所述進(jìn)行刻蝕，形成迎向背光的一面為反射面的黑矩陣，包括:
[0016]S1、顯影，形成如下光刻膠圖樣:所述黑矩陣預(yù)設(shè)區(qū)域的光刻膠厚度遞增，呈現(xiàn)凸面結(jié)構(gòu)，所述黑矩陣預(yù)設(shè)區(qū)域之外的光刻膠完全剝離。
[0017]S2、進(jìn)行刻蝕，去除未被光刻膠覆蓋區(qū)域的金屬材料。
[0018]S3、進(jìn)行灰化處理，使所述黑矩陣預(yù)設(shè)區(qū)域邊緣部分的金屬材料暴露。
[0019]S4、對暴露出的金屬材料進(jìn)行淺刻蝕。
[0020]重復(fù)步驟S3、S4直到光刻膠被完全去除，形成上表面為凸面的黑矩陣。
[0021]可選地，所述形成黑矩陣的工序，包括:形成黑矩陣的主體部分；
[0022]在所述黑矩陣的主體部分迎向背光的一面上形成反射面。
[0023]可選地，所述形成黑矩陣的主體部分，包括:沉積感光性材料；使用灰度掩膜板進(jìn)行曝光；顯影，形成上表面為凸面的黑矩陣的主體部分。
[0024]可選地，在所述黑矩陣的主體部分迎向背光的一面上形成反射面，具體為:在掩膜板的遮擋下沉積金屬材料，從而在所述黑矩陣的主體部分上形成反射面。
[0025]可選地，在所述黑矩陣的主體部分迎向背光的一面上形成反射面，具體為:沉積金屬材料并進(jìn)行構(gòu)圖工藝，只在所述黑矩陣表面保留所述金屬材料，從而形成反射面。
[0026]更優(yōu)地，在所述黑矩陣的主體部分迎向背光的一面上形成反射面，之后還包括:對所述反射面進(jìn)行微加工處理，在所述反射面上形成增加反光的納米結(jié)構(gòu)。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括有上述任一項(xiàng)的設(shè)置有黑矩陣的基板。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供的設(shè)置有黑矩陣的基板及其制造方法、顯示裝置，將黑矩陣迎向背光的一面設(shè)置為反射面，從而，使射向黑矩陣的背光被反射面反射后能夠重新被利用，取代現(xiàn)有技術(shù)中射向黑矩陣的背光被黑矩陣吸收的做法，可以提高顯示亮度。設(shè)置有上述黑矩陣的顯示裝置，有較高的透過率，進(jìn)而降低功耗。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0030]圖1為現(xiàn)有彩膜基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的設(shè)置有黑矩陣的基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例一提供的橫截面為梯形的反射面的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例一提供的橫截面倒V字形的反射面的截面示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的材料為金屬的黑矩陣的截面示意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制備材料為金屬的黑矩陣的流程圖
[0036]圖6(a) -圖6(f)為圖5中各步驟實(shí)現(xiàn)的效果示意圖；
[0037]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的使用感光性材料制備黑矩陣的主體部分的方法示意圖。
[0038]附圖標(biāo)記
[0039]1-彩膜基板，2-色阻塊，3-黑矩陣，11-陣列基板，12-彩膜基板，
[0040]31-主體部分，32-反射面，33-液晶，34-顯示面板，61-灰度掩膜板，
[0041]62-光刻膠，63-金屬層，71-紫外光，72-感光性材料。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0043]實(shí)施例一
[0044]本實(shí)施例提供一種設(shè)置有黑矩陣3的基板，黑矩陣3迎向背光的一面為反射面32，射向黑矩陣3的背光經(jīng)反射面32反射后能夠重新被利用。
[0045]設(shè)置有黑矩陣3的基板I的結(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括基板1、設(shè)置在基板I上的R/G/B色組塊2、黑矩陣3。其中，黑矩陣3包括主體部分31和設(shè)置在主體部分31上的反射面32。主體部分31和反射面32可以為同種材料制成，也可以為不同材料制成。反射面32為由反射材料比如反光率較高的金屬材料形成，具體可以為銀、鋁等，反射面32反射率高，能將入射到其表面的背光反射至其他方向，使所述背光直接穿過色阻塊2被利用或者經(jīng)過多次反射或折射最終能夠被重新利用。可選地，黑矩陣3可以位于陣列基板11也可以位于彩膜基板12上，本實(shí)施例所述設(shè)置有黑矩陣3的基板可以是陣列基板11也可以是彩膜基板12上，下文中以黑矩陣3位于彩膜基板12上的情況為例，說明設(shè)置有反射面32的黑矩陣3如何提高背光的利用率。
[0046]如圖2所示，顯示面板34包括彩膜基板12、陣列基板11以及分布在兩者之間的液晶33。射向黑矩陣3的背光經(jīng)過液晶33，到達(dá)黑矩陣3的反射面32，在反射面32的表面被重新反射進(jìn)入液晶33中。其中，以光線A為例，這部分背光被反射后向色阻塊2位置傳播，直接穿出色阻塊2射出顯示面板34得到利用，提高了顯示面板34的顯示亮度；另外，以光線B為例，這部分被反射的背光，轉(zhuǎn)而向陣列基板11方向傳播，到達(dá)背光源的反射片(圖中未示出)處會再次被反射，再次朝向彩膜基板12方向傳播進(jìn)入液晶33中，從而該部分背光經(jīng)過多次反射或折射最終被重新利用，仍然會提高顯示面板34的顯示亮度。
[0047]因此，本發(fā)明實(shí)施例中的背光被反射面32反射后，會直接穿過色阻塊2被利用或者經(jīng)過多次反射或折射最終被重新利用，相比現(xiàn)有技術(shù)中背光到達(dá)黑矩陣3后即被黑矩陣3吸收的情況而言，提高了背光的利用率，從而提高了透過率。
[0048]與此同時(shí)，本實(shí)施例中的黑矩陣3能起到遮擋，防漏光防混色的作用。
[0049]優(yōu)選地，當(dāng)黑矩陣3的反射