e)或砸化物。所述混合 物可W在所述接觸步驟之前或之后與基質(zhì)交聯(lián)。
[0040] 在一個(gè)實(shí)例中，所述方法還可W包括形成包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光學(xué)組合物 的透明蓋構(gòu)件或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件的步驟。
[0041] 在一個(gè)實(shí)例中，所述基質(zhì)通過(guò)具有反應(yīng)性基團(tuán)的單體聚合而提供。例如，聚合可W 是加成反應(yīng)。在有機(jī)娃的情況下，所述反應(yīng)性基團(tuán)可W包含己締基和所述交聯(lián)劑可W包含 Si-H基。所述聚合可W通過(guò)催化劑、例如Pt催化劑引發(fā)。當(dāng)所述單體提供為具有己締基 時(shí)，也可W使用自由基引發(fā)的聚合。在硅氧烷（siloxane)的情況下，普遍使用過(guò)氧化物引 發(fā)的聚合。此外，通過(guò)縮合反應(yīng)的聚合也可W用于提供交聯(lián)聚合物基質(zhì)。
[0042] 在一個(gè)實(shí)例中，提供了根據(jù)本發(fā)明的方法制備的光學(xué)組合物。
[0043] 要注意本發(fā)明設(shè)及權(quán)利要求書中敘述的特征的所有可能組合。
【附圖說(shuō)明】
[0044] 現(xiàn)在將參考顯示本發(fā)明的實(shí)施方式的附圖，更詳細(xì)地描述本發(fā)明的該些和其他方 面。
[0045] 在圖1中，顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，原位形成納米晶體的反應(yīng)圖式。
[0046] 在圖2中，示意性地顯示了包含透明蓋構(gòu)件的發(fā)光裝置，所述透明蓋構(gòu)件包含根 據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光學(xué)組合物。
[0047] 在圖3a-c中，顯示了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件的例子，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換構(gòu)件包含根據(jù)本發(fā)明實(shí) 施方式的光學(xué)組合物和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
[0048] 在圖4a-b中，示意性地顯示了制備本發(fā)明實(shí)施方式的光學(xué)組合物的方法。
[0049] 在圖5中，顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光學(xué)組合物分別在與&S氣體接觸之前 和之后的折射率。
[0化0] 如所述圖中示出，層和區(qū)的尺寸為了說(shuō)明的目的被放大，因此提供它們是為了說(shuō) 明本發(fā)明實(shí)施方式的一般結(jié)構(gòu)。同樣的參考數(shù)字始終是指同樣的元件。
【具體實(shí)施方式】
[0051] 本發(fā)明現(xiàn)在將參考顯示本發(fā)明當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施方式的附圖，在下文中更充分地描 述。然而，本發(fā)明可W體現(xiàn)為許多不同的形式，并且不應(yīng)該解釋為被限于本文中提出的實(shí)施 方式；相反地，提供該些實(shí)施方式是為了詳盡性和完全性，并向技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的 范圍。
[0化2] 發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在所述組合物中原位形成納米晶體，可W在不增加光散射 下增加用于例如發(fā)光裝置的組合物的折射率。
[0053] 所述組合物包含含有陰離子有機(jī)部分的透明基質(zhì)，和分散在所述基質(zhì)中的金屬陽(yáng) 離子。所述金屬陽(yáng)離子和所述陰離子有機(jī)部分形成有機(jī)金屬絡(luò)合物。所述透明基質(zhì)可W聚 合W提供化學(xué)交聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)。當(dāng)所述分散的金屬陽(yáng)離子與包含選自硫和砸的至少一種元素的 作用劑接觸時(shí)，所述金屬陽(yáng)離子可W與所述選自硫和砸的至少一種元素在所述基質(zhì)中原位 形成納米晶體。
[0054] 金屬陽(yáng)離子的分散和納米晶體的原位形成傾向于進(jìn)一步降低聚集風(fēng)險(xiǎn)并因此也 減少過(guò)量的光散射。
[0化5] 通過(guò)原位形成納米晶體，不需要在制備所述光學(xué)組合物之前形成或表面改性納米 晶體。因此，所生成的光學(xué)組合物可包含透明基質(zhì)和分散在所述基質(zhì)中的未改性的（即沒(méi) 有表面改性的）納米晶體，所述透明基質(zhì)包含有機(jī)部分殘基，所述未改性的納米晶體包含 金屬陽(yáng)離子與選自硫和砸的至少一種元素。
[0056] 術(shù)語(yǔ)"原位"，本文中用于描述納米晶體不在與所述基質(zhì)接觸之前形成，例如在常 規(guī)方法中，而是當(dāng)有機(jī)金屬絡(luò)合物的金屬陽(yáng)離子與包含選自硫和砸的至少一種元素的作用 劑接觸時(shí)在所述基質(zhì)內(nèi)形成。
