一種coa基板、顯示裝置以及coa基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板制造技術領域，尤其涉及一種COA基板、顯示裝置以及COA基板的制作方法。
【背景技術】
[0002]COA(Color Filter on Array)技術是將彩膜層6直接制備在陣列基板上的技術，由此技術得到的陣列基板稱為COA基板，所述COA基板的基本結構參見圖1所示，在透明基板9上依次形成薄膜晶體管3、彩膜層6和像素電極8，其中，薄膜晶體管3包括:源極31和漏極32，且所述薄膜晶體管3的漏極32上方設置有貫穿彩膜層6的彩膜過孔61，像素電極8通過所述彩膜過孔61與漏極32電連接。因為COA顯示面板不存在彩膜基板與陣列基板的對位問題，所以可以降低顯示面板制備過程中對盒制程的難度，避免了對盒時的誤差，因此黑色矩陣可以設計為窄線寬，提高了像素的開口率。
[0003]但是，隨著液晶顯示器的分辨率不斷提高，顯示面板要求的像素單元尺寸越來越小，現(xiàn)有技術中彩膜過孔61設置于所述漏極32上方，通常彩膜過孔61的尺寸較大，使得所述漏極相應較大，進而影響像素的開口率，而同時漏極較大時容易對彩膜過孔61 —側的光進行反射而導致液晶顯示器漏光，進而影響液晶顯示器的顯示效果。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于，提供一種COA基板、顯示裝置以及COA基板的制作方法，能夠為減小漏極尺寸提供條件，進而提高像素的開口率，同時能夠有效降低漏極反射造成的漏光。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0006]一方面，本發(fā)明實施例提供一種COA基板，包括:交叉設置的柵線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管，還包括:
[0007]設置在包括所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和漏極的第一導電層圖形之上的鈍化層圖形；所述鈍化層圖形具有對應漏極位置的第一過孔；
[0008]設置在所述鈍化層圖形之上的第二導電層圖形，所述第二導電層圖形包括位于遮光區(qū)域內，且通過所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接的導接圖形；所述遮光區(qū)域為所述柵線、所述數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管所限定的區(qū)域；
[0009]設置在所述第二導電層圖形之上的彩膜層圖形，所述彩膜層圖形具有對應所述導接圖形的第二過孔。
[0010]可選的，所述基板還包括:
[0011]設置在所述鈍化層圖形之上、且所述第二導電層圖形之下的黑矩陣；所述黑矩陣位于除所述第一過孔所在位置的所述遮光區(qū)域內。
[0012]優(yōu)選的，所述基板還包括:設置在所述彩膜層圖形之上的像素電極層圖形；所述像素電極層圖形包括多個像素電極，且所述像素電極通過所述第二過孔與所述導接圖形連接。
[0013]進一步優(yōu)選的，所述第二導電層圖形的材料為ITO。
[0014]另一方面，本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包含如上述所述的COA基板。
[0015]再一方面，本發(fā)明實施例提供一種COA基板的制作方法，包括:形成柵線、以及包括所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和漏極的第一導電層圖形的步驟，還包括:
[0016]在所述第一導電層圖形上形成鈍化層圖形，所述鈍化層圖形具有對應漏極位置的第一過孔；
[0017]在所述鈍化層圖形上形成第二導電層圖形；所述第二導電層圖形包括位于遮光區(qū)域內，且通過所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接的導接圖形；所述遮光區(qū)域為所述柵線、所述數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管所限定的區(qū)域；
[0018]在所述第二導電層圖形上形成彩膜層圖形，且所述彩膜層圖形具有對應所述導接圖形的第二過孔。
[0019]可選的，在所述第一導電層圖形上形成鈍化層圖形之后，在所述鈍化層圖形上形成第二導電層圖形之前，還包括:
