彩膜基板上的黑矩陣遮擋住時不會發(fā)生漏光，進而避免該陣列基板出現(xiàn)漏光不良。
[0033]本實施例中，遮光條5的寬度大于柵線3和公共電極線4之間的間隔區(qū)域6的寬度，且小于柵線3、公共電極線4和間隔區(qū)域6的總寬度。如此設置，使遮光條5既能很好地發(fā)揮對間隔區(qū)域6遮光的作用，同時還不會影響陣列基板透光區(qū)域的正常透光。
[0034]需要說明的是，遮光條5的寬度也可以等于柵線3和公共電極線4之間的間隔區(qū)域6的寬度。
[0035]本實施例中，柵線3和公共電極線4同層設置，遮光條5位于柵線3和公共電極線4的上方。當然，遮光條5也可以位于柵線3和公共電極線4的下方。無論設置在柵線3和公共電極線4的上方還是下方，都能夠?qū)φ丈渲灵g隔區(qū)域6的光線進行遮擋，從而防止間隔區(qū)域6漏光。
[0036]本實施例中，像素單元2包括晶體管21，晶體管21包括柵極210、有源區(qū)211、源極212和漏極213，柵極210與柵線3同層設置并連接，源極212和漏極213同層設置且采用相同材料制成，源極212和漏極213位于柵極210上方，遮光條5與源極212和漏極213同層設置且采用相同的材料制成。即本實施例中的晶體管21為底柵型。如上述設置，遮光條5與源極212和漏極213能夠采用一次構圖工藝同時形成，從而使遮光條5的制備無需額外增加陣列基板的制備工序。
[0037]需要說明的是，源極212和漏極213也可以位于柵極210的下方，即晶體管21為頂柵型。
[0038]另外需要說明的是，遮光條5也可以是由漏極213的圖形延伸至與間隔區(qū)域6相對應的位置而形成，即遮光條5與漏極213為一體結構。
[0039]本實施例中，像素單元2還包括像素電極22，像素電極22設置在遮光條5的上方，且像素電極22完全覆蓋遮光條5。由于遮光條5的寬度大于柵線3和公共電極線4之間的間隔區(qū)域6的寬度，且小于柵線3、公共電極線4和間隔區(qū)域6的總寬度，所以遮光條5與柵線3和公共電極線4會有部分交疊，這會使遮光條5與柵線3和公共電極線4之間形成電容，顯示時，柵線3上的電壓和公共電極線4上的電壓會同時拉動遮光條5，使遮光條5與柵線3和公共電極線4之間形成電場。上述設置，使像素電極22能夠?qū)φ诠鈼l5與柵線3和公共電極線4之間的電場形成有效的屏蔽，從而使顯示時對應分布在該區(qū)域的液晶分子不會發(fā)生紊亂或發(fā)生紊亂的程度減小，進而確保遮光條5與柵線3和公共電極線4之間的電場不會對正常顯示造成影響。
[0040]本實施例中，像素單元2還包括公共電極23，公共電極23與像素電極22位置相對應，公共電極23設置在柵線3和公共電極線4下方，且公共電極23與公共電極線4連接。即本實施例中的陣列基板為ADS模式(高級超維場轉換模式)的液晶顯示面板中的陣列基板。由于ADS模式的液晶顯示面板在受到較大壓力按壓時，彩膜基板很容易相對陣列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩陣無法遮擋柵線3和公共電極線4之間的間隔區(qū)域6，遮光條5能夠很好地對間隔區(qū)域6進行遮擋，防止間隔區(qū)域6漏光造成液晶顯示面板的漏光不良。
[0041]需要說明的是，本實施例中的陣列基板也可以為TN模式(垂直電場模式)的液晶顯示面板中的陣列基板，即公共電極23也可以設置在彩膜基板上。
[0042]基于陣列基板的上述結構，本實施例還提供一種該陣列基板的制備方法，包括:在基板上形成像素單元、柵線和公共電極線，還包括在基板上形成遮光條，遮光條在基板上的正投影遮擋柵線和公共電極線之間的間隔區(qū)域。
