陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法及其結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module) ο通常液晶顯示面板由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理是通過在兩片基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。彩膜基板一側(cè)設(shè)置有用于濾光的多種顏色的色阻及用于遮光的黑色矩陣。由于將彩膜基板與陣列基對組時容易出現(xiàn)對位偏差，造成液晶顯示面板的開口率降低及漏光的問題。為解決上述問題，提出了陣列彩膜集成式的液晶顯示面板，可將彩膜制作于TFT陣列基板一側(cè)(Color Filter On Array，COA)，將黑色矩陣制作于陣列基板一側(cè)(Black Matrix OnArray，BOA)，以及將光阻間隙物制作于陣列基板一側(cè)(Photo Spacer On Array)。陣列彩膜集成式的液晶顯示面板由于彩膜與黑色矩陣均集成在陣列基板一側(cè)，能夠減少對位偏差，增加開口率，降低寄生電容，適于做成曲面形狀。
[0004]但是現(xiàn)有的陣列彩膜集成式液晶顯示面板在制作過程中需要在色阻層上開孔，用于將像素電極電性連接至TFT的源/漏極，由此引起的問題是在色阻層上開孔一方面會造成開口率下降，另一方面在色阻層上開孔還容易隱藏氣體，當(dāng)液晶顯示面板遇到高溫、震動、或撞擊時，隱藏的氣體就會溢出，形成氣泡(Bubble)，占據(jù)液晶的位置，造成顯示異常。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法，在不需要在色阻層上開孔的前提下，實現(xiàn)像素電極與源/漏極之間的連接，提高開口率，避免出現(xiàn)氣泡，提升液晶顯示面板的顯示品質(zhì)，同時節(jié)省光罩，降低生產(chǎn)成本。
[0006]本發(fā)明的目的還在于提供一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板結(jié)構(gòu)，其開口率較高，顯示品質(zhì)較好，生產(chǎn)成本較低。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0008]步驟1、提供第一基板，在所述第一基板上依次制作柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、及源/漏極，再通過沉積工藝形成覆蓋源/漏極、半導(dǎo)體層、與第一基板的第一保護層；
[0009]步驟2、在所述第一保護層上制作色阻層，通過濕蝕刻制程將位于所述柵極與源/漏極上方區(qū)域內(nèi)的色阻層去除；
[0010]步驟3、通過沉積工藝形成覆蓋色阻層及第一保護層的第二保護層，再蝕刻出貫穿所述第二保護層與第一保護層的過孔，暴露出源/漏極的部分表面；
[0011]步驟4、在所述第二保護層上形成像素電極，所述像素電極經(jīng)由過孔與所述源/漏極接觸；
[0012]步驟5、在經(jīng)所述步驟2去除色阻層的區(qū)域內(nèi)填充黑色矩陣材料，使用一道狹縫衍射光罩同時制作出遮擋所述柵極與源/漏極的黑色矩陣及位于黑色矩陣上與黑色矩陣一體的間隙物；
[0013]步驟6、提供第二基板，在所述第二基板上制備公共電極，對組第一基板和第二基板，在所述第一基板和第二基板之間灌入液晶，封裝所述第一基板和第二基板。
[0014]所述步驟2中的色阻層包括:紅色色阻、綠色色阻、及藍(lán)色色阻。
[0015]所述步驟4中像素電極的材料均為ITO。
[0016]所述步驟5中的黑色矩陣材料為亞克力黑色光阻。
[0017]所述步驟5中填充的黑色矩陣材料的厚度大于色阻層的厚度。
[0018]本發(fā)明還提供一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板結(jié)構(gòu)，包括:第一基板、設(shè)于第一基板上的柵極、覆蓋所述柵極的柵極絕緣層、設(shè)于柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、分別接觸所述半導(dǎo)體層兩側(cè)的源/漏極、覆蓋所述源/漏極、半導(dǎo)體層、與第一基板的第一保護層、設(shè)于所述第一保護層上且于所述柵極與源/漏極上方區(qū)域間斷的色阻層、覆蓋所述色阻層及第一保護層的第二保護層、設(shè)于所述第二保護層上經(jīng)由貫穿第二保護層與第一保護層的過孔與所述源/漏極部分表面接觸的像素電極、填充于色阻層的間斷處并遮擋所述柵極與源/漏極的黑色矩陣、及位于所述黑色矩陣上與黑色矩陣一體的間隙物；
[0019]所述黑色矩陣與所述光阻間隙物在制作過程中同時形成。
[0020]所述陣列彩膜集成式液晶顯示面板結(jié)構(gòu)還包括與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板、設(shè)于所述第二基板面向第一基板一側(cè)的公共電極、及夾設(shè)于所述第一基板與第二基板之間的液晶。
[0021]所述色阻層包括:紅色色阻、綠色色阻、及藍(lán)色色阻。
[0022]所述像素電極的材料均為ITO。
[0023]所述黑色矩陣與間隙物的材料為亞克力黑色光阻。
