像素電極及陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種像素電極及陣列基板。
【背景技術】
[0002]VA型液晶顯示器以其大視野角、高對比度以及無須摩擦配向等優(yōu)勢，成為大尺寸TV用液晶顯示設備的常見顯示模式。VA型液晶顯示器一般采用多疇結構來改善色偏，因此使液晶分子可靠并穩(wěn)定的配向是VA型液晶顯示器能夠正確顯示畫面的基礎。目前，液晶分子的配向主要利用電場與經(jīng)過特殊設計的像素電極之間的相互配合來實現(xiàn)。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術中一種普遍使用的VA型液晶顯示器的像素電極的結構示意圖。如圖所示，該像素電極由十字形的軀干電極以及以一定角度與軀干電極相交的多條分支電極組成。軀干電極位于像素電極的中間位置，主要用于連接各分支電極，且軀干電極的寬度一般大于分支電極的寬度以保證結構的穩(wěn)固。對該像素電極施加一定的灰階電壓后，液晶分子將在電場和像素電極的共同作用下沿各分支電極的方向，從像素電極的外圍向指向像素電極的中心的方向偏轉。由于像素電極上的各分支電極方向不同，因而可以形成不同的顯示疇。
[0004]但具有上述結構的像素電極的液晶顯示器在顯示畫面時會出現(xiàn)暗紋。這是由于位于軀干電極處的液晶分子的偏轉角度與上、下偏光片的偏轉角度相同，因此軀干電極處的穿透率為0，進而在軀干電極周圍區(qū)域出現(xiàn)暗紋，影響液晶顯示器的顯示效果。特別是采用曲面顯示時，由于彎曲造成的上下基板錯位，將導致暗紋變寬，像素單元的穿透率降低，宏觀上表現(xiàn)為液晶顯示屏上的某些區(qū)域出現(xiàn)暗團，畫質(zhì)下降。
[0005]綜上，亟需對像素電極的結構進行改進以減少暗紋的產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術問題之一是對像素電極的結構進行改進以減少暗紋的產(chǎn)生。
[0007]為了解決上述技術問題，本申請的實施例首先提供了一種像素電極，劃分為四個配向區(qū)域，且每個配向區(qū)域包括兩個垂直相交的軀干電極及多個分支電極:軀干電極，分別沿水平方向與垂直方向設置，且沿垂直方向的所述軀干電極位于各配向區(qū)域的獨立的邊緣處；分支電極，從所述軀干電極的垂直相交處呈放射狀延伸；其中，在所述軀干電極的垂直相交處各軀干電極的寬度具有最大值。
[0008]優(yōu)選地，沿水平方向的軀干電極設置于各配向區(qū)域之間的交界處。
[0009]優(yōu)選地，設置于各配向區(qū)域之間的交界處的軀干電極不多于兩個。
[0010]優(yōu)選地，四個配向區(qū)域沿垂直方向排列。
[0011]優(yōu)選地，沿垂直方向的第一個配向區(qū)域與第二個配向區(qū)域的分支電極，以及第三個配向區(qū)域與第四個配向區(qū)域的的分支電極分別呈K形。
[0012]優(yōu)選地，軀干電極的寬度沿所述軀干電極的長度方向逐漸減小。
[0013]優(yōu)選地，分支電極以等間距相互平行設置。
[0014]本申請的實施例還提供了一種陣列基板，排列有多個像素單元，每個像素單元內(nèi)設置有一個像素電極，所述像素電極劃分為四個配向區(qū)域，且每個配向區(qū)域包括兩個垂直相交的軀干電極及多個分支電極:軀干電極，分別沿水平方向與垂直方向設置，且沿垂直方向的所述軀干電極位于各配向區(qū)域的獨立的邊緣處；分支電極，從所述軀干電極的垂直相交處呈放射狀延伸；其中，在所述軀干電極的垂直相交處各軀干電極的寬度具有最大值。
[0015]優(yōu)選地，所述軀干電極的寬度沿所述軀干電極的長度方向逐漸減小。
[0016]優(yōu)選地，當一沿水平方向的軀干電極的兩端分別與沿垂直方向的軀干電極連接時，該沿水平方向的所述軀干電極的寬度在與沿垂直方向的所述軀干電極連接的位置較大，且該沿水平方向的所述軀干電極的寬度分別從兩端向中間處逐漸減小。
[0017]與現(xiàn)有技術相比，上述方案中的一個或多個實施例可以具有如下優(yōu)點或有益效果:
[0018]通過將軀干電極優(yōu)先設置于像素電極的邊緣并適當增大軀干電極在垂直相交處的尺寸，顯著地減少了像素單元內(nèi)部的暗紋區(qū)域的面積，進而提升了像素的穿透率，有利于改善顯示的畫質(zhì)。
