優(yōu)選為吡咯并吡咯色素、銅絡(luò)合物。
[0054] 若最大吸收波長(zhǎng)小于600nm或最大吸收波長(zhǎng)超過850nm，則對(duì)波長(zhǎng)700nm附近的近 紅外線的遮蔽性低，無法獲得令人滿意的結(jié)果。
[0055] 本發(fā)明中使用的色素的最大吸收優(yōu)選為在波長(zhǎng)600nm~800nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選 為在640nm~770nm的范圍內(nèi)，尤其優(yōu)選為在660nm~720nm的范圍內(nèi)。
[0056] 吡咯并吡咯色素更優(yōu)選為下述通式（A1)所表示的化合物。
[0057] 通式（A1)
[0058] [化 1]
[0059]
[0060](上述通式（A1)中，Rla&Rlb分別獨(dú)立地表示烷基、芳基或雜芳基。R 2及R3分別 獨(dú)立地表示氫原子或取代基，至少一個(gè)為拉電子性基，R2及R3也可相互鍵結(jié)而形成環(huán)。R 4 表示氫原子、烷基、芳基、雜芳基、可經(jīng)取代的硼或金屬原子，也可與Rla、Rlb&R 3的至少一種 形成共價(jià)鍵或配位鍵）
[0061] 上述通式（A1)中，Rla、Rlb所表示的烷基優(yōu)選為碳數(shù)1~30、更優(yōu)選為碳數(shù)1~20、 尤其優(yōu)選為碳數(shù)1~10的烷基。
[0062] Rla、Rlb所表示的芳基優(yōu)選為碳數(shù)6~30、更優(yōu)選為碳數(shù)6~20、尤其優(yōu)選為碳數(shù) 6~12的芳基。
[0063] Rla、Rlb所表示的雜芳基優(yōu)選為碳數(shù)1~30、更優(yōu)選為碳數(shù)1~12的雜芳基。雜 原子例如可列舉氮原子、氧原子及硫原子。
[0064] Rla、Rlb所表示的基團(tuán)尤其優(yōu)選為具有含有分支烷基的烷氧基的芳基。分支烷基中 的烷基優(yōu)選為碳數(shù)3~30,更優(yōu)選為3~20。
[0065] Rla、1?113所表示的基團(tuán)例如尤其優(yōu)選為4-(2-乙基己氧基）苯基、4-(2-甲基丁氧 基）苯基、4-(2_辛基十二烷氧基）苯基。
[0066] 通式（A1)中的1^、1?113可彼此相同也可不同。
[0067] R2及R 3分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基T，至少一個(gè)為拉電子性基，R2及R 3也可 鍵結(jié)而形成環(huán)。尤其優(yōu)選為R2及R3分別獨(dú)立地表示氰基或雜環(huán)基。
[0068]取代基T例如可列舉以下基團(tuán)。
[0069] 烷基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、烯基（優(yōu)選為碳數(shù)2~30)、炔基（優(yōu)選為碳數(shù)2~ 30)、芳基（優(yōu)選為碳數(shù)6~30)、氨基（優(yōu)選為碳數(shù)0~30)、烷氧基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、 芳氧基（優(yōu)選為碳數(shù)6~30)、芳香族雜環(huán)氧基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、酰基（優(yōu)選為碳數(shù) 1~30)、烷氧基羰基（優(yōu)選為碳數(shù)2~30)、芳氧基羰基（優(yōu)選為碳數(shù)7~30)、酰氧基（優(yōu) 選為碳數(shù)2~30)、酰胺基（優(yōu)選為碳數(shù)2~30)、烷氧基羰基氨基（優(yōu)選為碳數(shù)2~30)、 芳氧基羰基氨基（優(yōu)選為碳數(shù)7~30)、磺酰胺基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、氨磺?；▋?yōu)選為 碳數(shù)〇~30)、氨甲?；▋?yōu)選為碳數(shù)1~30)、烷硫基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、芳硫基（優(yōu) 選為碳數(shù)6~30)、芳香族雜環(huán)硫基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、磺?；▋?yōu)選為碳數(shù)1~30)、 亞磺?；▋?yōu)選為碳數(shù)1~30)、脲基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30)、磷酸酰胺基（優(yōu)選為碳數(shù)1~ 30)、羥基、疏基、鹵素原子、氰基、磺基、羧基、硝基、氧H虧酸基（hydroxamic acid group)、亞 磺酸基（sulfino group)、肼基（hydrazino group)、亞氨基、雜環(huán)基（優(yōu)選為碳數(shù)1~30) [0070] R2及R 3中至少一個(gè)為拉電子性基。哈米特（Hammett)的〇 p值（對(duì)位取代基常數(shù) (sigma para value))為正的取代基通常作為拉電子性基發(fā)揮作用。拉電子性基優(yōu)選可列 舉氰基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺?；?、亞磺?；?、雜環(huán)基等，更優(yōu)選為氰基。這 些拉電子性基也可進(jìn)一步經(jīng)取代。
