顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示器，且特別是有關(guān)于一種具有特定形狀的間隙物或凸塊的顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進步，體積龐大的陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器已經(jīng)漸漸地走入歷史。因此，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，IXD)、有機發(fā)光二極管顯不器(Organic Light Emitting D1de display，OLED display)、電泳顯不器(Electro-Phoretic Display，EI3D)、電楽顯不器(Plasma Display Panel,PDP)等顯不面板則逐漸地成為未來顯示器的主流。
[0003]為了精準(zhǔn)地控制顯示面板的主動元件陣列基板與對向基板的間隙(cellgap)，通常會在兩個基板之間加入間隙物以支撐間隙。一般來說，顯示面板被彎曲或按壓時(例如進行移動間隙物測試(moving PS test)時)會造成間隙物的錯位(或滑動)，而錯位的間隙物有可能會刮傷顯示區(qū)域的主動元件陣列基板上的膜層，或者是使得主動元件陣列基板上的配向?qū)拥呐湎蛐Ч涣迹蚨鴮?dǎo)致顯示面板發(fā)生暗態(tài)漏光等問題。再者，若間隙物在斜向方向上錯位，由于間隙物有可能會不對稱地刮傷相鄰的兩個像素區(qū)，導(dǎo)致前述的暗態(tài)漏光問題更為嚴重。因此，增加顯示面板中間隙物的錯位容許量實為研發(fā)者所欲達成的目標(biāo)之一O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種顯示器，可提高間隙物的錯位容許量，以改善顯示器的暗態(tài)漏光現(xiàn)象。
[0005]本發(fā)明提出一種顯示器。顯示器包括第一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素結(jié)構(gòu)、保護層、凸塊、第二基板以及間隙物。掃描線、數(shù)據(jù)線、像素結(jié)構(gòu)以及保護層位于第一基板上。凸塊配置于第一基板上。第二基板與第一基板相對設(shè)置。間隙物配置于第二基板上且與凸塊至少部分重疊。凸塊與間隙物中的一個具有第一形狀，凸塊與間隙物中的另一個具有第二形狀，其中第一形狀在第一方向上的兩側(cè)長度大于中間長度。
[0006]基于上述，本發(fā)明的凸塊與間隙物中的一個具有兩側(cè)長度大于中間長度的特殊形狀，當(dāng)間隙物斜向錯位時，此特殊形狀可增加間隙物與凸塊之間的接觸面積，維持面板間隙，避免間隙物刮傷顯示區(qū)域，進而提高間隙物的錯位容許量。如此一來，可改善顯示器因間隙物錯位所致的暗態(tài)漏光等問題。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0008]圖1為依照本發(fā)明一實施例的顯示器的剖面示意圖。
[0009]圖2A與圖2B分別為依照本發(fā)明一實施例的顯示器的俯視示意圖，其中圖2A中省略繪示黑矩陣。
[0010]圖3A為沿圖2A的剖面線A-A’的剖面示意圖。
[0011]圖3B為沿圖2A的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0012]圖4為圖2A的區(qū)域R中凸塊與間隙物之間的相對位置的放大示意圖。
[0013]圖5為圖2A的區(qū)域R中凸塊與間隙物之間的相對位置的放大示意圖。
[0014]圖6為圖2A的區(qū)域R中凸塊與間隙物之間的相對位置的放大示意圖。
[0015]圖7A至圖7D分別為本發(fā)明的第一形狀的示意圖。
[0016]圖8A至圖8F分別為本發(fā)明的第二形狀的示意圖。
[0017]圖9A與圖9B為依照本發(fā)明另一實施例的顯示器的俯視示意圖，其中圖9A中省略繪示黑矩陣。
[0018]圖1OA為第一傳統(tǒng)顯不器的俯視不意圖。
[0019]圖1OB為沿圖1OA的剖面線A-A’的剖面示意圖。
[0020]圖1OC為沿圖1OA的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0021]圖1lA為第二傳統(tǒng)顯示器的俯視示意圖。
[0022]圖1lB為沿圖1lA的剖面線A_A’的剖面示意圖。
[0023]圖1lC為沿圖1lA的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0024]圖12為本發(fā)明一實驗例的顯示器的間隙物的錯位容許量與顯示器種類的關(guān)系曲線圖。
[0025]圖13為本發(fā)明一實驗例的顯示器的黑矩陣在第一方向上的最大長度與顯示器種類的關(guān)系曲線圖。
[0026]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0027]10:第一形狀
[0028]1a:兩側(cè)
[0029]1b:中間
[0030]20:第二形狀
[0031]20a:主體部
[0032]20b:延伸部
[0033]100:第一基板
[0034]110:像素陣列層
[0035]114、114”:凸塊
[0036]200:第二基板
[0037]210:彩色濾光陣列層
[0038]211:濾光圖案
[0039]212:覆蓋層
[0040]214:配向?qū)?br>[0041]300:顯示介質(zhì)層
[0042]AA ’:剖面線
