器件設計尺寸的提取方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導體芯片制造工藝技術，尤其涉及一種器件設計尺寸的提取方法。
【背景技術】
[0002] 對于半導體芯片代工廠，在對器件進行失效分析時，需要參考該器件的實際設計 尺寸，但是由于技術保密問題，代工廠一般很難獲取該器件的實際設計尺寸，因此，目前 代工廠主要采用的獲取方式為：對器件進行切片，然后通過掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope ;簡稱：SEM)量取切片后的該器件的設計尺寸。
[0003] 但是，由于上述器件在生產(chǎn)過程中會經(jīng)過多次光刻、刻蝕、和熱工藝處理，因此，即 使對器件進行切片后，通過SEM測量所獲取的器件的設計尺寸還是會與該器件的實際設計 尺寸存在較大誤差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種器件設計尺寸的提取方法，用于實現(xiàn)精確獲取器件的實際設計尺 寸。
[0005] 本發(fā)明的第一個方面是提供一種器件設計尺寸的提取方法，包括：
[0006] 分別將器件中的每層平面圖形和CD Bar放置在所述平面圖形對應的掩膜版上；
[0007] 對于每個所述掩膜版，采用多種曝光條件，分別對所述掩膜版上的平面圖形和CD Bar進行曝光處理，使得所述掩膜版上的不同曝光條件下的平面圖形和CD Bar轉移到所述 掩膜版對應的樣品晶片上；
[0008] 對于每個所述樣品晶片，量取所述樣品晶片上每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值， 并分別將每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值和CD Bar的實際設計尺寸對比，獲取所述樣品 晶片上的最佳曝光條件；其中，所述最佳曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際設計 尺寸之差均小于除最佳曝光條件之外的其他曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際 設計尺寸之差；
[0009] 分別對每個樣品晶片上所述最佳曝光條件下的平面圖形進行測量，獲取所述器件 中每層平面圖形的設計尺寸。
[0010] 本發(fā)明的技術效果是：通過分別將器件中的每層平面圖形和⑶Bar放置在所述 平面圖形對應的掩膜版上；對于每個掩膜版，采用多種曝光條件，分別對掩膜版上的平面圖 形和CD Bar進行曝光處理，使得掩膜版上的不同曝光條件下的平面圖形和CD Bar轉移到 掩膜版對應的樣品晶片上；對于每個樣品晶片，量取樣品晶片上每個曝光條件下的CD Bar 的數(shù)值，并分別將每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值和CD Bar的實際設計尺寸對比，獲取樣 品晶片上的最佳曝光條件；其中，最佳曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際設計 尺寸之差均小于除最佳曝光條件之外的其他曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際 設計尺寸之差；分別對每個樣品晶片上最佳曝光條件下的平面圖形進行測量，獲取器件中 每層平面圖形的設計尺寸，由于CD Bar的數(shù)值的變化能夠準確的反應器件中每層光刻平面 圖形相對器件中每層平面圖形的實際設計尺寸的變化，因此，通過分析各種曝光條件下⑶ Bar的數(shù)值所選擇的每層平面圖形對應的最佳的曝光條件，并對最佳曝光條件下的平面圖 形進行測量，能夠準確獲取該器件的實際設計尺寸，從而解決了現(xiàn)有技術中對器件進行切 片后，通過SEM測量所獲取的器件的設計尺寸會與該器件的實際設計尺寸存在較大誤差的 問題。
【附圖說明】
[0011] 圖1為本發(fā)明器件設計尺寸的提取方法的一個實施例的流程圖；
[0012] 圖2為本發(fā)明器件設計尺寸的提取方法的另一個實施例的流程圖；
[0013] 圖3為在樣品晶片上的每個區(qū)域上所形成的平面圖形和⑶Bar的示意圖；
[0014] 圖4為本發(fā)明器件設計尺寸的提取方法的又一個實施例的流程圖。
【具體實施方式】
[0015] 圖1為本發(fā)明器件設計尺寸的提取方法的一個實施例的流程圖，如圖1所示，本實 施例的方法包括：
[0016] 步驟101、分別將器件中的每層平面圖形和臨界（關鍵）尺寸監(jiān)控標記（Critical Dimension Bar ;簡稱：⑶Bar)放置在所述平面圖形對應的掩膜版上。
[0017] 步驟102、對于每個掩膜版，采用多種曝光條件，分別對該掩膜版上的平面圖形和 CD Bar進行曝光處理，使得該掩膜版上的不同曝光條件下的平面圖形和CD Bar轉移到該掩 膜版對應的樣品晶片上。
[0018] 步驟103、對于每個樣品晶片，量取該樣品晶片上每個曝光條件下的⑶Bar的數(shù) 值，并分別將每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值和CD Bar的實際設計尺寸對比，獲取該樣品 晶片上的最佳曝光條件；其中，該最佳曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際設計尺 寸之差均小于除最佳曝光條件之外的其他曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際設 計尺寸之差。
[0019] 步驟104、分別對每個樣品晶片上該最佳曝光條件下的平面圖形進行測量，獲取該 器件中每層平面圖形的設計尺寸。
[0020] 在本實施例中，舉例來說，將器件分成6層平面圖形，對于每層平面圖形，獲取其 設計尺寸的處理方式相類似，此處僅以第1層平面圖形為例，詳細介紹本實施例的技術方 案：在該第1層平面圖形對應的第1掩膜版上，放置第1層平面圖形和CD Bar ;然后采用多 種曝光條件，對該第1掩膜版上的平面圖形和CD Bar進行曝光處理，使得該第1掩膜版上 的不同曝光條件下的第1層平面圖形和CD Bar轉移到該第1掩膜版對應的第1樣品晶片 上。量取該第1樣品晶片上每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值，并分別將每個曝光條件下的 CD Bar的數(shù)值和CD Bar的實際設計尺寸對比，獲取該第1樣品晶片上的最佳曝光條件，然 后，在該第1樣品晶片上，對其最佳曝光條件下的第1層平面圖形進行測量，從而獲取該第 1層平面圖形的設計尺寸。
[0021] 在本實施例中，通過分別將器件中每層平面圖形和⑶Bar放置在平面圖形對應的 掩膜版上；對于每個掩膜版，采用多種曝光條件，分別對掩膜版上的平面圖形和CD Bar進 行曝光處理，使得掩膜版上的不同曝光條件下的平面圖形和CD Bar轉移到掩膜版對應的樣 品晶片上；對于每個樣品晶片，量取樣品晶片上每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值，并分別 將每個曝光條件下的CD Bar的數(shù)值和CD Bar的實際設計尺寸對比，獲取樣品晶片上的最 佳曝光條件；其中，最佳曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際設計尺寸之差均小于 除最佳曝光條件之外的其他曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實際設計尺寸之差； 分別對每個樣品晶片上最佳曝光條件下的平面圖形進行測量，獲取器件中每層平面圖形的 設計尺寸，由于CD Bar的數(shù)值的變化能夠準確的反應器件中每層光刻平面圖形相對器件 中每層