液晶顯示面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種液晶顯示面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的多疇液晶顯示面板，如圖1所示，包括相對(duì)而置的彩膜基板10和陣列基板20，填充于兩者之間的負(fù)性液晶30，負(fù)性液晶分子具有所需的預(yù)傾角。彩膜基板包括第一玻璃基板11，形成于之上的網(wǎng)格狀黑矩陣，形成于每一個(gè)網(wǎng)格內(nèi)的像素及覆蓋像素和黑矩陣的公共電極12。陣列基板20包括第二玻璃基板21，形成于之上的與像素--相對(duì)設(shè)置的像素電極22 ο相對(duì)像素電極和公共電極之間形成垂直電場(chǎng)，負(fù)性液晶在垂直電場(chǎng)作用下，負(fù)性液晶分子會(huì)發(fā)生扭轉(zhuǎn)；如圖1所示，位于像素電極22之間間隔和像素之間間隔之間的負(fù)性液晶由于受到垂直電場(chǎng)的影響，在像素電極之間間隔和像素之間間隔之間的負(fù)性液晶呈現(xiàn)無(wú)序排列，形成較寬的液晶交錯(cuò)區(qū)域，導(dǎo)致液晶顯示面板的透過率不高。上述缺陷同樣存在于單疇的液晶顯示模式中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板及其制造方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，解決了液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度較大的技術(shù)問題。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0005]一種液晶顯示面板，包括相對(duì)而置的彩膜基板和陣列基板，填充于兩者之間的液晶層；所述液晶層包括在垂直電場(chǎng)作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶；
[0006]所述彩膜基板包括第一襯底基板，多個(gè)像素和公共電極；所述多個(gè)像素呈陣列狀排列在所述第一襯底基板與陣列基板相對(duì)的表面，所述公共電極覆蓋所述像素和像素之間的間隔；
[0007]所述陣列基板包括與像素一一相對(duì)設(shè)置的像素電極和設(shè)置在所述像素電極之間的間隔處的遮蔽電極，所述遮蔽電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值。
[0008]優(yōu)選的，所述遮蔽電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值不超過像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值的20%。
[0009]優(yōu)選的，所述遮蔽電極與公共電極電連接。
[0010]優(yōu)選的，所述遮蔽電極是金屬電極。
[0011]優(yōu)選的，所述液晶層還包括網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的格條形成在第一間隔和第二間隔之間，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)用于固定其內(nèi)的液晶分子；其中，所述第一間隔是像素之間的間隔，所述第二間隔是像素電極之間的間隔。
[0012]優(yōu)選的，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)是固化的高分子光敏材料形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
[0013]本發(fā)明還提供以下技術(shù)方案:
[0014]一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟:
[0015]在第一襯底基板的第一板面形成多個(gè)呈陣列狀排列的像素；
[0016]形成覆蓋所述像素和像素之間間隔的公共電極，形成彩膜基板；
[0017]在第二襯底基板的第一板面形成與所述像素一一對(duì)應(yīng)的像素電極；
[0018]在像素電極之間的間隔處形成遮蔽電極，所述遮蔽電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值，形成陣列基板；
[0019]對(duì)盒所述彩膜基板和陣列基板使像素和與之一一對(duì)應(yīng)的像素電極相對(duì)設(shè)置，在所述彩膜基板和陣列基板之間填充液晶層，所述液晶層包括在垂直電場(chǎng)作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶。
[0020]優(yōu)選的，所述遮蔽電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值的具體包括如下步驟:
[0021]將所述遮蔽電極與公共電極電連接。
[0022]優(yōu)選的，在像素電極之間的間隔處形成遮蔽電極的步驟中，遮蔽電極是金屬濺射形成的。
[0023]優(yōu)選的，所述液晶層還包括高分子光敏材料，所述液晶層是在垂直電場(chǎng)作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶和高分子光敏材料的混合體；
[0024]所述制造方法還包括如下步驟:
[0025]在彩膜基板的外側(cè)設(shè)置第一掩膜版使像素之間的間隔與第一掩膜版的曝光孔正對(duì)；
[0026]在陣列基板的外側(cè)設(shè)置第二掩膜版使像素電極之間的間隔與第二掩膜版的曝光孔正對(duì)；
[0027]采用紫外光對(duì)第一掩膜版和第二掩膜版進(jìn)行曝光，將液晶層中的高分子光敏材料固化，形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
