一種狹縫電極的制造方法、狹縫電極及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種狹縫電極的制造方法、狹縫電極及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，液晶面板按照顯示模式可以分為:扭曲向列(英文全稱:Twisted Nematic,簡(jiǎn)稱:TN)型、平面轉(zhuǎn)換(英文全稱:In Plane Switching,簡(jiǎn)稱:IPS)型和高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)(英文全稱:Advanced Super Dimens1n Switch,簡(jiǎn)稱:ADS)型等。其中，ADS顯不模式的液晶面板是通過(guò)同一平面內(nèi)的狹縫電極所產(chǎn)生的電場(chǎng)和面電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使在電極之間和電極正上方的所有液晶分子發(fā)生旋轉(zhuǎn)，相對(duì)于IPS顯示模式的液晶面板，能夠提高液晶的工作效率且增加了透光效率。由于ADS顯示模式的液晶面板具有高畫(huà)面品質(zhì)、高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)水波紋(引文名稱:push Mura)等優(yōu)點(diǎn)所以被廣泛應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，在制作ADS顯示模式的液晶面板的狹縫電極時(shí)通常依次包括:鍍膜、涂膠、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工序，其中刻蝕工藝中最常用的一種工藝是濕法化學(xué)刻蝕工藝，然而，濕法化學(xué)刻蝕工藝在刻蝕狹縫電極時(shí)，常常會(huì)出現(xiàn)狹縫處刻蝕不干凈，甚至于會(huì)出現(xiàn)電極短路的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致顯示裝置的陣列基板出現(xiàn)亮度不均勻(英文名稱:Mura)、透過(guò)率降低、液晶導(dǎo)向膜(英文全稱:Cell polyimide，簡(jiǎn)稱:Cell PI)不均勻等問(wèn)題。所以如何避免狹縫電極的狹縫處刻蝕殘留是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種狹縫電極的制造方法、狹縫電極及顯示面板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中制作狹縫電極時(shí)刻蝕不干凈的問(wèn)題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]第一方面，提供一種狹縫電極的制造方法，包括:
[0007]在鈍化層上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案的形狀與所述狹縫電極的狹縫的形狀相對(duì)應(yīng)；
[0008]在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成狹縫電極圖案，所述狹縫電極圖案上覆蓋有第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案的形狀與所述狹縫電極的形狀相對(duì)應(yīng)；
[0009]對(duì)所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案進(jìn)行剝離。
[0010]可選的，所述在鈍化層上形成第一光刻膠圖案，包括:
[0011 ] 在鈍化層上涂覆第一層光刻膠層；
[0012]在所述第一光刻膠層上方設(shè)置第一掩膜版，并對(duì)所述第一掩膜版未遮擋部位的光刻膠進(jìn)行曝光；
[0013]對(duì)曝光后的所述第一光刻膠層進(jìn)行顯影形成第一光刻膠圖案。
[0014]可選的，所述在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成狹縫電極圖案，包括:
[0015]在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成一層電極材料膜層；
[0016]在所述電極材料膜層上涂覆第二層光刻膠層；
[0017]在所述第二光刻膠層上方設(shè)置第二掩膜版，并對(duì)所述第二掩膜版未遮擋部位的光刻膠進(jìn)行曝光；
[0018]對(duì)曝光后的第二光刻膠進(jìn)行顯影形成第二光刻膠圖案；
[0019]對(duì)覆蓋有第二光刻膠圖案的電極材料膜層進(jìn)行刻蝕形成所述狹縫電極圖案。
[0020]可選的，所述在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成一層電極材料膜層，包括:
[0021]通過(guò)濺射鍍膜在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成一層電極材料膜層。
[0022]可選的，所述電極圖案包括銦錫氧化物圖案。
[0023]可選的，所述電極圖案包括石墨烯圖案。
[0024]第二方面，提供一種狹縫電極，所述狹縫電極由第一方面任一項(xiàng)所述的狹縫電極制造方法制作獲得。
[0025]第三方面，提供一種顯示面板，包括第二方面所述的狹縫電極。
[0026]可選的，所述顯示面板包括:高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)型顯示面板，所述狹縫電極為所述顯示面板的像素電極。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供的狹縫電極的制作方法，首先在在鈍化層上形成第一光刻膠圖案，第一光刻膠圖案的形狀與狹縫電極的狹縫的形狀相對(duì)應(yīng)；然后在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成狹縫電極圖案，且狹縫電極圖案上覆蓋有第二光刻膠圖案，第二光刻膠圖案的形狀與狹縫電極的形狀相對(duì)應(yīng)；最后對(duì)第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行剝離；因?yàn)樵趯?duì)第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行剝離的同時(shí)能夠同時(shí)剝離掉狹縫電極狹縫內(nèi)未完全刻蝕掉的電極材料，所以本發(fā)明的實(shí)施例能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中制作狹縫電極時(shí)刻蝕不干凈的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0028]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種狹縫電極制造方法的步驟流程圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種狹縫電極制造方法的步驟流程圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的鈍化層和第一光刻膠層的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版的示意性結(jié)構(gòu)圖
