一種陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著移動終端在生活中的應(yīng)用越來越廣泛，用戶對移動終端的顯示效果的要求越來越高。為了滿足用戶對移動終端的顯示要求，移動終端顯示屏正向著更高畫質(zhì)、更高解析度、更輕薄和更低功耗等方向發(fā)展。隨著解析度的提高，移動終端顯示屏的開口率會減小。為了保證移動終端的顯示亮度，移動終端需求的背光亮度就越來越高。在目前的移動終端中，背光源的亮度已經(jīng)超越電視等較大的顯示裝置。背光源的高亮度提高了移動終端的功耗，同時縮短了移動終端的待機時長，給用戶帶來較多的不便。
[0003]為了在保證移動終端顯示屏的亮度同時不提升背光亮度的功耗，需要提高移動終端顯示屏的透過率?，F(xiàn)在常規(guī)的做法是采用平坦層來減少像素電極、公共電極與數(shù)據(jù)線或掃描線間的電容。一般平坦層的厚度為1.5 μπι以上，平坦層的設(shè)置有利于提高顯示屏的開口率。同時為了滿足顯示屏窄邊框的需求，通常的做法是壓縮封框膠寬度。封框膠寬度的降低，有可能會降低封框膠對陣列基板及其對盒基板的粘附強度，給顯示屏帶來隱患。
[0004]為了保障封框膠對陣列基板及其對盒基板的粘附強度，如圖1和2所示，通常會在陣列基板周邊的平坦層I形成配合封框膠的溝槽。這樣可保證封框膠與陣列基板的接觸面積，進而保證封框膠的粘附程度。但是，平坦層的溝槽深度較大且會暴露部分?jǐn)?shù)據(jù)線3，同時溝槽邊緣的坡度一般大于50度。這導(dǎo)致在后續(xù)形成公共電極和像素電極時，溝槽里面會殘留有大量的透明導(dǎo)電材料2。殘留的透明導(dǎo)電材料2很可能會引起數(shù)據(jù)線3間的短路，引起顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板和顯示裝置，以解決殘留在溝槽里的透明導(dǎo)電材料會引起數(shù)據(jù)線間短路的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明第一方面提供了一種陣列基板，該陣列基板包括數(shù)據(jù)線和位于數(shù)據(jù)線上方的平坦層，在陣列基板的非顯示區(qū)域，平坦層形成有配合封框膠的溝槽，溝槽內(nèi)形成有覆蓋數(shù)據(jù)線的色阻層，色阻層的表面低于平坦層的表面。
[0007]其中，色阻層位于平坦層和數(shù)據(jù)線之間。
[0008]其中，色阻層與平坦層同層設(shè)置于數(shù)據(jù)線之上。
[0009]其中，對應(yīng)所述平坦層的溝槽，所述數(shù)據(jù)線和襯底基板之間由下至上依次還包括:
[0010]緩沖層、柵極絕緣層和層間絕緣層。
[0011 ] 其中，所述色阻層包括紅色、綠色、藍色和無色四種中的至少一種。
[0012]其中，色阻層的表面低于平坦層的表面至少0.5 μπι。
[0013]其中，色阻層的厚度為I至5μπι。
[0014]其中，平坦層的厚度為I至6 μm。
[0015]本發(fā)明帶來了以下有益效果:在本發(fā)明實施例中，溝槽區(qū)域的數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有絕緣的色阻層。色阻層覆蓋了溝槽區(qū)域的數(shù)據(jù)線，可完全將溝槽內(nèi)殘留的透明導(dǎo)電材料和數(shù)據(jù)線隔絕開，防止在形成公共電極和像素電極之后，溝槽內(nèi)殘留的透明導(dǎo)電材料引起數(shù)據(jù)線的短路，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0016]本發(fā)明第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板，還包括與所述陣列基板對盒設(shè)置的彩色濾光基板。
[0017]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0019]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是圖1的A-A截面示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明實施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4是圖3的B-B截面示意圖一；
[0023]圖5是圖3的B-B截面示意圖二。
【具體實施方式】
[0024]以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0025]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，如圖3、4和5所示，該陣列基板包括數(shù)據(jù)線3和位于數(shù)據(jù)線3上方的平坦層I。其中，在陣列基板的非顯示區(qū)域，平坦層I形成有配合封框膠的溝槽，溝槽內(nèi)形成有覆蓋數(shù)據(jù)線3的色阻層8，色阻層8的表面低于平坦層I的表面。
[0026]在本發(fā)明實施例中，溝槽區(qū)域的數(shù)據(jù)線3上方設(shè)置有絕緣的色阻層8。色阻層8覆蓋了溝槽區(qū)域的數(shù)據(jù)線3，可完全將溝槽內(nèi)殘留的透明導(dǎo)電材料2和數(shù)據(jù)線3隔絕開，防止在形成公共電極和像素電極之后，溝槽內(nèi)殘留的透明導(dǎo)電材料2引起數(shù)據(jù)線3的短路，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0027]具體的，以設(shè)置有低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon，簡稱LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)的陣列基板為例:在襯底基板7上，首先制備遮光層，在遮光層之上形成緩沖層6和非晶硅；之后通過準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅，以形成有源層；然后依次形成柵極絕緣層5、柵極、層間絕緣層4和數(shù)據(jù)線3，如圖4或圖5所示，其中留在平坦層I的溝槽區(qū)域的結(jié)構(gòu)包括緩沖層6 (Buffer)、柵極絕緣層 5 (Gate Insulator，簡稱 GI)、層間絕緣層 4 (Inter Level Dielectric，簡稱 ILD);接下來，對于設(shè)置有紅色(R)、藍色(B)和綠色(G)三種顏色像素的顯示裝置而言，可經(jīng)過紅色彩膜、綠色彩膜和藍色彩膜三道制程，在該顯示裝置的陣列基板上形成RGB三種顏色的像素，并在溝槽的對應(yīng)區(qū)域至少保留紅色色阻、藍色色阻、綠色色阻三者之一，色阻層8覆蓋暴露在外的數(shù)據(jù)線3 ;最后形成平坦層I以及溝槽、公共電極、鈍化層和像素電極等結(jié)構(gòu)。
[0028]將包括紅、綠和藍三色的彩色濾光層(Color Filter