[0057] 在根據(jù)本發(fā)明原位形成納米晶體中，所述有機(jī)金屬絡(luò)合物的移動(dòng)性比常規(guī)方法中 預(yù)先形成的納米晶體的移動(dòng)性低得多。因此，本文所述的納米晶體的原位形成傾向于減少 納米晶體的聚集，從而減少過(guò)量的光散射。
[005引術(shù)語(yǔ)"陰離子有機(jī)部分"，本文中是指電子比質(zhì)子多、因此具有負(fù)電荷的有機(jī)分子 或化合物或者分子或化合物的有機(jī)部分。所述陰離子有機(jī)部分可W是具有陰離子有機(jī)基團(tuán) 的分子。或者，所述陰離子有機(jī)部分可W是基質(zhì)的聚合物的陰離子有機(jī)側(cè)基。所述陰離子 有機(jī)部分可W選自例如駿酸根、橫酸根和丙酬酸根基團(tuán)。
[0059] 術(shù)語(yǔ)"有機(jī)部分殘基"，本文中是指所述陰離子有機(jī)部分的不帶電荷狀態(tài)。通常，所 述有機(jī)部分殘基由所述陰離子有機(jī)部分和附加的氨原子組成。有機(jī)部分殘基的例子可W選 自例如駿酸和橫酸。
[0060] 術(shù)語(yǔ)"金屬陽(yáng)離子"是指陽(yáng)離子金屬離子，即電子比質(zhì)子少、因此具有正電荷的金 屬離子。金屬陽(yáng)離子的例子可W選自例如鋒、簡(jiǎn)、鐵。通常，優(yōu)選二價(jià)金屬陽(yáng)離子。
[0061] 術(shù)語(yǔ)"納米晶體"本文中是指基本上單晶的納米結(jié)構(gòu)。所述納米晶體具有至少一 個(gè)尺寸小于100皿，通常小于50皿，或小于約1皿。納米晶體可W具有約10皿的至少一個(gè)尺 寸。納米晶體在材料性質(zhì)上可W是基本均勻的。納米晶體的光學(xué)性質(zhì)可W由它們的尺寸、 化學(xué)組成或表面組成決定。納米晶體可W由半導(dǎo)體材料制成。
[0062] 術(shù)語(yǔ)"未改性的納米晶體"，本文中是指在與透明基質(zhì)組合之前沒(méi)有表面改性的納 米晶體。此外，未改性的納米晶體通常不具有與它們的表面結(jié)合、輛合、配位、連接或締合的 任何分子、化合物或離子。
[0063] 術(shù)語(yǔ)"有機(jī)金屬絡(luò)合物"，本文中是指當(dāng)陰離子有機(jī)部分和金屬陽(yáng)離子彼此相互作 用例如通過(guò)形成鹽時(shí)形成的絡(luò)合物。有機(jī)金屬絡(luò)合物可W包含金屬-碳鍵，通常為離子鍵 和共價(jià)鍵之間的中間性狀。
[0064] 術(shù)語(yǔ)"包含選自硫和砸的至少一種元素的作用劑"，本文中是指包含當(dāng)有機(jī)金屬絡(luò) 合物與作用劑接觸時(shí)可W與有機(jī)金屬絡(luò)合物的金屬陽(yáng)離子形成納米晶體的元素的物質(zhì)。通 常，所述作用劑是氣體。包含選自硫和砸的至少一種元素的作用劑的例子可W選自例如 和HgSe。
[00化]術(shù)語(yǔ)"均勻地分散"，本文中是指金屬陽(yáng)離子、有機(jī)金屬絡(luò)合物或納米晶體分散在 基質(zhì)中而不彼此形成聚集體或簇。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，分散的金屬陽(yáng)離子、有機(jī) 金屬絡(luò)合物或納米晶體沒(méi)有在基質(zhì)中形成可W引起過(guò)量光散射的聚集體或簇。優(yōu)選地，在 所述金屬陽(yáng)離子、有機(jī)金屬絡(luò)合物或納米晶體在所述基質(zhì)的每個(gè)樣品中的濃度類似或等于 金屬陽(yáng)離子、有機(jī)金屬絡(luò)合物或納米晶體在所述基質(zhì)中的平均總濃度的意義上，所述金屬 陽(yáng)離子、有機(jī)金屬絡(luò)合物或納米晶體也是均勻分散的。
[0066] 術(shù)語(yǔ)"光學(xué)部件"，本文中是指適合用于光學(xué)裝置例如發(fā)光裝置中的透明部件。光 學(xué)部件的例子是磯光體的透鏡、粘合層、基質(zhì)材料。
[0067] 術(shù)語(yǔ)"透明的"，本文中是指允許光通過(guò)所述材料而不散射的物理性質(zhì)。
[0068] 一般而言，包含選自硫和砸的至少一種元素的作用劑、例如&S氣體，與包含含有 陰離子有機(jī)部分和分散金屬陽(yáng)離子的基質(zhì)的組合物之間的反應(yīng)可W如下：
[0069] 町(g) + (M2+)狂-)2-（M2+)妒-)+2XH(方程 1)
[0070] 其中Y表示選自硫和砸的元素；M"表示可W是二價(jià)的金屬陽(yáng)離子，例如化"或 Cd";X-表示陰離子有機(jī)部分，例如駿酸根基團(tuán)，例如COO-、0吊7〇2-或RSO2〇-;(M2+) (Y2-)表示 納米晶體，例如aiS、CdS、aiSe、CdSe或化S;和XH表示有機(jī)部分殘基，例如COOH、CgHsA或 RS020H。取決于所述金屬陽(yáng)離子和所述陰離子有機(jī)部分的氧化態(tài)，方程1可能必須根據(jù)M、 X和&Y的相對(duì)摩爾量進(jìn)行修改。
[0071] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的透明基質(zhì)可W是聚合物基質(zhì)或基于硅氧烷的基質(zhì)。所述基 于硅氧烷的基質(zhì)可W包含有機(jī)娃，例如聚硅氧烷和改性聚硅氧烷。所述聚合物基質(zhì)可W包 含姪聚合