像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvancedSuper Dimens1n Switch，AD-SDS，簡稱 ADS)模式液晶顯示器具備廣視角、高穿透率、低色差等優(yōu)點，逐漸得到廣泛的應(yīng)用。具體地，ADS技術(shù)主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。
[0003]ADS模式液晶顯示器的陣列基板的亞像素單元包含兩層透明電極，即第一透明電極和位于其正對上方的第二透明電極，第一透明電極和第二透明電極兩者之一作為像素電極與薄膜晶體管的漏極連接，另一作為公共電極與公共電極線連接；像素電極一般為具有一定寬度和間距的條狀像素電極(又稱為狹縫電極)，像素電極與公共電極上下疊層設(shè)置，并且像素電極和公共電極通過絕緣層隔開。
[0004]早期的ADS模式液晶顯示器的陣列基板設(shè)計時，條狀像素電極只具有一種傾斜角度，如圖1所示，陣列基板包括:柵線1、數(shù)據(jù)線2、條狀像素電極3、條狀像素電極3之間的開口 4、源極5和漏極6。這樣的液晶顯示器工作時，液晶在電場驅(qū)動下，每一個子像素內(nèi)的液晶7只有一種偏轉(zhuǎn)角度，如圖2所示。在不同的觀察視角下，由于液晶的各向異性，液晶顯示器具有亮度差異，存在一定的色差。
[0005]現(xiàn)有提出一種改善液晶顯示器的色差現(xiàn)象的技術(shù)方案，該技術(shù)方案中，子像素包括一雙疇顯示區(qū)域(子像素的顯示區(qū)域為除薄膜晶體管外的像素電極覆蓋的區(qū)域)，即條狀像素電極3具有兩種傾斜角度，如圖3所示。這樣的液晶顯示器工作時，液晶在電場驅(qū)動下，每一個子像素內(nèi)的液晶7具有兩種偏轉(zhuǎn)角度，如圖4所示。在不同的觀察視角下，由于液晶7偏轉(zhuǎn)的平均化效果，液晶顯示器亮度差異減小，色差有一定的改善，但該技術(shù)方案僅能對色差有一定程度的改善，液晶顯示器的色差現(xiàn)象仍有進一步改善的空間，比如一個子像素的條狀像素電極具有四種傾斜角度，這樣在液晶顯示器工作時，液晶在電場驅(qū)動下，每一個子像素內(nèi)的液晶7具有四種偏轉(zhuǎn)角度，可以極大改善液晶顯示器的色差現(xiàn)象，但是由于工藝的限制，在一個子像素內(nèi)形成四種傾斜角度的條狀像素電極將會極大影響液晶顯示器的透過率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，能夠在保證液晶顯示裝置的透過率的前提下，改善液晶顯示裝置的色差現(xiàn)象。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下:
[0008]一方面，提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括多個由同一條柵線且同一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動的亞像素單元，每個所述亞像素單元由兩個以上的子像素組成，每個所述亞像素單元劃分為N個顯示區(qū)域，在通電狀態(tài)下，每個顯示區(qū)域產(chǎn)生的電場不同使得所述亞像素單元實現(xiàn)N疇顯不O
[0009]進一步地，每個所述亞像素單元劃分為四個顯示區(qū)域。
[0010]進一步地，每個所述亞像素單元包括有由同一條柵線且同一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動的兩個子像素，每個子像素劃分為兩個顯示區(qū)域。
[0011]進一步地，每個所述亞像素單元由在所述柵線的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素組成，所述亞像素單元包括驅(qū)動第一子像素進行顯示的第一薄膜晶體管和驅(qū)動第二子像素進行顯示的第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極連接，在所述數(shù)據(jù)線的平行方向上，所述第一子像素中劃分為面積相等的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二子像素劃分為面積相等的第三區(qū)域和第四區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域的條狀像素電極對稱設(shè)置，第三區(qū)域和第四區(qū)域的條狀像素電極對稱設(shè)置；
[0012]其中，
[0013]第一區(qū)域和第三區(qū)域的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一區(qū)域與第三區(qū)域的面積不同；或
[0014]第一區(qū)域和第三區(qū)域的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比不同，第一區(qū)域與第三區(qū)域的面積相同；或
[0015]第一區(qū)域和第三區(qū)域的條狀像素電極的傾斜角度不同，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一區(qū)域與第三區(qū)域的面積相同。