[0020]在位于除所述第一過孔所在位置的所述遮光區(qū)域內，形成黑矩陣。
[0021]優(yōu)選的，在形成所述第二導電層圖形之后，所述方法還包括:
[0022]在所述彩膜層圖形之上形成像素電極層圖形，所述像素電極層圖形包括多個像素電極，且所述像素電極通過所述第二過孔與所述導接圖形連接。
[0023]本發(fā)明實施例提供一種COA基板、顯示裝置以及COA基板的制作方法，其中，彩膜層圖形具有對應所述導接圖形的第二過孔，由于所述第二過孔為彩膜過孔，彩膜過孔的尺寸較大，通過將所述彩膜過孔形成于所述導接圖形上方，這樣使得彩膜過孔的尺寸只會影響到導接圖形的尺寸，而與漏極尺寸無關，因此可以為減小漏極的尺寸提供條件；并且，由于導接圖形位于所述柵線、所述數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管所限定的區(qū)域，具有較大的空間可以容納所述第二過孔，此時無需像現(xiàn)有技術一樣增大漏極尺寸，從而相對于現(xiàn)有技術而言減小了遮光區(qū)域，提高像素的開口率。同時，由于無需增大漏極尺寸，因此能夠在一定程度上降低漏極反射所造成的漏光，從而提升產(chǎn)品的顯示品質。解決了現(xiàn)有技術中彩膜過孔形成于所述漏極上方，使得漏極尺寸相應較大，造成產(chǎn)品的開口率降低以及漏極反射容易引起漏光的問題。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術提供的一種COA基板剖面結構示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種COA基板的俯視結構示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種COA基板從圖2BB'方向的剖面結構示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實施例提供的在圖3的基礎上設置有黑矩陣的一種COA基板剖面結構示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實施例提供的在圖4的基礎上設置有像素電極層圖形的一種COA基板剖面結構示意圖；
[0030]圖6為本發(fā)明實施例提供的在透明基板上形成柵線以及柵極的俯視圖；
[0031]圖7為本發(fā)明實施例提供的在圖6的基礎上形成有源層的俯視圖；
[0032]圖8為本發(fā)明實施例提供的在圖7的基礎上形成數(shù)據(jù)線、以及薄膜晶體管的源極與漏極的俯視圖；
[0033]圖9為本發(fā)明實施例提供的在圖8的基礎上形成具有對應漏極位置第一過孔的鈍化層圖形的俯視圖；
[0034]圖10為本發(fā)明實施例提供的在圖9的基礎上形成在遮光區(qū)域內與所述漏極電連接的導接圖形的俯視圖。
【具體實施方式】
[0035]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0036]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0037]實施例一
[0038]本發(fā)明實施例提供一種COA基板，參見圖2與圖3，該COA基板包括:交叉設置的柵線I和數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管3，設置在包括所述數(shù)據(jù)線2、所述薄膜晶體管3的源極31和漏極32的第一導電層圖形之上的鈍化層圖形4 ;所述鈍化層圖形4具有對應漏極32位置的第一過孔41 ;此處的“對應”是指，從垂直于透明基板9的方向來看，漏極32和第一過孔41具有交疊的區(qū)域，通常第一過孔41在漏極32所在區(qū)域以內，以保證漏極32可通過第一過孔41與其他圖形連接。在本實施例中，漏極32需要與導接圖形51連接，關于導接圖形51在下面會詳細介紹。
[0039]其中，在本發(fā)明所有實施例中，將由第一導電層薄膜經(jīng)構圖得到的圖形統(tǒng)稱為第一導電層圖形。其中構圖工藝一般包括掩膜、曝光、顯影等工藝，當然還可以進一步包括刻蝕、剝離等。需要說明的是，第一導電層圖形僅包括數(shù)據(jù)線2和源極31和漏極32這些圖形夕卜，還可以根據(jù)需要進一步包括其他圖形，如數(shù)據(jù)線引線等。
[0040]所述COA基板還包括:參見圖2與