顯示基板及其制造方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置可包括相對設(shè)置的彩膜基板和陣列基板。彩膜基板包括襯底基板和 位于襯底基板之上的黑矩陣和色阻,色阻包括R、G或者B,色阻的材料為樹脂。
[0003] 進(jìn)行性小亮點(diǎn)(Zara)是目前液晶顯示裝置的光取向(Photo Alignment,簡稱: 0A)工藝的一個(gè)很嚴(yán)重的品質(zhì)問題,其嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。進(jìn)行性Zara在電學(xué)檢 測和模組檢測過程中檢出率較低,且具有進(jìn)行性,從而造成客戶端嚴(yán)重的品質(zhì)問題,進(jìn)而造 成終端市場嚴(yán)重的品質(zhì)問題。究其原因主要是OA工藝中進(jìn)行高溫加熱時(shí),彩膜基板中的色 阻的樹脂材料因高溫發(fā)生變性,從而造成微小的粒子擴(kuò)散到陣列基板表面,經(jīng)過一定時(shí)間 后,逐步積聚產(chǎn)生進(jìn)行性Zara。因?yàn)樵摬涣季哂羞M(jìn)行性,所以叫做進(jìn)行性Zara。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明提供一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置,用于避免進(jìn)行性Zara的產(chǎn) 生。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種顯示基板,包括:襯底基板和位于所述襯底基 板上方的黑矩陣、色阻和阻擋層,所述阻擋層位于所述黑矩陣和所述色阻的上方,所述阻擋 層用于阻擋和/或所述黑矩陣所述色阻產(chǎn)生的粒子以避免產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與所述顯示 基板相對的對置基板。
[0006] 可選地,還包括:保護(hù)層;
[0007] 所述保護(hù)層位于所述阻擋層之上。
[0008] 可選地,所述阻擋層的材料為透明金屬氧化物。
[0009] 可選地,所述阻擋層的厚度為400A至600A Q
[0010] 可選地,所述阻擋層的材料為透明無機(jī)非金屬材料。
[0011] 可選地,所述阻擋層的厚度為1000A至2000A。:
[0012] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種顯示裝置,包括:相對設(shè)置的對置基板和上述 顯示基板。
[0013] 可選地,所述顯示基板為彩膜基板,所述對置基板為高級超維場轉(zhuǎn)換陣列基板或 者平面轉(zhuǎn)換陣列基板。
[0014] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種顯示基板的制造方法,包括:
[0015] 在襯底基板的上方形成黑矩陣和色阻;
[0016] 在所述襯底基板的上方形成阻擋層,所述阻擋層位于所述黑矩陣和所述色阻的上 方,所述阻擋層用于阻擋所述色阻和/或所述黑矩陣產(chǎn)生的粒子以避免產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到 與所述顯示基板相對的對置基板。
[0017] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了,還包括:
[0018] 在所述襯底基板的上方形成保護(hù)層,所述保護(hù)層位于所述阻擋層之上。
[0019] 本發(fā)明具有以下有益效果:
[0020] 本發(fā)明提供的顯示基板及其制造方法和顯示裝置的技術(shù)方案中,阻擋層位于黑矩 陣和色阻的上方,阻擋層可阻擋色阻和/或黑矩陣產(chǎn)生的粒子,避免了產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到 與顯示基板相對的對置基板,從而避免了進(jìn)行性Zara的產(chǎn)生。
【附圖說明】
[0021] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖;
[0023] 圖3a為實(shí)施例三中形成黑矩陣和色阻的示意圖;
[0024] 圖3b為實(shí)施例三中形成阻擋層的示意圖;
[0025] 圖3c為實(shí)施例三中形成保護(hù)層的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提 供的顯示基板及其制造方法和顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,該顯示基 板包括:襯底基板11和位于襯底基板11上方的黑矩陣12、色阻13和阻擋層14,阻擋層14 位于黑矩陣12和色阻13的上方,阻擋層14用于阻擋色阻13和/或黑矩陣12產(chǎn)生的粒子 以避免產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對的對置基板。
[0028] 本實(shí)施例中,若在高溫加熱時(shí)僅有色阻13產(chǎn)生粒子,則阻擋層14用于阻擋色阻13 產(chǎn)生的粒子以避免色阻13產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對的對置基板;若在高溫加熱 時(shí)僅有黑矩陣12產(chǎn)生粒子,則阻擋層14用于阻擋黑矩陣12產(chǎn)生的粒子以避免黑矩陣12產(chǎn) 生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對的對置基板;若在高溫加熱時(shí)色阻13和黑矩陣12均產(chǎn)生 粒子,則阻擋層14用于阻擋色阻13產(chǎn)生的粒子和黑矩陣12產(chǎn)生的粒子以避免色阻13產(chǎn) 生的粒子和黑矩陣12產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對的對置基板。
[0029] 本實(shí)施例中,色阻13可包括紅色色阻R、綠色色阻G或者藍(lán)色色阻B,則襯底基板 11上形成的多個(gè)色阻13包括紅色色阻R、綠色色阻G和藍(lán)色色阻B。在實(shí)際應(yīng)用中,色阻 13還可以為其它顏色的色阻,此處不再一一列舉。
[0030] 可選地,該顯示基板還可以包括保護(hù)層15。保護(hù)層15位于阻擋層14之上。
[0031] 可選地,阻擋層14的材料為透明金屬氧化物。例如:該金屬氧化物可包括ITO或 者ΙΖ0。當(dāng)阻擋層14的材料為透明金屬氧化物時(shí),阻擋層14的厚度為400A至600A .。
[0032] 可選地,阻擋層14的材料為透明無機(jī)非金屬材料。例如:該透明無機(jī)非金屬材料 可包括PVX。當(dāng)阻擋層14的材料為透明無機(jī)非金屬材料時(shí),阻擋層14的厚度為1〇β(Μ至 2000Α 〇
[0033] 可選地,該顯示裝置還可以包括隔墊物16。隔墊物16位于保護(hù)層15之上。
[0034] 本實(shí)施例中,相對設(shè)置的顯示基板和對置基板形成顯示裝置,其中,顯示基板為彩 膜基板,則對置基板為陣列基板。
[0035] 本實(shí)施例中,色阻13的材料為有機(jī)材料,例如:樹脂。
[0036] 當(dāng)對顯示裝置進(jìn)行OA工藝中的高溫加熱時(shí),色阻13的材料發(fā)生變性,產(chǎn)生微小的 粒子,微小的粒子向?qū)χ没鍞U(kuò)散。由于色阻13上方形成有阻擋層14,該阻擋層14對微小 的粒子起到阻擋的作用,從而避免了色阻13產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對的對置基 板。當(dāng)對顯示裝置進(jìn)行OA工藝中的高溫加熱時(shí),黑矩陣12的材料發(fā)生變性,產(chǎn)生微小的粒 子,微小的粒子向?qū)χ没鍞U(kuò)散。由于黑矩陣12上方形成有阻擋層14,該阻擋層14對微小 的粒子起到阻擋的作用,從而避免了黑矩陣12產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對的對置 基板。
[0037] 本實(shí)施例提供的顯示基板的技術(shù)方案中,阻擋層位于黑矩陣和色阻的上方,阻擋 層可阻擋色阻和/或黑矩陣產(chǎn)生的粒子,避免了產(chǎn)生的粒子擴(kuò)散到與顯示基板相對