一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(Advanced-SuperDimens1nal Switching，簡(jiǎn)稱:ADS)顯不技術(shù)通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層之間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極之間、狹縫電極上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而可提高液晶工作效率。
[0003]通常，采用ADS顯示技術(shù)的顯示裝置包括陣列基板，如圖1所示，該陣列基板包括襯底基板I’以及依次層疊設(shè)置在襯底基板I’上的柵極2’、柵極絕緣層3’、有源層4’、像素電極5’、源極6’和漏極7’、鈍化層8’和公共電極9’?，F(xiàn)有技術(shù)中，上述ADS陣列基板的制作方法普遍包括五次構(gòu)圖工藝，上述五次構(gòu)圖工藝具體為:第一次構(gòu)圖工藝形成柵極2’;第二次構(gòu)圖工藝形成有源層4’ ；第三次構(gòu)圖工藝形成像素電極5’ ；第四次構(gòu)圖工藝形成源極6’和漏極7’ ；第五次構(gòu)圖工藝形成公共電極9’，這樣就完成了陣列基板的制作。
[0004]然而，由于構(gòu)圖工藝的次數(shù)直接影響制作成本以及良品率，也即構(gòu)圖工藝次數(shù)越多，生產(chǎn)周期越長(zhǎng)，制作成本越高，良品率越低，因此，在陣列基板的制作過(guò)程中，如何減少構(gòu)圖工藝次數(shù)是亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用于減少陣列基板的制備過(guò)程中所采用的構(gòu)圖工藝的次數(shù)。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種陣列基板，包括襯底基板以及層疊設(shè)置于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層和有源層，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述有源層上的鈍化層以及設(shè)置于所述鈍化層上的同層設(shè)置的源極、漏極、第一電極和第二電極；
[0008]所述鈍化層上設(shè)置有第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)傾斜側(cè)面；所述第一電極至少部分覆蓋所述第一過(guò)孔的一個(gè)側(cè)面，所述第二電極至少部分覆蓋所述第一過(guò)孔的另一個(gè)側(cè)面，所述第二電極與公共電極引線電連接；
[0009]所述鈍化層上還設(shè)置有第二過(guò)孔，所述源極和所述漏極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述有源層連接，且所述第一電極與所述源極或所述漏極電連接。
[0010]本發(fā)明提供的陣列基板具有如上結(jié)構(gòu)，由于源極、漏極、第一電極和第二電極同層設(shè)置在鈍化層上，因而可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，并且為使第一電極與源極或漏極電連接，僅需增加一次構(gòu)圖工藝以形成鈍化層上的過(guò)孔，相比于現(xiàn)有技術(shù)中形成源極和漏極、像素電極和公共電極需要三次構(gòu)圖工藝，本發(fā)明中，形成源極和漏極、像素電極和公共電極僅需兩次構(gòu)圖工藝，因而可減少一次構(gòu)圖工藝；并且由于構(gòu)圖工藝的次數(shù)越多，陣列基板的良品率越低，本發(fā)明中減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，因而可提高制作陣列基板的良品率。
[0011]此外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。
[0012]此外，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0013]經(jīng)過(guò)第一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括柵極的圖形；
[0014]在形成有包括所述柵極的圖形的所述襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0015]經(jīng)過(guò)第二次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵極絕緣層的所述襯底基板上形成包括有源層的圖形；
[0016]在形成有包括有源層的圖形的所述襯底基板上形成鈍化層，經(jīng)過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成第一過(guò)孔和對(duì)應(yīng)于所述有源層的第二過(guò)孔，所述第一過(guò)孔包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)傾斜側(cè)面；
[0017]經(jīng)過(guò)第四次構(gòu)圖工藝在形成有所述鈍化層的所述襯底基板上形成包括源極、漏極、第一電極和第二電極的圖形，其中，所述第一電極至少部分覆蓋所述第一過(guò)孔的一個(gè)側(cè)面，所述第二電極至少部分覆蓋所述第一過(guò)孔的另一個(gè)側(cè)面，所述源極和所述漏極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述有源層連接，且所述第一電極與所述源極或所述漏極電連接，所述第二電極與公共電極引線電連接。
[0018]因所述陣列基板的制作方法與上述陣列基板相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。
【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的平面圖；
[0022]圖3為圖2中A-A’方向的剖面圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作流程圖。
[0024]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0025]I 一襯底基板；2—柵極；3—柵極絕緣層；
[0026]4一有源層；5—鈍化層； 51—第一過(guò)孔；
[0027]52一第二過(guò)孔；6—源極；7—漏極；
[0028]8—第一電極；9 一第二電極； 10—公共電極引線；
[0029]11一數(shù)據(jù)線；12—柵線。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]實(shí)施例一
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖2和圖3所示，該陣列基板包括襯底基板I以及層疊設(shè)置于襯底基板I上的柵極2、柵極絕緣層3和有源層4，該陣列基板還包括設(shè)置于有源層4上的鈍化層5以及設(shè)置于鈍化層5上的同層設(shè)置的源極6、漏極7、第一電極8和第二電極9 ;其中，鈍化層5上設(shè)置有第一過(guò)孔51，第一過(guò)孔51包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)傾斜側(cè)面；第一電極8至少部分覆蓋第一過(guò)孔51的一個(gè)側(cè)面，第二電極9至少部分覆蓋第一過(guò)孔51的另一個(gè)側(cè)面，第二電極9與公共電極引線10電連接；鈍化層5上還設(shè)置有第二過(guò)孔52，源極6和漏極7通過(guò)第二過(guò)孔52與有源層4連接，且第一電極8與源極6或漏極7電連接。
[0033]在陣列基板的制備過(guò)程中，由于源極6、漏極7、第一電極8和第二電極9同層設(shè)置在鈍化層上，因而可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，并且為使第一電極8與源極6或漏極7電連接，僅需增加一次構(gòu)圖工藝以形成鈍化層5上的過(guò)孔，因而相比現(xiàn)有技術(shù)中形成源極、漏極、第一電極和第二電極需要三次構(gòu)圖工藝，在本發(fā)明中，形成源極6、漏極7、第一電極8和第二電極9僅需兩次構(gòu)圖工藝，因而可減少一次構(gòu)圖工藝；并且由于構(gòu)圖工藝的次數(shù)越多，陣列基板的良品率越低，本發(fā)明中減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，因而可提高制作陣列基板的良品率。
[0034]需要說(shuō)明的是，第一，鈍化層5的材質(zhì)可為樹脂材質(zhì)或者為氮化硅材質(zhì)，還可為其他常見材質(zhì)。示例性地，樹脂材質(zhì)鈍化層5的厚度為1.5-2微米，由于鈍化層5越厚，如圖3所示，相應(yīng)的第一過(guò)孔51的深度也就越大，因而第一電極8和第二電極9的相對(duì)面積越大，使得第一電極8和第二電極9之間的水平電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度越強(qiáng)，因而優(yōu)選地，樹脂材質(zhì)鈍化層5的厚度約為2微米；氮化硅材質(zhì)鈍化層5的厚度為0.6-1微米，同理優(yōu)選地，氮化硅材質(zhì)鈍化層5的厚度約為I微米。而由現(xiàn)有技術(shù)可知，通常第一電極8的厚度為0.3-0.4