[0043]BB’:剖面線
[0044]BM、BM’、BM”:黑矩陣
[0045]C:開口
[0046]CH:通道層
[0047]CL:共用線
[0048]DUDr:第一方向
[0049]D2、D2’:第二方向
[0050]D:漏極
[0051]DL:數(shù)據(jù)線
[0052]G:柵極
[0053]G1:柵絕緣層
[0054]Η1、ΗΓ，、Η2、Η2，、Η2”:厚度
[0055]P:像素結(jié)構(gòu)
[0056]PE:像素電極
[0057]PS、PS’、PS”:間隙物
[0058]PV:保護層
[0059]S:源極
[0060]SL:掃描線
[0061]T:主動元件
【具體實施方式】
[0062]圖1為依照本發(fā)明一實施例的顯示器的剖面示意圖。圖2A與圖2B為依照本發(fā)明一實施例的顯示器的俯視示意圖，其中圖2A中省略繪示黑矩陣，而圖2B則提供了黑矩陣BM與其它構(gòu)件之間的配置關(guān)系。圖3A為沿圖2A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖3B為沿圖2A的剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖1至圖3B，本實施例的顯示器包括第一基板100、第二基板200以及位于第一基板100與第二基板200之間的顯示介質(zhì)層300、凸塊114 (請參照圖3A與圖3B)以及間隙物PS (請參照圖3A與圖3B)。第一基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或其類似材質(zhì)。第一基板100上例如是設(shè)置有像素陣列層110，其詳細結(jié)構(gòu)將于后續(xù)段落說明。
[0063]第二基板200設(shè)置于第一基板100的對向。第二基板200的材質(zhì)可各自為玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料，其可與第一基板100具有相同或不同的材質(zhì)，本發(fā)明不以此為限。第二基板200上例如是配置有彩色濾光陣列層210，其詳細結(jié)構(gòu)將于后續(xù)段落說明。
[0064]顯不介質(zhì)層300例如是液晶材料。換目之，本實施例的顯不器例如是液晶顯不器。然而，本發(fā)明并不限于此。在其他實施例中，顯示介質(zhì)120亦可以是其他的顯示材料，諸如有機發(fā)光二極管材料、無機發(fā)光二極管材料、電泳顯示材料、螢光材料、磷光材料、電漿材料等。
[0065]為了清楚地說明，圖2A是以繪示出具有2X2個像素結(jié)構(gòu)的陣列的像素陣列層110以及對應(yīng)的彩色濾光陣列層為例，但本發(fā)明所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可以理解，圖1的像素陣列層110實際上是由多個像素結(jié)構(gòu)排成的陣列所構(gòu)成。
[0066]請同時參照圖2A、圖3A以及圖3B，在本實施例中，像素陣列層110包括多條掃描線SL、多條數(shù)據(jù)線DL、多個像素結(jié)構(gòu)以及保護層PV。
[0067]掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL位于第一基板100上。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，在本實施例中，掃描線SL的延伸方向與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向例如是垂直。如圖2A所示，在本實施例中，數(shù)據(jù)線DL例如是沿第一方向Dl延伸，而掃描線SL例如是沿第二方向D2延伸，且第一方向Dl與第二方向D2例如是實質(zhì)上互相垂直。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL是位于不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動此像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動訊號。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的材料包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、其他其堆疊層等。
[0068]像素結(jié)構(gòu)位于第一基板100上。像素結(jié)構(gòu)P與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。詳言之，像素結(jié)構(gòu)包含主動元件T以及與主動元件T電性連接的像素電極PE。主動元件T例如是薄膜晶體管，其包括柵極G、柵絕緣層G1、通道層CH、源極S以及漏極D。柵極G位于第一基板100上，柵絕緣層GI位于柵極G上，且通道層CH位于柵絕緣層GI上，且柵絕緣層GI位于通道層CH與柵極G之間。源極S以及漏極D分別位于柵極G上方的通道層CH兩側(cè)。柵極G、源極S以及漏極D的材料包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、其堆疊層等。通道層CH的材料包括半導(dǎo)體，諸如非晶硅半導(dǎo)體、金屬氧化物半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等。柵絕緣層GI的材料包括無機材料、有機材料、上述的組合或其堆疊層，其中無機材料例如是氧化娃