薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板以及填充在陣列基板及彩膜基板之間的液晶層構(gòu)成。陣列基板上及彩膜基板上均設(shè)有配向膜，從而能夠使得液晶層中的液晶分子沿著配向膜上的溝槽進(jìn)行配向排列，并通過電場對(duì)液晶分子的控制，形成顯示畫面。兩片基板通過封框膠固定安裝。在彩膜基板上，通過會(huì)設(shè)置間隙子(Photo Spacer，PS)來形成一道擋墻來擋住設(shè)置在彩膜基板上的配向膜流向框膠，但是對(duì)于陣列基板來說，陣列基板上沒有擋墻，因此，設(shè)置在陣列基板上的配向膜僅僅靠配向膜的精度來控制在陣列基板上的設(shè)置情況。然而，一旦設(shè)置在陣列基板上的配向膜的設(shè)置精度控制不好時(shí)，則陣列基板顯示區(qū)域邊緣會(huì)出現(xiàn)配向膜過薄或者配向膜堆疊的情況，當(dāng)液晶顯示面板在點(diǎn)亮?xí)r出現(xiàn)亮暗不均勾的現(xiàn)象，也稱為mura現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括:
[0004]基板，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面，所述第一表面包括顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域圍繞所述顯示區(qū)域設(shè)置，
[0005]薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列設(shè)置在所述第一表面上；
[0006]色阻層，所述色阻層設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列上，且所述色阻層包括溝槽，所述溝槽對(duì)應(yīng)所述非顯示區(qū)域設(shè)置；
[0007]配向膜，所述配向膜設(shè)置在所述色阻層上。
[0008]其中，所述溝槽的數(shù)量至少為一個(gè)。
[0009]其中，所述溝槽的數(shù)量為多個(gè)，且所述溝槽相互平行。
[0010]其中，所述溝槽的數(shù)量為多個(gè)，且所述溝槽構(gòu)成網(wǎng)格形。
[0011]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板在色阻層上設(shè)置溝槽，且所述溝槽對(duì)應(yīng)所述非顯示區(qū)域設(shè)置，所述配向膜在設(shè)在所述色阻層上時(shí)流入所述溝槽，通過所述溝槽能夠有效減小甚至消除所述配向膜在所述色阻層自由擴(kuò)散過程中由于表面張力或者黏性的影響導(dǎo)致分布不均勻的情況，從而使得所述包括所述薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示面板在點(diǎn)亮?xí)r亮度更加均勻，消除了 mura現(xiàn)象。且所述配向膜的厚度分布更加均勻，能夠使得所述非顯示區(qū)域的設(shè)計(jì)尺寸變小，實(shí)現(xiàn)使用所述薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示面板的窄邊框。
[0012]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板包括:
[0013]第一基板，所述第一基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面，所述第一表面包括顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域圍繞所述顯示區(qū)域設(shè)置，
[0014]薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列設(shè)置在所述第一表面上；
[0015]色阻層，所述色阻層設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列上，且所述色阻層包括第一溝槽，所述第一溝槽對(duì)應(yīng)所述非顯示區(qū)域設(shè)置；
[0016]第一配向膜，所述第一配向膜設(shè)置在所述色阻層上。
[0017]其中，所述第一溝槽的數(shù)量至少為一個(gè)。
[0018]其中，所述第一溝槽的數(shù)量為多個(gè)，且所述第一溝槽相互平行。
[0019]其中，所述第一溝槽的數(shù)量為多個(gè)，且所述第一溝槽構(gòu)成網(wǎng)格形。
[0020]其中，所述液晶顯示面板還包括第二基板，所述第二基板包括相對(duì)設(shè)置的第三表面及第四表面，所述第三表面相較于所述第四表面鄰近所述第一表面設(shè)置，所述第三表面設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括第二溝槽，所述第二溝槽與所述第一溝槽相對(duì)設(shè)置。
