光電傳感器及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光電傳感器及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)a-Si TFT(薄膜晶體管)暴露在可見光時，會產(chǎn)生較大的光電流。在TFT-1XD(薄膜晶體管液晶顯示器)中，為了保證較低的漏電流，a-Si TFT的溝道需要盡可能遮光，如在背光一側(cè)有金屬遮擋背光，在另一側(cè)彩膜玻璃基板有黑矩陣遮擋環(huán)境光。實際上，a-Si TFT受不同光強(qiáng)的照射，其漏電流會產(chǎn)生相應(yīng)的變化，當(dāng)光照越強(qiáng)，漏電流越大，此電流被稱為光電流。
[0003]利用a-Si TFT的光電流的特點(diǎn)，可實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換和光學(xué)輸入。進(jìn)而可在TFT-1XD上實現(xiàn)集成光學(xué)觸摸屏，實現(xiàn)顯示和觸摸一體化制作。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的光學(xué)觸摸屏中的光電傳感器如圖1所示，由光電TFT T1、讀出TFT T3和電容Cl構(gòu)成，光電TFT T1用于將光信號轉(zhuǎn)換為電信號；電容Cl用于維持電信號的穩(wěn)定；讀出TFT T3用于將電信號讀取到外電路以便下一步處理。實際應(yīng)用中，讀出TFT的漏極連接到一根讀取線上，該讀取線一般還會連接其他讀出TFT，在對當(dāng)前的光電傳感器進(jìn)行電信號讀出時，其他讀出TFT雖然被導(dǎo)通時實際上也會產(chǎn)生一定的漏電流，這樣會產(chǎn)生噪聲，這樣可能會導(dǎo)致無法正確檢測到對應(yīng)位置是否有觸控。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個目的是提高讀取線檢測到的電信號的信噪比。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種光電傳感器，包括:光電晶體管、放大晶體管、讀出晶體管、復(fù)位晶體管和電容，并具有若干輸入端；其中，所述光電晶體管的漏極、所述放大晶體管的柵極和所述復(fù)位晶體管的源極連接所述電容的第一端；所述光電晶體管的源極、所述讀出晶體管的源極連接高電壓輸入端；所述復(fù)位晶體管的漏極、所述放大晶體管的漏極連接低電壓輸入端；所述光電晶體管的柵極、所述讀出晶體管的柵極和所述復(fù)位晶體管的柵極各自連接一個輸入端。
[0007]進(jìn)一步的，所述讀出晶體管和所述復(fù)位晶體管的導(dǎo)通電平相同。
[0008]進(jìn)一步的，各個晶體管均為N型晶體管。
[0009]進(jìn)一步的，所述光電晶體管的柵極連接所述低電壓輸入端。
[0010]進(jìn)一步的，所述電容的第二端連接所述低電壓輸入端。
[0011]進(jìn)一步的，所述光電晶體管替換為光電二極管，所述光電二極管的陽極連接所述電容的第一端，陰極連接所述高電平輸入端。
[0012]第二方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括基底以及形成在基底上的多條柵極和多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線將陣列基板劃分為多個像素區(qū)域；還包括:
[0013]形成在基底上的光電傳感器，所述光電晶體管為上述任一項所述的光電傳感器。
[0014]進(jìn)一步的，所述讀出晶體管和所述復(fù)位晶體管的導(dǎo)通電平相同，每一個光電傳感器設(shè)置在相鄰兩行的柵線之間；其中的讀出晶體管的柵極所連接的輸入端連接相鄰兩行柵線的上一行柵線，適于在該柵線上施加?xùn)艠O掃描脈沖時導(dǎo)通；復(fù)位晶體管的柵極所連接的輸入端連接相鄰兩行柵線的下一行柵線，適于在該柵線上施加?xùn)艠O掃描脈沖時導(dǎo)通。
[0015]第三方面，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動上述任一項所述的光電傳感器的方法，包括:
[0016]在讀出階段，在所述讀出晶體管的柵極所連接的輸入端施加控制信號使所述讀出晶體管導(dǎo)通；
[0017]在復(fù)位階段，在所述復(fù)位晶體管的柵極所連接的輸入端施加控制信號使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通。
[0018]第四方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。
[0019]本發(fā)明提供的光電傳感器中，設(shè)置放大晶體管對寫入到電容的電信號進(jìn)行放大，這樣能夠在讀出階段，放大所讀出的信號的強(qiáng)度，從而提高讀取到的信號的信噪比，有助于提尚光電檢測精度。
【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種光電傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種光電傳感器的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖3為對本發(fā)明實施例一提供的光電傳感器進(jìn)行驅(qū)動時關(guān)鍵信號的時序圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例二提供的光電傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進(jìn)一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0025]實施例一
[0026]本發(fā)明提供了一種光電傳感器，參見圖2，該光電傳感器包括同為N型晶體管的光電晶體管T1、放大晶體管T2、讀出晶體管T3、復(fù)位晶體管T4和電容Cl ;其中，光電晶體管TI的漏極、放大晶體管T2的柵極和復(fù)位晶體管T4的源極連接電容Cl的第一端，讀出晶體管T3的源極連接放大晶體管T2的源極；光電晶體管Tl的源極、放大晶體管T2、讀出晶體管T3的源極連接高電壓輸入端Vbias ;復(fù)位晶體管T4的漏極、放大晶體管T2的漏極連接低電壓輸入端Vss ;光電晶體管Tl的柵極、讀出晶體管T3的柵極和復(fù)位晶體管T4的柵極也各自連接到一個輸入端上，具體來說，這里的光電晶體管Tl的柵極連接低電壓輸入端Vss，讀出晶體管T3的柵極連接一個控制信號輸入端Gn，復(fù)位晶體管T4的柵極連接另一個控制信號輸入端Gn+Ι，另外電容Cl的第二端也連接低電壓輸入端Vss。
[0027]對圖3中的光電晶體管的驅(qū)動方法可以參考圖3，包括:
[0028]在讀出階段SI，在控制信號輸入端Gn施加控制信號使讀出晶體管T3導(dǎo)通；
[0029]在復(fù)位階段S2，在控制信號輸入端Gn+Ι施加控制信號使電容Cl的第一端復(fù)位。
[0030]在具體實施時，由于讀出晶體管T3和復(fù)位晶體管T4均為N型晶體管，這里的控制信號可以是指同一個高電平脈沖。
[0031 ] 在上述的實施例中，由于放大晶體管T2的作用，經(jīng)讀出晶體管T3讀出的電流相比于直接從電容Cl的第一端讀出的電流放大了若干倍(放大的倍數(shù)為放大晶體管本身的結(jié)構(gòu)相關(guān)的常數(shù))，即經(jīng)讀取線讀取到的信號中有用信號被放大，相應(yīng)的信噪比也增大，從而能夠提尚光電檢測的精度。
[0032]同時本發(fā)明實施例中，讀出晶體管T3和復(fù)位晶體管T4的導(dǎo)通電平相同，這樣做的好處是，可以采用相鄰兩行柵線中的上一行柵線將讀出晶體管T3導(dǎo)通，完成對信號讀出過程，之后利用下一行的柵極將復(fù)位晶體管T4導(dǎo)通，完成對電容Cl的第一端的復(fù)位過程。當(dāng)然在實際應(yīng)用中，上述的讀出晶體管T3和復(fù)位晶體管T4的導(dǎo)通電平也可以不