[0071] 在本發(fā)明中，可例示哈米特的取代基常數(shù)〇p值為0.2以上的取代基作為拉電子 性基。〇P值優(yōu)選為0. 25以上，更優(yōu)選為0. 3以上，尤其優(yōu)選為0. 35以上。上限并無特別 限制，優(yōu)選為0. 80。
[0072] 具體例可列舉：氰基（0. 66)、羧基（_C00H:0. 45)、烷氧基羰基（_C00Me:0. 45)、 芳氧基羰基（-COOPh :0. 44)、氨甲?；╛C0NH2:0. 36)、烷基羰基（-COMe :0. 50)、芳基羰基 (-COPh :0. 43)、烷基磺酰基（_S02Me :0. 72)或芳基磺?；╛S02Ph :0. 68)等。尤其優(yōu)選為 氛基。此處，Me表不甲基，Ph表不苯基。
[0073] 哈米特的取代基常數(shù)〇值例如可參考日本專利特開2011-68731號(hào)公報(bào)的段落 0017~段落0018,將其內(nèi)容并入至本申請(qǐng)說明書中。
[0074] 進(jìn)而，在R2及R 3相互鍵結(jié)而形成環(huán)的情形時(shí)，優(yōu)選為形成5元環(huán)~7元環(huán)（優(yōu)選 為5元環(huán)或6元環(huán)）。所形成的環(huán)通常優(yōu)選為在部花青（merocyanine)色素中被用作酸性 核，其具體例例如可參考日本專利特開2011-68731號(hào)公報(bào)的段落0019~段落0021，將其內(nèi) 容并入至本申請(qǐng)說明書中。
[0075] R3尤其優(yōu)選為雜環(huán)。尤其優(yōu)選為R3為喹啉、苯并噻唑或萘并噻唑。
[0076] 上述通式（A1)中的兩個(gè)R2可彼此相同也可不同，另外，兩個(gè)R3可彼此相同也可不 同。
[0077] 在R4所表示的基團(tuán)為烷基、芳基或雜芳基時(shí)，該基團(tuán)與Rla、Rlb中說明的基團(tuán)為相 同含意，優(yōu)選基團(tuán)也相同。
[0078] 在R4所表示的基團(tuán)為可經(jīng)取代的硼時(shí)，其取代基與上文中關(guān)于R2及R3所述的取 代基T為相同含意，優(yōu)選為烷基、芳基、雜芳基。
[0079] 另外，在R4所表示的基團(tuán)為金屬原子時(shí)，優(yōu)選為過渡金屬，尤其優(yōu)選為可經(jīng)取代的 硼?？山?jīng)取代的硼優(yōu)選可列舉二氟硼、二苯基硼、二丁基硼、二萘基硼、鄰苯二酚硼。其中尤 其優(yōu)選為二苯基硼。
[0080] R4也可與Rla、1?113及R3的至少一種形成共價(jià)鍵或配位鍵，尤其優(yōu)選為R4與R3形成 配位鍵。
[0081] 尤其優(yōu)選為R4為氫原子或可經(jīng)取代的硼（尤其是二苯基硼）。
[0082] 上述通式（A1)中的兩個(gè)R4可彼此相同也可不同。
[0083] 關(guān)于上述通式（A1)所表示的化合物，例如可參考日本專利特開2011-68731號(hào) 公報(bào)的段落0024~段落0052 (對(duì)應(yīng)的美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2011/0070407號(hào)說明書的 [0043]~[0074])，將其內(nèi)容并入至本申請(qǐng)說明書中。
[0084] 吡咯并吡咯色素更優(yōu)選為下述通式（A2)所表示的化合物，進(jìn)而優(yōu)選為下述通式 (A3)所表示的化合物。
[0085]通式（A2)
[0086][化 2]
[0087]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種硬化性樹脂組合物，含有能以成為20ym以上的膜厚的方式涂布且在波長(zhǎng) 600nm~850nm的范圍內(nèi)具有最大吸收波長(zhǎng)的色素。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬化性樹脂組合物，其中所述色素為選自由吡咯并吡咯色 素、銅絡(luò)合物、花青系染料、酞菁系染料、夸特銳烯系色素、銨系染料、亞胺系色素、偶氮系色 素、蒽醌系色素、二亞銨系色素、方酸內(nèi)鑰系色素及卟啉系色素所組成的組群中的至少一 種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬化性樹脂組合物，其中所述色素為吡咯并吡咯色素或銅絡(luò) 合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的硬化性樹脂組合物，其中固體成分濃度為10質(zhì) 量％~90質(zhì)量％，且25°C下的粘度為ImPa?s以上、1000 Pa?s以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的硬化性樹脂組合物，還含有聚合性化合物及溶 劑，且組合物總固體成分中的色素的含量為30質(zhì)量％以上。
