陣列基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于顯示裝置的陣列基板，尤其涉及一種陣列基板、陣 列基板的制作方法和包括陣列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，諸如薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱 TFT-LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light Emitting Diode，0LED)單元以 及有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED) 之類的顯示器件，由于具有抗震性好、視角廣、操作溫度寬、對比度高、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特 點(diǎn)，不但廣泛應(yīng)用于顯示裝置中。另外，高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)（ADvanced Super Dimension Switch，簡稱ADS)通過同一平面內(nèi)像素間電極產(chǎn)生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的 取向液晶分子都能在平面方向（平行于基板）產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，在增大視角的同時(shí)還可以提 高液晶層的透光效率。
[0003] 在現(xiàn)有的TFT-IXD顯示器中，在相鄰子像素間設(shè)置黑矩陣，以遮擋設(shè)置在基板上 的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、柵線等器件，并吸收不受液晶偏轉(zhuǎn)控制的可見光以及其他對顯示效 果有影響的光，使液晶顯示器具有良好的顯示效果?，F(xiàn)有技術(shù)中，黑矩陣主要由包覆由有機(jī) 樹脂材料制成的碳黑顆粒，由于有機(jī)樹脂材料的介電常數(shù)較大，會(huì)使得公共電極與柵線和 /或公共電極與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生很大的寄生電容，進(jìn)而產(chǎn)生較大的信號(hào)延遲，減低顯示器件 的畫面的顯示質(zhì)量。在另一種解決方案中，采用金屬材料制作黑矩陣。由于金屬材料會(huì)對 環(huán)境光形成反射，造成顯示器的對比度下降，影響畫面質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，其遮光組件可以對 外部環(huán)境光進(jìn)行反射，以改善顯示裝置的顯示對比度，提高畫面顯示質(zhì)量。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的實(shí)施例，提供一種陣列基板，包括：基板；多個(gè)像素單元， 設(shè)置在所述基板上，每個(gè)像素單元包括多個(gè)功能層；以及遮光組件，設(shè)置在相鄰的像素單元 之間。所述遮光組件包括：遮光層；覆蓋在所述遮光層上的光吸收層；以及覆蓋在所述光吸 收層上的減反射層。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述減反射層由透明導(dǎo)電薄膜形成。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述功能層包括平坦層、以及在所述平坦 層上依次設(shè)置的第一電極層、第一鈍化層和第二電極層。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光組件設(shè)置在所述第一電極層和平 坦層之間。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光組件的減反射層與所述第一電極 層由相同的材料制成并設(shè)置在同一層。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光組件設(shè)置在所述第二電極層和第 一鈍化層之間。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光組件的減反射層與所述第二電極 層由相同的材料制成并設(shè)置在同一層。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光組件設(shè)置在所述第一電極層和第 一鈍化層之間。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光層由金屬或者金屬合金材料制 成。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述減反射層由氧化銦錫、氧化銦鋅和氧 化鋁鋅中的至少一種材料制成。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述遮光層由鋁、鉻、銅、鉬、鈦、鋁釹合金、 銅鉬合金、鉬鉭合金和鉬釹合金中的至少一種材料制成。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的陣列基板，所述光吸收層由金屬氧化物、金屬氮化物 或者金屬氮氧化物制成。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明另一方面的實(shí)施例，提供一種顯示裝置，包括根據(jù)上述實(shí)施例中的任 一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明再一方面的實(shí)施例，提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：在 基板上形成包括多個(gè)功能層的多個(gè)像素單元；以及在相鄰的像素單元之間形成遮光組件。 所述遮光組件包括：遮光層；覆蓋在所述遮光層上的光吸收層；以及覆蓋在所述光吸收層 上的減反射層。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的陣列基板及其制作方法和顯示裝置，通過在遮光組件上 設(shè)置減反射層，可以減少遮光組件對外部環(huán)境光的反射，從而能夠改善顯示對比度，提高畫 面顯示質(zhì)量。
【附圖說明】
[0020] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照 附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，其中：
[0021] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實(shí)施例的陣列基板的局部俯視圖；
[0022] 圖2是在根據(jù)本發(fā)明的第一種示例性實(shí)施例的陣列基板中沿圖1的A-A'線的局 部剖視圖；
[0023] 圖3是在根據(jù)本發(fā)明的第一種示例性實(shí)施例的陣列基板中沿圖1的B-B'線的局 部剖視圖；
[0024] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實(shí)施例的遮光組件的局部放大剖視圖；
[0025] 圖5是示出本發(fā)明實(shí)施例的遮光組件、與金屬層、金屬層/光吸收層、以及玻璃對 相關(guān)波長的光的反射率的比較示意圖；
[0026] 圖6是在根據(jù)本發(fā)明的第二種示例性實(shí)施例的陣列基板中沿圖1的A-A'線的局 部剖視圖；
[0027] 圖7是在根據(jù)本發(fā)明的第三種示例性實(shí)施例的陣列基板中沿圖1的A-A'線的局 部剖視圖；以及
[0028] 圖8是在根據(jù)本發(fā)明的第四種示例性實(shí)施例的陣列基板中沿圖1的A-A'線的局 部剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。在說明 書中，相同或相似的附圖標(biāo)號(hào)指示相同或相似的部件。下述參照附圖對本發(fā)明實(shí)施方式的 說明旨在對本發(fā)明的總體發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行解釋，而不應(yīng)當(dāng)理解為對本發(fā)明的一種限制。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明總體上的發(fā)明構(gòu)思，提供一種陣列基板，包括：基板；多個(gè)像素單元， 設(shè)置在所述基板上，每個(gè)像素單元包括多個(gè)功能層；以及遮光組件，設(shè)置在相鄰的像素單元 之間。所述遮光組件包括：遮光層；覆蓋在所述遮光層上的光吸收層；以及覆蓋在所述光吸 收層上的減反射層。通過在遮光組件中設(shè)置減反射層，可以減少遮光組件對入射到遮光組 件的外部環(huán)境光的反射，從而能夠改善包括這種陣列基板的顯示裝置的顯示對比度，提高 畫面顯示質(zhì)量。
[0031] 在下面的詳細(xì)描述中，為便于解釋，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本披露實(shí)施 例的全面理解。然而明顯地，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下也可以被實(shí) 施。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以圖示的方式體現(xiàn)以簡化附圖。
[0032] 參見圖1-4,本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：由玻璃或者透明樹脂材料 制成的基板100 ;多個(gè)像素單元，設(shè)置在基板100上，每個(gè)像素單元包括多個(gè)功能層（下面 將詳細(xì)描述）；以及遮光組件11，設(shè)置在相鄰的像素單元之間。遮光組件11包括：遮光層 (或者金屬層）Ila ;覆蓋在遮光層Ila上的光吸收層Ilb ;以及覆蓋在光吸收層Ilb上的減 反射層lie。通過在遮光組件11中設(shè)置減反射層11C，可以減少遮光組件11對入射到遮光 組件的外部環(huán)境光（例如從像素單元入射到遮光組件的光）的反射，從而能夠改善具有這 種陣列基板的顯示裝置的顯示對比度，提高畫面顯示質(zhì)量。
[0033] 在一種示例性實(shí)施例中，如圖2-4所示，功能層包括：平