[0028]本發(fā)明提供的液晶顯示面板及其制造方法，液晶顯示面板相對(duì)設(shè)置的陣列基板的像素電極和彩膜基板的公共電極之間形成垂直電場(chǎng)，液晶在垂直電場(chǎng)作用下，液晶分子會(huì)發(fā)生扭轉(zhuǎn)；由于屏蔽電極和公共電極相對(duì)設(shè)置且兩者電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值，這樣，屏蔽電極和公共電極之間形成屏蔽電場(chǎng)，減小了像素電極與公共電極形成的垂直電場(chǎng)對(duì)位于屏蔽電極和公共電極之間的液晶的影響，屏蔽電極和公共電極之間的液晶分子偏離其所需的預(yù)傾角的程度越小，降低屏蔽電極和公共電極之間的液晶的無(wú)序排列，進(jìn)而因無(wú)序排列導(dǎo)致的液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度變小，液晶顯示面板的透過率提尚O
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為現(xiàn)有的多疇液晶顯不面板的液晶形成交錯(cuò)區(qū)域的不意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示面板的示意圖；
[0031]圖3為圖2所不液晶顯不面板的液晶形成交錯(cuò)區(qū)域的不意圖；
[0032]圖4為圖2所示液晶顯示面板的制造方法的流程圖；
[0033]圖5為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的液晶顯不面板的不意圖；
[0034]圖6為圖5所不液晶顯不面板的液晶形成交錯(cuò)區(qū)域的不意圖；
[0035]圖7為圖5所示液晶顯示面板的制造方法中固化高分子光敏材料的示意圖。
[0036]主要元件附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0037]【背景技術(shù)】中:
[0038]10彩膜基板，11第一玻璃基板，12公共電極，
[0039]20陣列基板，21第二玻璃基板，22像素電極，30負(fù)性液晶；
[0040]本發(fā)明中:
[0041]100彩膜基板，110第一襯底基板，120公共電極，
[0042]200陣列基板，210第二襯底基板，220像素電極，230遮蔽電極，
[0043]310負(fù)性液晶，321格條。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0045]實(shí)施例一
[0046]本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示面板，其液晶顯示模式是多疇液晶顯示模式，如圖2和圖3所示，包括相對(duì)而置的彩膜基板100和陣列基板200，填充于兩者之間的液晶層；所述液晶層包括負(fù)性液晶310 ；
[0047]所述彩膜基板100包括第一襯底基板110，多個(gè)像素和公共電極120 ;所述多個(gè)像素呈陣列狀排列在所述第一襯底基板與陣列基板相對(duì)的表面，所述公共電極覆蓋所述像素和像素之間的間隔；
[0048]所述陣列基板200包括第二襯底基板210，所述第二襯底基板與彩膜基板相對(duì)的表面設(shè)置有與像素一一相對(duì)設(shè)置的像素電極220和設(shè)置在所述像素電極之間的間隔處的遮蔽電極230，所述遮蔽電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值。
[0049]本實(shí)施例的液晶顯示面板，相對(duì)設(shè)置的陣列基板的像素電極和彩膜基板的公共電極之間形成垂直電場(chǎng)，負(fù)性液晶在垂直電場(chǎng)作用下，負(fù)性液晶分子會(huì)發(fā)生扭轉(zhuǎn)；由于屏蔽電極和公共電極相對(duì)設(shè)置且兩者電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值，這樣，屏蔽電極和公共電極之間形成屏蔽電場(chǎng)，減小了像素電極與公共電極形成的垂直電場(chǎng)對(duì)位于屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶的影響，屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶分子偏離其所需的預(yù)傾角的程度越小，降低屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶的無(wú)序排列，進(jìn)而因無(wú)序排列導(dǎo)致的液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度變小，液晶顯示面板的透過率提高。
[0050]本實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法，如圖4所示，包括如下步驟:
[0051]在第一襯底基板的第一板面形成多個(gè)呈陣列狀排列的像素；
[0052]形成覆蓋所述像素和像素之間間隔的公共電極，形成彩膜基板；
[0053]在第二襯底基板的第一板面形成與所述像素--對(duì)應(yīng)的像素電極；
[0054]在像素電極之間的間隔處形成遮蔽電極，所述遮蔽電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值小于像素電極與公共電極電勢(shì)差的絕對(duì)值，形成陣列基板；
[0055]對(duì)盒所述彩膜基板和陣列基板使像素和與之一一對(duì)應(yīng)的像素電極相對(duì)設(shè)置，在所述彩膜基板和陣列基板之間填充液晶層，所述液晶層包括負(fù)性液晶。
[0056]通過上述液晶顯示面板的制造方法制造出的液晶顯示面板，屏蔽電極和公