x X Xd=Ix XbxX xd=X,同時(shí) ky X ay X yd=ly XbyX yd=Y ；
[0036](2) xsc < Xsc max> ysc < ysc max> xst < xst—眶、yst < yst—眶；
[0037](3) X+0.5xsc < R-d、Y+0.5ysc < R-d ；
[0038](4) kx、ax、lx、bx、ky、ay、ly、by 均為整數(shù)。
[0039]條件式(I)表示在距離X內(nèi)、橫向上有kxXaxf (或者IxXbxA)芯片圖形，或者換一個(gè)說法，有kxfshot202 (lxfShotl02)，縱向上以此類推。這個(gè)條件可以保證掃描式光刻機(jī)和步進(jìn)式光刻機(jī)所采用的曝光場內(nèi)具有整數(shù)個(gè)芯片圖形，并且在兩個(gè)光刻圖形層上、距離X內(nèi)的芯片圖形的數(shù)量一致。
[0040]條件式(2)是要求所選擇的曝光場的尺寸小于各自光刻機(jī)所能提供的曝光場的最大尺寸，這是一個(gè)很自然的條件。
[0041]條件式(3)表示要將芯片圖形控制在去邊后的范圍內(nèi)，也即橫向上的距離X加上半個(gè)shot的尺寸不能超過去邊后的范圍。
[0042]條件式(4)，無論是一個(gè)shot內(nèi)的芯片圖形的個(gè)數(shù)還是距離X (或Y)內(nèi)的shot數(shù)量，都為整數(shù)才有實(shí)際意義。
[0043]以下說明如何計(jì)算ax、bx、ay、by的值，如圖3所示。
[0044]步驟S301:計(jì)算 Xs。_/xd、Xst _/xd、ys?！猒/yd、yst—max/yd 的整數(shù)值，并分別作為 ax、bx、ay、by的初始值。例如,對于axXxd < xs。_來說,在芯片尺寸和最大曝光場尺寸已經(jīng)固定的情況下，ax的取值范圍是比較有限的，從能夠取值的最大值，也即Xs。—max/xd的整數(shù)值開始逐一計(jì)算。
[0045]步驟S302:判斷是否有符合條件(I)和(4)的kx和lx，ky和Iy ;若有，則執(zhí)行步驟S303，否則執(zhí)行步驟S304。以橫軸為例，獲得滿足kxXax=lxXbx的取值。
[0046]步驟S303，繼續(xù)判斷是否滿足條件(3)。若是，執(zhí)行步驟S307，否則執(zhí)行步驟S304。以橫軸為例，條件(3)即kxXaxXxd+0.5axXxd < R_d，可以確定kx、ax是否滿足條件?？v軸方向以此類推。
[0047]步驟S304:減小bx、by的值。
[0048]步驟S305:bx、by的可取值范圍內(nèi)的取值是否窮盡，若是，則執(zhí)行步驟S306，否則執(zhí)行步驟S302。
[0049]步驟S306:減小ax、ay的值，并執(zhí)行步驟S302。
[0050]步驟S307:獲得 ax、bx、ay、by 的值。
[0051]上述過程中，最差的情況是掃描式光刻機(jī)采用和步進(jìn)式光刻機(jī)一樣尺寸的曝光場，因此總能得到ax、bx、ay、by的值。
[0052]若axXxd < Xst max或ayXyd < yst _，也即所選擇的掃描式光刻機(jī)的曝光場的尺寸已經(jīng)小于步進(jìn)式光刻機(jī)的所能提供的最大曝光場尺寸，此時(shí)使掃描式光刻機(jī)和步進(jìn)式光刻機(jī)使用相同尺寸的曝光場即可。
[0053]上述方法利用各種約束條件得出能夠最大限度利用兩種光刻機(jī)的曝光場尺寸，從而最大程度利用光刻機(jī)產(chǎn)能。
