陣列基板母板及其制作方法、掩膜板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板母板及其制作方法、掩膜板。
【背景技術】
[0002]TFT-1XD(薄膜晶體管液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無福射以及制作成本相對較低等特點，而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
[0003]TFT-1XD主要由陣列基板、彩膜基板以及兩基板之間的液晶層構成，其中，陣列基板作為TFT-1XD的重要組成部分，其性能好壞能夠直接影響到TFT-1XD的顯示效果，目前，在設計TFT-LCD各類產品的過程中，需要對陣列基板母板上的每個陣列基板進行打碼標識，以便后續(xù)追溯產品狀態(tài)，現(xiàn)有產線的打碼工藝是在陣列基板母板上的TFT圖形制作完成后進行的，具體地，首先需要將陣列基板母板運送到打碼設備上，而后對其上的每個陣列基板逐次進行激光打碼，然而，當陣列基板母板上的陣列基板數(shù)量較多時，若采用上述的打碼工藝，則必然會導致生產時間的增加，從而降低生產效率。

【發(fā)明內容】

[0004](一 )要解決的技術問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是:如何解決現(xiàn)有的陣列基板母板制作工藝中由于打碼工藝造成生產效率不高的問題。
[0006]( 二)技術方案
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案提供了一種掩膜板，其上設置有至少一個第一曝光區(qū)，每一個所述第一曝光區(qū)對應于陣列基板母板上的一個陣列基板，所述掩膜板上還設置有第二曝光區(qū)，所述第二曝光區(qū)用于在所述陣列基板母板上形成所述陣列基板的標識碼。
[0008]優(yōu)選地，所述掩膜板上設置有呈矩陣排布的多個所述第一曝光區(qū)，每一個所述第一曝光區(qū)均設有與自身一一對應的第二曝光區(qū)。
[0009]優(yōu)選地，每一個所述第二曝光區(qū)上設置有多個呈點狀的透光區(qū)，且所述多個呈點狀的透光區(qū)呈矩陣排布。
[0010]優(yōu)選地，每一個所述第二曝光區(qū)設置在對應的第一曝光區(qū)的周邊位置。
[0011]優(yōu)選地，所述第一曝光區(qū)用于制作所述陣列基板的柵極的圖形或者源漏極的圖形。
[0012]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板母板的制作方法，包括:
[0013]在襯底基板上依次形成不透明薄膜和光刻膠層；
[0014]采用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光，所述掩膜板上設置有第一曝光區(qū)和第二曝光區(qū)，其中，每一個所述第一曝光區(qū)對應于陣列基板母板上的一個陣列基板，所述第二曝光區(qū)用于在所述陣列基板母板上形成所述陣列基板的標識碼；
[0015]進行顯影和刻蝕工藝，從而在所述襯底基板上對應所述第一曝光區(qū)的位置上形成所述陣列基板中的一種結構圖形，在所述襯底基板對應所述第二曝光區(qū)的位置上形成所述陣列基板的標識碼。
[0016]優(yōu)選地，所述掩膜板上設置有呈矩陣排布的多個所述第一曝光區(qū)，每一個所述第一曝光區(qū)均設有與自身一一對應的第二曝光區(qū)，每一個第二曝光區(qū)上設置有多個點狀的透光區(qū)，且所述多個點狀的透光區(qū)均呈陣列排布，所述對所述光刻膠層進行曝光包括:
[0017]對于每一個第二曝光區(qū)對應的光刻膠區(qū)域，對所述第二曝光區(qū)中的一部分數(shù)量的透光區(qū)對應的光刻膠曝光，而所述第二曝光區(qū)中的剩余部分的透光區(qū)對應的光刻膠不曝光。
[0018]優(yōu)選地，采用曝光裝置對所述光刻膠層進行曝光，所述曝光裝置包括與所述掩膜板上第二曝光區(qū)一一對應的曝光探頭，每一個曝光探頭包括與對應的第二曝光區(qū)中透光區(qū)一一對應的點光源，當所述曝光探頭位于其對應的第二曝光區(qū)上方時，通過控制其中每一個點光源的開啟或關閉從而使對應的第二曝光區(qū)中一部分數(shù)量的透光區(qū)對光刻膠曝光，而剩余部分的透光區(qū)不對光刻膠曝光。