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法，在第一基板上依次制作柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏極、及第一保護層后制作色阻層，并通過濕蝕刻制程將位于柵極與源/漏極上方區(qū)域內(nèi)的色阻層去除，再沉積覆蓋色阻層及第一保護層的第二保護層；像素電極形成于第二保護層上，經(jīng)由貫穿所述第二保護層與第一保護層的過孔接觸源/漏極，無需在色阻層上開孔即可實現(xiàn)像素電極與源/漏極之間的連接，提高開口率，避免出現(xiàn)氣泡，提升液晶顯示面板的顯示品質(zhì)；然后在經(jīng)所述濕蝕刻制程去除色阻層的區(qū)域內(nèi)填充黑色矩陣材料，使用一道狹縫衍射光罩同時制作出遮擋所述柵極與源/漏極的黑色矩陣及位于黑色矩陣上與黑色矩陣一體的間隙物，能夠節(jié)省光罩，簡化制程，降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明提供的一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板結(jié)構(gòu)，其色阻層設(shè)于第一保護層上且于柵極與源/漏極的上方區(qū)域間斷，第二保護層覆蓋所述色阻層及第一保護層，像素電極設(shè)于所述第二保護層上經(jīng)由貫穿第二保護層與第一保護層的過孔與所述源/漏極的部分表面接觸，無需在色阻層上開孔，黑色矩陣填充于色阻層的間斷處，位于所述黑色矩陣上的間隙物與黑色矩陣是一體的，二者在制作過程中同時形成，使得陣列彩膜集成式液晶顯示面板的開口率較高，顯示品質(zhì)較好，生產(chǎn)成本較低。
[0025]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0026]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0027]附圖中，
[0028]圖1為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的流程圖；
[0029]圖2為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的步驟I的示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0032]圖5為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0033]圖6為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的步驟5的示意圖；
[0034]圖7為本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法的步驟6的示意圖暨本發(fā)明的陣列彩膜集成式液晶顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實施方式】
[0035]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0036]請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種陣列彩膜集成式液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0037]步驟1、請參閱圖2，提供第一基板10，在所述第一基板10上依次制作柵極21、柵極絕緣層22、半導(dǎo)體層23、及源/漏極24，再通過沉積工藝形成覆蓋源/漏極24、半導(dǎo)體層23、與第一基板10的第一保護層25。
[0038]具體地，所述第一基板10優(yōu)選為玻璃基板；所述柵極21由沉積第一金屬層并對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理制得，所述第一金屬層的材料可選擇銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)中的一種或多種；所述柵極絕緣層22通過化學(xué)氣相沉積工藝制得，材料可選擇氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或二者的組合；所述半導(dǎo)體層23為非晶硅或多晶硅；所述源/漏極24由沉積第二金屬層并對第二金屬層進(jìn)行圖案化處理制得，所述第二金屬層的材料可選擇Cu、Al、Mo、Ti中的一種或多種；所述第一保護層25的材料可選擇S1x、SiNx或二者的組入口 ο
[0039]步驟2、請參閱圖3，在所述第一保護層25上制作色阻層30，通過濕蝕刻制程將位于所述柵極21與源/漏極24上方區(qū)域內(nèi)的色阻層30去除。
[0040]具體地，所述色阻層30包括:紅色色阻、綠色色阻、及藍(lán)色色阻，除此之外，所述色阻層30還可以根據(jù)顯示需要加入白色色阻、黃色色阻等其它顏色的色阻。
[0041]步驟3、請參閱圖4，通過沉積工藝形成覆蓋色阻層30及第一保護層25的第二保護層40，再蝕刻出貫穿所述第二保護層40與第一保護層25的過孔45，暴露出源/漏極24的部分表面。
[0042]具體地，所述第二保護層40的材料可選擇S1x、SiNx或二者的組合；采用干蝕刻工藝蝕刻出貫穿所述第二保護層40與第一保護層25的過孔45。
[0043]步驟4、請參閱圖5，在所述第二保護層40上形成像素電極50，所述像素電極50經(jīng)由過孔45與所述源/漏極24接觸。
[0044]具體地，所述像素電極50材料為ITO ;通過蒸鍍ITO薄膜，并對ITO薄膜進(jìn)行蝕