Tft基板結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting D1de, OLED)等平板顯示器已經(jīng)逐步取代CRT顯示器，廣泛的應(yīng)用于液晶電視、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(Active Matrix/Organic Light-Emitting D1de，簡(jiǎn)稱AM0LED)中的主要驅(qū)動(dòng)元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。薄膜晶體管具有多種結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的材料也具有多種，低溫多晶娃(Low TemperaturePoly-silicon，簡(jiǎn)稱LTPS)材料是其中較為優(yōu)選的一種，由于低溫多晶娃的原子規(guī)則排列，載流子迀移率高，對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)式的液晶顯示裝置而言，多晶硅薄膜晶體管由于其具有較高的迀移率，可以使用體積較小的薄膜晶體管實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶分子的偏轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，在很大程度上縮小了薄膜晶體管所占的體積，增加透光面積，得到更高的亮度和解析度；對(duì)于電流驅(qū)動(dòng)式的有源矩陣驅(qū)動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置而言，低溫多晶硅薄膜晶體管可以更好的滿足驅(qū)動(dòng)電流要求。
[0004]如圖1所示，液晶顯示面板可分成有效顯示區(qū)(active area) 110以及周邊線路區(qū)(peripheral circuit area) 120。有效顯不區(qū)110內(nèi)配置有多個(gè)像素以形成像素陣列(未標(biāo)示)，每個(gè)像素均包括一薄膜晶體管和與該薄膜晶體管連接的像素電極，且每個(gè)像素都被兩條相鄰的掃描線130以及兩條相鄰的數(shù)據(jù)線140包圍，周邊線路區(qū)120則設(shè)計(jì)有扇出(fan out)引線，扇出引線集中的區(qū)域即為扇出區(qū)120S。通常，掃描線130以及數(shù)據(jù)線140會(huì)由有效顯示區(qū)110延伸至周邊線路區(qū)120，并通過(guò)扇出引線與驅(qū)動(dòng)芯片(driver IC) 500即COF端電連接。
[0005]在液晶顯示面板的制作過(guò)程中，如圖2所示，已經(jīng)形成薄膜晶體管的基板100上需要覆蓋一層高介電常數(shù)的有機(jī)膜作為平坦層(planarizat1n，PLN) 200，以改變下層膜表面的平整性，防止有效顯示區(qū)內(nèi)電場(chǎng)互相干擾，減少電容耦合效應(yīng)，提高穿透率；在有效顯示區(qū)110外，平坦層200上的溝槽210能夠增加框膠的粘附性、增加框膠的接觸面積，避免出現(xiàn)液晶汽包(LC Bubble)、框I父穿刺等顯不不良。
[0006]平坦層200通常為感旋光材料，如圖3所示，利用光罩，通過(guò)曝光顯影工藝可在平坦層200上形成溝槽210 ;之后，如圖4所示，需要在平坦層200上沉積氧化銦錫(ITO)薄膜300以用作于共通電極(COM);由于共通電極與TFT電性絕緣，因此，如圖5所示，需要通過(guò)在ITO薄膜300上涂覆光阻400 (photo resist，PR);之后，如圖6所示，對(duì)光阻400曝光、顯影，但是由于平坦層200厚度較大，一般約為2.5 μ m，平坦層200上的溝槽210的坡度(taper)較陸峭，在進(jìn)行光阻涂覆時(shí)，光阻流動(dòng)性大，taper角位置處光阻偏厚，會(huì)導(dǎo)致曝光不徹底，從而造成溝槽210內(nèi)taper角位置處光阻殘留；之后，如圖7所示，將未被光阻400覆蓋的平坦層溝槽210內(nèi)的ITO刻蝕掉，但是，由于溝槽210內(nèi)taper角位置處光阻殘留從而造成ITO 300’殘留。
[0007]然而，在扇出區(qū)120s內(nèi)有ITO殘留則會(huì)引起下方的金屬線路短路，從而造成畫面異常、畫面分屏等畫質(zhì)不良。
[0008]目前業(yè)界改善ITO殘留最常用的方法是采用的是埋溝和架橋技術(shù)，制程復(fù)雜且成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，采用半色調(diào)光罩工藝，使得位于扇出區(qū)的平坦層上的溝槽的坡度變緩，避免透明導(dǎo)電層在溝槽角落處殘留的現(xiàn)象，可大大提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)，且工藝簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0011]步驟1、提供一基板，所述基板上設(shè)有薄膜晶體管；所述基板包括有效顯示區(qū)和圍繞所述有效顯示區(qū)的周邊線路區(qū)，所述周邊線路區(qū)包括扇出區(qū)和非扇出區(qū)；在所述基板上涂布形成平坦層；