[0043]其中，柵線和公共電極線采用相同材料并在一次構圖工藝中同時形成，遮光條形成于柵線和公共電極線的上方。形成像素單元包括形成晶體管，形成晶體管包括形成柵極、有源區(qū)、源極和漏極，柵極與柵線采用相同材料并在一次構圖工藝中同時形成；源極和漏極在一次構圖工藝中同時形成，遮光條與源極和漏極在一次構圖工藝中同時形成；遮光條與柵線和公共電極線之間還形成有柵絕緣層。柵線、公共電極線、晶體管以及遮光條的制備工藝均采用傳統(tǒng)的制備工藝，這里不再具體贅述。遮光條與源極和漏極在一次構圖工藝中同時形成，能使遮光條的制備無需額外增加陣列基板的制備工藝。
[0044]本實施例中，形成像素單元還包括形成像素電極，像素電極形成于遮光條上方，且像素電極完全覆蓋遮光條。像素電極與遮光條之間還形成有鈍化層，鈍化層中在對應像素電極和漏極的區(qū)域開設有過孔，像素電極與漏極通過開設在鈍化層中的過孔連接。像素電極、鈍化層以及過孔的制備工藝采用傳統(tǒng)的制備工藝，具體不再詳述。像素電極覆蓋遮光條能對遮光條與柵線和公共電極線之間的電場形成有效的屏蔽，從而使顯示時對應分布在該區(qū)域的液晶分子不會發(fā)生紊亂或發(fā)生紊亂的程度減小，進而確保遮光條與柵線和公共電極線之間的電場不會對正常顯示造成影響。
[0045]實施例2:
[0046]本實施例提供一種陣列基板，與實施例1不同的是，像素單元還包括像素電極和公共電極，像素電極設置在公共電極上方，公共電極設置在遮光條上方，且公共電極完全覆蓋遮光條。
[0047]如此設置，使公共電極能夠?qū)φ诠鈼l與柵線和公共電極線之間的電場形成有效的屏蔽，從而使顯示時對應分布在該區(qū)域的液晶分子不會發(fā)生紊亂或發(fā)生紊亂的程度減小，進而確保遮光條與柵線和公共電極線之間的電場不會對正常顯示造成影響。
[0048]本實施例中的陣列基板也為ADS模式(高級超維場轉換模式)的液晶顯示面板中的陣列基板。由于ADS模式的液晶顯示面板在受到較大壓力按壓時，彩膜基板很容易相對陣列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩陣無法遮擋柵線和公共電極線之間的間隔區(qū)域，遮光條能夠很好地對間隔區(qū)域進行遮擋，防止間隔區(qū)域漏光造成液晶顯示面板的漏光不良。
[0049]本實施例中陣列基板的其他結構與實施例1中相同，此處不再贅述。
[0050]基于陣列基板的上述結構，本實施例還提供一種該陣列基板的制備方法，與實施例I中陣列基板的制備方法不同的是，形成像素單元還包括形成像素電極和公共電極，像素電極形成于公共電極上方，公共電極形成于遮光條上方，且公共電極完全覆蓋遮光條。另夕卜，像素電極和公共電極之間還設置有絕緣層，公共電極和遮光條之間也設置有絕緣層。
[0051]其中，像素電極、公共電極和絕緣層的制備工藝采用傳統(tǒng)的制備工藝，具體不再詳述。
[0052]本實施例中陣列基板的其他結構的制備方法與實施例1中相同，此處不再贅述。
[0053]實施例3:
[0054]本實施例提供一種陣列基板，與實施例1-2不同的是，像素單元還包括像素電極和公共電極，公共電極設置在像素電極上方，像素電極設置在遮光條上方，且像素電極完全覆蓋遮光條。
[0055]如此設置，同樣使像素電極能夠?qū)φ诠鈼l與柵線和公共電極線之間的電場形成有效的屏蔽，從而使顯示時對應分布在該區(qū)域的液晶分子不會發(fā)生紊亂或發(fā)生紊亂的程度減小，進而確保遮光條與柵線和公共電極線之間的電場不會對正常顯示造成影響。
[0056]本實施例中的陣列基板也為ADS模式(高級超維場轉換模式)的液晶顯示面板中的陣列基板。當ADS模式的液晶顯示面板在受到較