6. -種硬化性樹脂組合物，含有在波長(zhǎng)600nm~850nm的范圍內(nèi)具有最大吸收波長(zhǎng)的 色素，固體成分濃度為10質(zhì)量％~90質(zhì)量％，且25°C下的粘度為ImPa*s以上、1000 Pa*s 以下。
7. -種紅外線截止濾波器，具有由根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的硬化性樹脂組 合物所形成的膜厚為20ym以上的含色素的層。
8. -種紅外線截止濾波器，具有含有銅絡(luò)合物的第1含色素的層、及含有吡咯并吡咯 色素的第2含色素的層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅外線截止濾波器，其中所述第1含色素的層的膜厚為 50ym以上，所述第2含色素的層的膜厚為5ym以下。
10. -種圖像傳感器芯片的制造方法，包括： 將根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的硬化性樹脂組合物涂布于玻璃基板上，形成含 色素的層的步驟；以及 將形成有所述含色素的層的玻璃基板粘接于固體攝像元件基板上的步驟。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器芯片的制造方法，其中所述硬化性樹脂組合 物的涂布為涂敷器涂布，且在所述硬化性樹脂組合物的固體成分濃度為40質(zhì)量％~70質(zhì) 量％及粘度為300mPa?s~700mPa?s的條件下進(jìn)行所述涂敷器涂布。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的圖像傳感器芯片的制造方法，其中所述玻璃基板還具 有紅外線反射膜，（1)將所述玻璃基板的形成有紅外線反射膜的一面粘接于固體攝像元件 基板上，或（2)將玻璃基板的未形成紅外線反射膜的一面粘接于固體攝像元件基板上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的圖像傳感器芯片的制造方法，其中所述玻璃 基板還具有抗反射膜。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器芯片的制造方法，其中在所述玻璃基板的一個(gè) 面上存在紅外線反射膜，在另一面上存在抗反射膜。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的圖像傳感器芯片的制造方法，其中所述紅外 線反射膜為介電質(zhì)多層膜。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的圖像傳感器芯片的制造方法，其中所述固體 攝像元件基板具有彩色濾光片層、高折射率層及低折射率層。
17. -種圖像傳感器芯片，具備固體攝像元件基板、包含根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng) 所述的硬化性樹脂組合物的含色素的層、及具有紅外線反射膜的玻璃基板，且所述構(gòu)件之 間不隔著空氣層而密接。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的圖像傳感器芯片，其中在所述玻璃基板的與包含所述硬化 性樹脂組合物的含色素的層為相反側(cè)的一面上具有所述紅外線反射膜。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的圖像傳感器芯片，其中在所述紅外線反射膜與所述玻璃基 板之間具有所述含色素的層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17至19中任一項(xiàng)所述的圖像傳感器芯片，其中在具備所述固體攝像 元件基板、所述含色素的層、及具有所述紅外線反射膜的所述玻璃基板的圖像傳感器芯片 的最表面上還具有抗反射膜。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可制作彩色深淺得到抑制的圖像傳感器芯片的硬化性樹脂組合物、使用其的圖像傳感器芯片的制造方法及圖像傳感器芯片。本發(fā)明的硬化性樹脂組合物含有能以成為20μm以上的膜厚的方式涂布且在波長(zhǎng)600nm～850nm的范圍內(nèi)具有最大吸收波長(zhǎng)的色素。
【IPC分類】H01L27-14, H04N5-335, C08L101-00, C09D201-00, G02B5-22, H04N5-225, C09D7-12
【公開號(hào)】CN104823083
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380062266
【發(fā)明人】江副利秀, 奈良裕樹, 嶋田和人
【申請(qǐng)人】富士膠片株式會(huì)社
【公開日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2013年11月27日
【公告號(hào)】EP2927717A1, US20150259547, WO2014084289A1