蓋片3。
[0042]所述玻璃基底2上制作有多模波導(dǎo)1，所述多模波導(dǎo)I間隔設(shè)置。所述多模波導(dǎo)I之間的間距和VCSEL發(fā)光孔之間的間距以及PIN收光孔之間的間距一致。所述玻璃基底2的一端面切割有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)I的一端端部被處理成45度的反射結(jié)構(gòu)，45度的端面可以選擇金屬鍍膜，增加反射。然后將多模波導(dǎo)I的另一端與光纖陣列等耦合，并且粘接固定，形成圖1的結(jié)構(gòu)，光纖陣列的一端與多模光波導(dǎo)耦合，另一端可以選擇帶有光纖連接器，比如MT、MPO頭，支持光學(xué)的插拔耦合，。
[0043]在其它實施方式中，如圖2所示，所述玻璃基底2的兩相對的端面均可被切割成有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)I的兩端部被處理成45度的反射結(jié)構(gòu)。
[0044]所述波導(dǎo)蓋片3蓋設(shè)于所述多模波導(dǎo)I的頂面，以對所述多模波導(dǎo)I進行保護，減少波導(dǎo)的損耗。
[0045]進一步地，所述多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)還包括多模光纖陣列4、用于固定所述多模光纖陣列4的上夾具5和下夾具6。
[0046]本申請通過將具有多模波導(dǎo)I的玻璃基底切割有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)I的端部被處理成45度，由于玻璃基底切割的工藝成熟，因此能夠大規(guī)模生產(chǎn)、易于實現(xiàn)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采用間接耦合不能解決光路90°轉(zhuǎn)向、增加了封裝成本，采用直接耦合時光纖研磨的質(zhì)量和耦合效率很難控制的技術(shù)問題。
[0047]實施例二
[0048]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請還提供一種玻璃基底的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)的制作方法，所述玻璃基底的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)為實施例一種的玻璃基底的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)。如圖2所示，所述制作方法包括以下步驟:
[0049]步驟S110，在所述玻璃基底2上制作所述多模波導(dǎo)1，如圖4和圖5所示。另外，具體可以通過離子交換等方式進行制作，采用離子交換制作而成，使得波導(dǎo)距離上包層的距離很小，減少耦合和波導(dǎo)包層的損耗。所述多模波導(dǎo)I間隔設(shè)置。所述多模波導(dǎo)I之間的間距和VCSEL發(fā)光孔之間的間距以及PIN收光孔之間的間距一致。
[0050]步驟S120，如圖6所示，在制作有所述多模波導(dǎo)I的玻璃基底2上下表面上形成保護層，防止玻璃切割時的崩邊以及減小崩邊。保護層可以選用石蠟或者干膜。在形成保護層前，可對所述玻璃基底2進行清洗。
[0051]步驟S130，進一步地，為了減小崩邊以及保證切割面的粗糙度，需要優(yōu)化了超生切割的參數(shù)。對制作有所述多模波導(dǎo)I的玻璃基底2的一端進行超聲切割，以在所述玻璃基底2的第一端面形成所述45度的傾角，如圖7和圖8所示。采用超生切割的方法，能快速大量的實現(xiàn)45°角粗磨，再經(jīng)過精密的研磨工藝，實現(xiàn)鏡面45°反射。
[0052]步驟S140，對所述玻璃基底2上與第一端面相背的第二端面進行超聲切割，如圖9和圖10所示。第二端面的切割角度可以為45度或其它根據(jù)需求確定的角度，如8度等。
[0053]步驟S150，對所述第一端面和第二端面上的多模波導(dǎo)I的端面進行研磨，并在研磨后的端面，另外，還可以根據(jù)需要，選擇是否鍍反射膜，如圖11所示。
[0054]步驟S160，去除所述玻璃基底2的上下表面上的保護層，并在所述多模波導(dǎo)I的頂面蓋設(shè)所述蓋板3，減少波導(dǎo)的損耗，獲得所述多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)。該耦合結(jié)構(gòu)與VCSEL或者PIN探測器等器件構(gòu)成光傳輸結(jié)構(gòu)。
[0055]本申請通過將多模波導(dǎo)I制作于玻璃基底上，再在玻璃基底切割有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)I的端部被處理成45度，由于玻璃基底切割的工藝成熟，因此能夠大規(guī)模生產(chǎn)、易于實現(xiàn)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采用間接耦合不能解決光路90°轉(zhuǎn)向、增加了封裝成本，采用直接耦合時光纖研磨的質(zhì)量和耦合效率很難控制的技術(shù)問題。
[0056]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0057]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種玻璃基底的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)包括: 玻璃基底，制作有多模波導(dǎo)，所述多模波導(dǎo)間隔設(shè)置，所述玻璃基底的第一端面切割有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)的端部被處理成45度的反射結(jié)構(gòu)； 波導(dǎo)蓋片，蓋設(shè)于所述多模波導(dǎo)的頂面。2.如權(quán)利要求1所述的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多模波導(dǎo)之間的間距和垂直腔面發(fā)射激光器的發(fā)光孔之間的間距或PIN的收光孔之間的間距一致。3.如權(quán)利要求1或2所述的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述玻璃基底上與所述第一端面相背的第二端面也被切割成有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)的兩端部均被處理成45度的反射結(jié)構(gòu)。4.一種玻璃基底的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)的制作方法，用于制作如權(quán)利要求1-3中任一權(quán)利要求中所述的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述方法包括: 在所述玻璃基底上制作所述多模波導(dǎo)； 在制作有所述多模波導(dǎo)的玻璃基底上下表面上形成保護層； 對制作有所述多模波導(dǎo)的玻璃基底的一端進行超聲切割，以在所述玻璃基底的第一端面形成所述45度的傾角； 對所述玻璃基底上與第一端面相背的第二端面進行超聲切割； 對所述第一端面和第二端面上的多模波導(dǎo)的端面進行研磨； 去除所述玻璃基底的上下表面上的保護層，并在所述多模波導(dǎo)的頂面蓋設(shè)所述蓋板，獲得所述多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)。5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述玻璃基底上制作所述多模波導(dǎo)，具體為: 通過離子交換或者沉積蝕刻的方式在所述玻璃基底上制作所述多模波導(dǎo)。6.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述對所述第一端面和第二端面上的多模波導(dǎo)的端面進行研磨之后，所述方法還包括:在研磨后的端面鍍金屬薄膜作為反射Ho
【專利摘要】本發(fā)明公開一種玻璃基底的多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述多模波導(dǎo)陣列耦合結(jié)構(gòu)包括：玻璃基底，制作有多模波導(dǎo)，所述多模波導(dǎo)間隔設(shè)置，所述玻璃基底的第一端面切割有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)的端部被處理成45度的反射結(jié)構(gòu)；波導(dǎo)蓋片，蓋設(shè)于所述多模波導(dǎo)的頂面。本申請通過將具有多模波導(dǎo)的玻璃基底切割有45度的傾角，使得所述多模波導(dǎo)的端部被處理成45度，由于玻璃基底切割以及研磨的工藝成熟，因此能夠大規(guī)模生產(chǎn)、易于實現(xiàn)，解決了采用直接耦合時光纖研磨的質(zhì)量和耦合效率很難控制的技術(shù)問題。
【IPC分類】G02B6/13, G02B6/122
【公開號】CN105158848
【申請?zhí)枴緾N201510530375
【發(fā)明人】劉豐滿, 曹立強, 郝虎
【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所, 華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月26日