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一光刻膠圖案的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的電極材料層的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0035]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二光刻膠層的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0036]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二掩膜版的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0037]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二光刻膠圖案的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0038]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的狹縫電極圖案的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0039]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的剝離第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案后的狹縫電極的示意性結(jié)構(gòu)圖。
[0040]附圖標(biāo)記:
[0041]鈍化層-30;
[0042]第一光刻膠層-31;
[0043]第一掩膜版-40 ;
[0044]第一光刻膠圖案-50;
[0045]電極材料層-60 ；
[0046]第二光刻膠層-70 ；
[0047]第二掩膜版-80 ;
[0048]第二光刻膠圖案-90;
[0049]狹縫電極圖案-100。
【具體實(shí)施方式】
[0050]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0051]需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)中的“第一”、“第二”等字樣僅僅是為了對(duì)功能和作用基本相同的相同項(xiàng)或相似項(xiàng)進(jìn)行區(qū)分，“第一”、“第二”等字樣并不是在對(duì)數(shù)量和執(zhí)行次序進(jìn)行限定。
[0052]此外，本發(fā)明實(shí)施例中的“上”、“下”以制造狹縫電極時(shí)的先后順序?yàn)闇?zhǔn)，例如，在上的圖案是指相對(duì)在后形成的圖案，在下的圖案是指相對(duì)在先形成的圖案。另一方面，為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，附圖中對(duì)各層結(jié)構(gòu)的厚度選取了易于觀察的厚度比例，但附圖中各個(gè)層結(jié)構(gòu)的厚度比例并不代表實(shí)際顯示裝置中各層結(jié)構(gòu)的厚度比例，也不能作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0053]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種狹縫電極的制造方法，具體的，參照?qǐng)D1所示，該方法包括:
[0054]S101、在鈍化層上形成第一光刻膠圖案，第一光刻膠圖案的形狀與狹縫電極的狹縫的形狀相對(duì)應(yīng)。
[0055]S102、在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成狹縫電極圖案，狹縫電極圖案上覆蓋有第二光刻膠圖案，第二光刻膠圖案的形狀與狹縫電極的形狀相對(duì)應(yīng)。
[0056]S103、對(duì)第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行剝離。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供的狹縫電極的制作方法，首先在在鈍化層上形成第一光刻膠圖案，第一光刻膠圖案的形狀與狹縫電極的狹縫的形狀相對(duì)應(yīng)；然后在形成有第一光刻膠圖案的鈍化層上形成狹縫電極圖案，且狹縫電極圖案上覆蓋有第二光刻膠圖案，第二光刻膠圖案的形狀與狹縫電極的形狀相對(duì)應(yīng)；最后對(duì)第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行剝離；因?yàn)樵趯?duì)第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行剝離的同時(shí)能夠同時(shí)剝離掉狹縫電極狹縫內(nèi)未完全刻蝕掉的電極材料，所以本發(fā)明的實(shí)施例能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中制作狹縫電極時(shí)刻蝕不干凈的問(wèn)題。
[0058]本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種狹縫電極的制造方法，具體的，參照?qǐng)D2所示，該方法包括:
[0059]S201、在鈍化層上涂覆第一光刻膠層。
[0060]其中，鈍化層又稱為保護(hù)層，用于隔離相鄰的層結(jié)構(gòu)或者保護(hù)其他層結(jié)構(gòu)。例如:陣列基板的柵絕緣層。光刻膠通常包括:聚合物、溶劑、感光劑、添加劑等成分，光刻膠在特定條件下可以發(fā)生聚合反應(yīng)形成聚合物。一種光刻膠在受到光線照射時(shí)會(huì)發(fā)生聚合反應(yīng)形成聚合物，而另一種光刻膠在未受到光線照射時(shí)會(huì)發(fā)生聚合反應(yīng)形成聚合物。本發(fā)明的實(shí)施例中均以光刻膠受到光線照射時(shí)會(huì)發(fā)生聚合反應(yīng)形成聚合物為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0061]參照?qǐng)D3所示，在鈍化層30上涂覆第一光刻膠層31。通常涂覆光刻膠的工藝包括靜態(tài)涂膠工藝和動(dòng)態(tài)涂膠工藝。其中，靜態(tài)涂膠工藝為:首先將光刻膠通過(guò)管道堆積在鈍化層的中心，對(duì)計(jì)量由鈍化層的大小和光刻膠的類型確定，然后將堆積的光刻膠鋪展開(kāi)來(lái)，再通過(guò)旋轉(zhuǎn)對(duì)