[0012]步驟2、提供第一光罩，所述第一光罩上具有對(duì)應(yīng)于所述有效顯示區(qū)的第一圖案、對(duì)應(yīng)于所述周邊線路區(qū)的非扇出區(qū)的第二圖案、及對(duì)應(yīng)于所述扇出區(qū)的第三圖案；所述第二圖案、第三圖案用于在所述周邊線路區(qū)的平坦層上形成溝槽；所述第一光罩為半色調(diào)光罩，所述第一圖案、第二圖案為全透光，所述第三圖案為半透光；
[0013]利用所述第一光罩對(duì)所述平坦層進(jìn)行曝光、顯影，通過(guò)第一光罩上的第一圖案實(shí)現(xiàn)全曝光從而在有效顯示區(qū)上方形成過(guò)孔；通過(guò)第一光罩上的第二圖案實(shí)現(xiàn)全曝光從而在非扇出區(qū)的平坦層上形成第一溝槽；通過(guò)第一光罩上的第三圖案實(shí)現(xiàn)半曝光從而在扇出區(qū)的平坦層上形成第二溝槽；
[0014]步驟3、在所述平坦層上形成透明導(dǎo)電層；
[0015]步驟4、在所述透明導(dǎo)電層上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光、顯影，去除位于所述第一溝槽、第二溝槽上的光阻；
[0016]步驟5、以剩余的光阻為遮擋，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，并剝離剩余的光阻，得至IJ電極。
[0017]所述第二溝槽的深度小于所述第一溝槽的深度。
[0018]所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
[0019]所述步驟I中形成的平坦層的材料為有機(jī)光阻。
[0020]所述步驟I中形成的平坦層的厚度為2.5 μ m。
[0021]所制作的TFT基板用于形成液晶顯示面板，所述液晶顯示面板內(nèi)的封框膠粘附于所述第一溝槽、第二溝槽內(nèi)。
[0022]所述第二溝槽的寬度大于所述第一溝槽的寬度。
[0023]所述步驟5中形成的電極為液晶顯示面板的共通電極。
[0024]所述步驟3中形成的透明導(dǎo)電層的材料為ΙΤ0，所述透明導(dǎo)電層通過(guò)物理氣相沉積法形成。
[0025]所述步驟5采用濕法蝕刻制程對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法，利用半色調(diào)光罩通過(guò)一次曝光在平坦層上形成過(guò)孔與溝槽，位于有效顯示區(qū)的平坦層的過(guò)孔設(shè)計(jì)不受周邊線路區(qū)的溝槽設(shè)計(jì)的影響，從而保證了液晶顯示面板的開口率；通過(guò)半色調(diào)光罩上的半透光性的圖案實(shí)現(xiàn)半曝光從而在位于扇出區(qū)的平坦層上形成深度較淺的溝槽，從而使得位于扇出區(qū)的平坦層上的溝槽的坡度變緩，避免了在進(jìn)行光阻曝光顯影時(shí)溝槽角落處的光阻曝光不徹底而導(dǎo)致透明導(dǎo)電層在溝槽角落處殘留的現(xiàn)象，進(jìn)而避免了扇出區(qū)的金屬線路之間出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，進(jìn)而大大提高了液晶顯示面板的顯示品質(zhì)；并且通過(guò)加寬位于扇出區(qū)的溝槽的寬度，避免了由于溝槽坡度變緩、深度減少而帶來(lái)的封框膠粘附力變差的現(xiàn)象，進(jìn)而保證了液晶顯示面板內(nèi)的封框膠的粘附性不受影響。
【附圖說(shuō)明】
[0027]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0028]附圖中，
[0029]圖1為現(xiàn)有液晶顯不面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0030]圖2為現(xiàn)有陣列基板中平坦層上的溝槽在周邊線路區(qū)分布示意圖；
[0031]圖3為現(xiàn)有的陣列基板的制作方法中在平坦層上形成溝槽的示意圖；
[0032]圖4為現(xiàn)有的陣列基板的制作方法中在平坦層上形成導(dǎo)電薄膜的示意圖；
[0033]圖5為現(xiàn)有的陣列基板的制作方法中在導(dǎo)電薄膜上涂布光阻的示意圖；
[0034]圖6為現(xiàn)有的陣列基板的制作方法中對(duì)導(dǎo)電薄膜上的光阻進(jìn)行曝光顯影的示意圖；
[0035]圖7為現(xiàn)有的陣列基板的制作方法中對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行蝕刻的示意圖；
[0036]圖8為本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖；
[0037]圖9為本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟I中所提供的基板的示意圖；
[0038]圖10為本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2中所提供的光罩的示意圖；
[0039]圖11為本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2的示意圖；
[0040]圖12為本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2中在平坦層上形成的溝槽的示意圖。
【具體實(shí)施方