[0054]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光刻工藝中的曝光場的尺寸選擇方法，用于在同時(shí)利用掃描式光刻機(jī)和步進(jìn)式光刻機(jī)的光刻過程中，選擇掃描式光刻機(jī)的曝光場尺寸xs。X ys。和步進(jìn)式光刻機(jī)的曝光場尺寸XstXyst，所述掃描式光刻機(jī)用于形成第一光刻圖形，所述步進(jìn)式光刻機(jī)用于形成第二光刻圖形，所述選擇方法使得位于第一光刻圖形層上的、且與中心距離最遠(yuǎn)的4個(gè)shot分別與位于第二光刻圖形層上的、且與中心距離最遠(yuǎn)的4個(gè)shot中心重合，包括如下步驟: 獲取待生產(chǎn)的芯片尺寸XdXyd ； 獲取待光刻的晶圓的半徑R ； 定義橫軸方向上的兩個(gè)shot的中心距離晶圓中心的距離為X、縱軸方向上的兩個(gè)shot的中心距離晶圓中心的距離為Y、晶圓的去邊長度d ;掃描式光刻機(jī)的最大曝光場尺寸為 Xs?！猰axXys?！猒，步進(jìn)式光刻機(jī)的最大曝光場尺寸為 XstjiaxXystjiax ;xsc=axXxd、ysc=ayXyd、Xst=bxXXd、yst=byXyd ； 根據(jù)以下約束條件計(jì)算ax、bx、ay、by的值:(1)kx X ax X Xd=Ix XbxX xd=X,同時(shí) ky X ay X yd=ly XbyX yd=Y ； (2)Xsc〈 Xsc—max、^sc〈 Ysc—max、^st〈 Xst—max、Yst〈 ^st max ;(3)X+0.5xsc〈 R_d、Y+0.5ysc〈 R-d ；(4)kx、ax、lx、bx、ky、ay、ly、by 均為整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝中的曝光場的尺寸選擇方法，其特征在于，所述晶圓為8英寸，所述去邊長度d為2?4毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝中的曝光場的尺寸選擇方法，其特征在于，所述計(jì)算ax、bx、ay、by的值的步驟為:計(jì)算 XS?！猰aX/Xd、XSt_max/Xd> Ys?！猲^/Vd、IsXjiJlA 的整數(shù)值，并分別作為 &χ、bx、By、by 的初始值； 判斷是否有符合條件(I)和(4)的匕和lx，ky和Iy ;若有，則繼續(xù)判斷是否滿足條件(3)，若是，則獲得&!￡、1^4、\的值，否則減小bx、by的值繼續(xù)判斷； 若沒有符合條件(I)和(4)的匕和lx，ky和Iy，則減小bx、by的值繼續(xù)判斷，若在bx、by的可取值范圍內(nèi)仍然沒有符合條件(I)和(4)的匕和lx，ky和Iy，則減小ax、ay的值，并由bx、by的初始值開始逐漸減小進(jìn)行判斷，直到獲得ax、bx、ay、by的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻工藝中的曝光場的尺寸選擇方法，其特征在于，若axXxd< xst—max或ayXyd < yst—max,則使掃描式光刻機(jī)和步進(jìn)式光刻機(jī)使用相同尺寸的曝光場。
【專利摘要】一種光刻工藝中的曝光場的尺寸選擇方法，用于選擇掃描式光刻機(jī)和步進(jìn)式光刻機(jī)的曝光場尺寸，包括：獲取待生產(chǎn)的芯片尺寸xd×yd；獲取待光刻的晶圓的半徑R；定義橫軸方向上的兩個(gè)shot的中心距離晶圓中心的距離為X、縱軸方向上的兩個(gè)shot的中心距離晶圓中心的距離為Y、晶圓的去邊長度d；掃描式光刻機(jī)的最大曝光場尺寸為xsc_max×ysc_max，步進(jìn)式光刻機(jī)的最大曝光場尺寸為xst_max×yst_max；xsc=ax×xd、ysc=ay×yd、xst=bx×xd、yst=by×yd；根據(jù)以下約束條件計(jì)算ax、bx、ay、by的值：（1）kx×ax×xd=lx×bx×xd=X，同時(shí)ky×ay×yd=ly×by×yd=Y；（2）xsc＜xsc_max、ysc＜ysc_max、xst＜xst_max、yst＜yst_max；（3）X+0.5xsc＜R-d、Y+0.5ysc＜R-d；（4）kx、ax、lx、bx、ky、ay、ly、by均為整數(shù)。
【IPC分類】H01L21-027, G03F9-00, G03F7-20
【公開號(hào)】CN104865798
【申請?zhí)枴緾N201410061115
【發(fā)明人】欒會(huì)倩
【申請人】無錫華潤上華科技有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2014年2月21日