[0021]其中，所述第二溝槽與所述第一溝槽正對(duì)設(shè)置或者所述第二溝槽與所述第一溝槽交錯(cuò)設(shè)置。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖3為圖2中薄膜晶體管陣列基板沿1-1線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖4為本發(fā)明第二實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖5為圖4中薄膜晶體管陣列基板沿I1-1I線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖6為本發(fā)明第三實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖7為圖6中薄膜晶體管陣列基板沿II1-1II線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖8為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]請參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。所述薄膜晶體管陣列基板100包括基板110、薄膜晶體管陣列120、色阻層130以及配向膜140。所述基板110包括相對(duì)設(shè)置的第一表面IlOa及第二表面110b，所述第一表面IlOa包括顯示區(qū)域111及非顯示區(qū)域112，所述非顯示區(qū)域112圍繞所述顯示區(qū)域111設(shè)置。所述薄膜晶體管陣列120設(shè)置在所述第一表面IlOa上。所述色阻層130設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列120上，且所述色阻層130包括溝槽131，所述溝槽131對(duì)應(yīng)所述非顯示區(qū)域112設(shè)置。所述配向膜140設(shè)置在所述色阻層130上。
[0033]所述基板110為透明的，所述基板110的材料可以為但不僅限于玻璃、塑料等。在本實(shí)施方式中，以所述薄膜晶體管陣列基板120設(shè)置在所述基板110的所述第一表面IlOa為例進(jìn)行說明，可以理解地，在其他實(shí)施方式中，所述薄膜晶體管陣列基板120也可以設(shè)置在所述基板110的第二表面110b。
[0034]所述薄膜晶體管陣列120包括呈陣列狀分布的多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管用于控制液晶顯示面板中每個(gè)像素中的子像素的開啟或者關(guān)閉。所述薄膜晶體管包括柵極(gate)、源極(source)及漏極(drain)。所述柵極用于接收控制信號(hào)，并在所述控制信號(hào)的控制下控制所述源極及所述漏極之間的導(dǎo)通或者截止。當(dāng)所述源極及所述漏極在所述柵極接收的控制信號(hào)的控制下導(dǎo)通時(shí)，所述薄膜晶體管導(dǎo)通，與所述薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的子像素開啟。當(dāng)所述源極及所述漏極在所述柵極接收的控制信號(hào)的控制下截止時(shí)，所述薄膜晶體管截止，與所述薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的子像素關(guān)閉。
[0035]所述色阻層130通常包括多個(gè)濾光單元，在一實(shí)施方式中，所述濾光單元可以為紅色濾光單元、綠色濾光單元以及藍(lán)色濾光單元。自背光模組發(fā)出的白光經(jīng)過所述色阻層130的濾光之后，以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。
[0036]在一實(shí)施方式中，所述溝槽131的數(shù)量為至少一個(gè)。請一并參閱圖2及圖3，圖2為本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中薄膜晶體管陣列基板沿1-1線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施方式中，所述溝槽131的數(shù)量為一個(gè)。
[0037]在一實(shí)施方式中，所述溝槽131的數(shù)量為多個(gè)。請一并參閱圖4及圖5，圖4為本發(fā)明第二實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖4中薄膜晶體管陣列基板沿I1-1I線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在圖4及圖5中，所述溝槽131的數(shù)量為3個(gè)，且三個(gè)所述溝槽131相互平行?？梢岳斫獾?，所述溝槽131的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，并不僅局限于為3個(gè)，也可以是3個(gè)以外的其他數(shù)目?？梢岳斫獾?，當(dāng)所述溝槽131的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述溝槽131的寬度可以相同，也可以不相同，在此不做限定。
[0038]在一實(shí)施方式中，所述溝槽131的數(shù)量為多個(gè)，且所述溝槽131構(gòu)成網(wǎng)格形。請一并參閱圖6及圖7，圖6為本發(fā)明第三實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為圖6中薄膜晶體管陣列基板沿II1-1II的剖面結(jié)構(gòu)示意圖?？梢岳斫獾兀?dāng)所述溝槽131溝槽網(wǎng)格形時(shí)，各個(gè)網(wǎng)格的尺寸可以是相同的也可以是不同的，在此不做限定。
[0039]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板100在色阻層130上設(shè)置溝槽131，且所述溝槽131對(duì)應(yīng)所述非顯示區(qū)域112設(shè)置，所述配向膜140在設(shè)在所述色阻層130上時(shí)流入所述溝槽131，通過所述溝槽131能夠有效減小甚至消除所述配向膜140在所