[0019]優(yōu)選地，每一個所述第二曝光區(qū)設置在對應的第一曝光區(qū)的周邊位置。
[0020]優(yōu)選地，所述結構圖形為柵極的圖形或者源漏極的圖形。
[0021]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板母板，采用上述的陣列基板母板的制作方法形成。
[0022](三)有益效果
[0023]本發(fā)明提供的掩膜板，通過在其上增設用于制作標識碼的第二曝光區(qū)，使得在陣列基板母板上制作標識碼的工藝可以與陣列基板的制作工藝同時進行，從而能夠大大減少陣列基板母板的制作時間，提高生產效率。
【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜板的示意圖；
[0025]圖2是圖1中的掩膜板上一個第二曝光區(qū)的示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實施方式提供的一種制作標識碼的示意圖；
[0027]圖4采用本發(fā)明提供的掩膜板進行曝光的示意圖；
[0028]圖5采用本發(fā)明提供的掩膜板得到的陣列基板母板的示意圖；
[0029]圖6圖5中的陣列基板母板上一個標識碼的放大示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0031]本發(fā)明實施方式提供了一種掩膜板，其上設置有至少一個第一曝光區(qū)，每一個所述第一曝光區(qū)對應于陣列基板母板上的一個陣列基板，所述掩膜板上還設置有第二曝光區(qū)，所述第二曝光區(qū)用于在所述陣列基板母板上形成所述陣列基板的標識碼。
[0032]本發(fā)明實施方式提供的掩膜板，通過在其上增設用于制作標識碼的第二曝光區(qū)，使得在陣列基板母板上制作標識碼的工藝可以與陣列基板的制作工藝同時進行，從而能夠大大減少陣列基板母板的制作時間，提高生產效率。
[0033]參見圖1，圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜板的示意圖，該掩膜板100上設置有呈矩陣排布的多個所述第一曝光區(qū)110，每一個第一曝光區(qū)110用于形成陣列基板母板上一個陣列基板的一種結構圖形，在每一個所述第一曝光區(qū)110的周邊位置還設有與自身對應的第二曝光區(qū)120 ；
[0034]其中，掩膜板上的第一曝光區(qū)可以用于制作陣列基板中不透明的結構圖形，例如，該結構圖形可以為由銅材料形成的柵極的圖形或者源漏極的圖形，也可以為其他非透明的膜層圖形，通過在掩膜板上增設第二曝光區(qū)，在采用該掩膜板制作陣列基板母板時，不僅能夠在襯底基板上與第一曝光區(qū)對應的位置上形成每一個陣列基板的結構圖形，還可以同時在第二曝光區(qū)對應的位置上制作每一個陣列基板的標識碼；
[0035]具體地，可以通過在掩膜板上每一個第二曝光區(qū)中設置透光區(qū)，通過該透光區(qū)，能夠在上述陣列基板的結構圖形制作完成后同時保留襯底基板對應位置處的不透明薄膜，從而形成與透光區(qū)相同形狀的圖案，因此，可以通過在掩膜板上第二曝光區(qū)中設置預設形狀的透光區(qū)，從而可以形成對應形狀的圖案作為標識碼；
[0036]優(yōu)選地，為了能夠形成不同形狀的標識碼，如圖2所示，每一個所述第二曝光區(qū)120上設置有不透光區(qū)121以及多個呈點狀的透光區(qū)122，且所述多個呈點狀的透光區(qū)122呈矩陣排布，在制作標識碼的過程中，對于每一個第二曝光區(qū)對應的所述光刻膠區(qū)域，對所述第二曝光區(qū)中的一部分數(shù)量的透光區(qū)對應的光刻膠曝光，而所述第二曝光區(qū)中的剩余部分的透光區(qū)對應的光刻膠不曝光，因此，可以選擇一部分數(shù)量的透光區(qū)進行曝光，而剩余部分的透光區(qū)不曝光，通過選擇曝光的透光區(qū)以構成所需的形狀，從而可以制作對應形狀的標識碼，例如，通過一個第二曝光區(qū)能夠實現(xiàn)一個字符的打碼。
[0037]本發(fā)明實施方式還提供了一種陣列基板母板的制作方法，該方法包括:
[0038]S1:在襯底基板上依次形成不透明薄膜和光刻膠層；其中，該不透明薄膜用于形成陣列基板中不透明的結構圖形，例如，該結構圖形可以為由銅材料形成的柵極