[0016]進一步地，每個所述亞像素單元由在所述數(shù)據(jù)線的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素組成，所述亞像素單元包括驅(qū)動第一子像素進行顯示的第一薄膜晶體管和驅(qū)動第二子像素進行顯示的第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極連接，在所述柵線的平行方向上，所述第一子像素中劃分為面積相等的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二子像素劃分為面積相等的第三區(qū)域和第四區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域的條狀像素電極對稱設(shè)置，第三區(qū)域和第四區(qū)域的條狀像素電極對稱設(shè)置；
[0017]其中，
[0018]第一區(qū)域和第三區(qū)域的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一區(qū)域與第三區(qū)域的面積不同；或
[0019]第一區(qū)域和第三區(qū)域的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比不同，第一區(qū)域與第三區(qū)域的面積相同；或
[0020]第一區(qū)域和第三區(qū)域的條狀像素電極的傾斜角度不同，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一區(qū)域與第三區(qū)域的面積相同。
[0021]進一步地，每個所述亞像素單元包括有由同一條柵線且同一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動的四個子像素，每個子像素為一個顯示區(qū)域。
[0022]進一步地，每個所述亞像素單元包括在面積相等的第一子像素、第二子像素，以及面積相等的第三子像素和第四子像素，所述亞像素單元還包括驅(qū)動第一子像素進行顯示的第一薄膜晶體管、驅(qū)動第二子像素進行顯示的第二薄膜晶體管、驅(qū)動第三子像素進行顯示的第三薄膜晶體管、驅(qū)動第四子像素進行顯示的第四薄膜晶體管，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管的柵極連接，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管的源極連接，在所述柵線的平行方向上，第一子像素和第二子像素的條狀像素電極對稱設(shè)置，第三子像素和第四子像素的條狀像素電極對稱設(shè)置，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第三薄膜晶體管與第四薄膜晶體管的溝道寬長比相同；
[0023]其中，
[0024]第一子像素和第三子像素的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一子像素與第三子像素的面積不同；或
[0025]第一子像素和第三子像素的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的溝道寬長比不同，第一子像素與第三子像素的面積相同；或
[0026]第一子像素和第三子像素的條狀像素電極的傾斜角度不同，第一薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一子像素與第三子像素的面積相同。
[0027]進一步地，每個所述亞像素單元包括在面積相等的第一子像素、第二子像素，以及面積相等的第三子像素和第四子像素，所述亞像素單元還包括驅(qū)動第一子像素進行顯示的第一薄膜晶體管、驅(qū)動第二子像素進行顯示的第二薄膜晶體管、驅(qū)動第三子像素進行顯示的第三薄膜晶體管、驅(qū)動第四子像素進行顯示的第四薄膜晶體管，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管的柵極連接，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管的源極連接，在所述數(shù)據(jù)線的平行方向上，第一子像素和第二子像素的條狀像素電極對稱設(shè)置，第三子像素和第四子像素的條狀像素電極對稱設(shè)置，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第三薄膜晶體管與第四薄膜晶體管的溝道寬長比相同；
[0028]其中，
[0029]第一子像素和第三子像素的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一子像素與第三子像素的面積不同；或
[0030]第一子像素和第三子像素的條狀像素電極的傾斜角度相同，第一薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的溝道寬長比不同，第一子像素與第三子像素的面積相同；或
[0031]第一子像素和第三子像素的條狀像素電極的傾斜角度不同，第一薄膜晶體管與第三薄膜晶體管的溝道寬長比相同，第一