[0019]本發(fā)明的其他優(yōu)點、目標，和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領域技術人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實踐中得到教導。本發(fā)明的目標和其他優(yōu)點可以通過下面的說明書，權利要求書，以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0020]附圖用來提供對本申請的技術方案或現(xiàn)有技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分。其中，表達本申請實施例的附圖與本申請的實施例一起用于解釋本申請的技術方案，但并不構成對本申請技術方案的限制。
[0021]圖1為現(xiàn)有技術的VA型液晶顯示器的像素電極的結構示意圖；
[0022]圖2a-圖2d為本申請實施例的像素電極的結構示意圖；
[0023]圖3為本申請實施例的配向區(qū)域的結構示意圖；
[0024]圖4a_圖4b為暗紋的對比示意圖，其中，圖4a為各軀干電極無寬度變化時在像素電極的邊緣處所產(chǎn)生的暗紋的示意圖，圖4b為采用本申請實施例的像素電極時在其邊緣處所產(chǎn)生的暗紋的示意圖。
【具體實施方式】
[0025]以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成相應技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。本申請實施例以及實施例中的各個特征，在不相沖突前提下可以相互結合，所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0026]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如“上”、“下”、“左”、“右”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0027]本申請實施例的像素電極的結構如圖2a?圖2d所示，該像素電極可以進一步劃分為多個配向區(qū)域，配向區(qū)域的結構參見圖3。如圖3所示，配向區(qū)域30呈矩形，在其邊緣處設置有兩個軀干電極301，且兩個軀干電極301垂直相交于矩形配向區(qū)域30的頂角的位置，用于支撐以及連接多個分支電極302。分支電極302從軀干電極301的垂直相交處呈放射狀延伸，且不超過由兩個軀干電極301所界定的矩形區(qū)域?？梢岳斫獾氖牵景l(fā)明并不限于圖2中四個配向區(qū)域垂直排列的情況，還可以是多個配向區(qū)域以常見的其他組合形式進行組合。
[0028]如圖2a所示，在一個像素電極20中沿垂直方向排列有四個上述配向區(qū)域30。其中，各配向區(qū)域30從上至下依次鄰接，即各配向區(qū)域30之間僅具有沿水平方向的鄰接邊界，而不具有沿垂直方向的鄰接邊界，各配向區(qū)域30沿垂直方向的邊緣為其獨立的邊緣。進一步地，當相鄰接的兩個配向區(qū)域30的邊緣處均設置有軀干電極301時，可以合并成一個軀干電極，如圖2a中的軀干電極301a和301b，分別由第一個配向區(qū)域和第二配向區(qū)域，以及第三個配向區(qū)域和第四個配向區(qū)域的相鄰接的軀干電極合并而成。各配向區(qū)域30采用上述排列后，能夠使大部分的軀干電極301位于所組成的像素電極20的外圍邊緣處(即各配向區(qū)域的獨立的邊緣處)，如圖2a中的軀干電極301c、301b、30 Ie及30 If。
[0029]根據(jù)前述分析可知，對于像素電極20，當相對較寬的軀干電極301大部分集中于像素電極20的外圍邊緣處時，由于分布于像素電極20內(nèi)部的軀干電極301減少了，因而可以減少像素電極20內(nèi)透射率為O的區(qū)域的面積，提高像素單元的開口率。當軀干電極301位于像素電極20的外圍邊緣處時，暗紋區(qū)域會向像素電極20的外圍邊緣處的軀干電極301偏移，減少像素電極20內(nèi)部的暗紋的面積，有利于提升液晶顯示器顯示的畫質(zhì)。另外，從圖2a中還可以看出，像素電極20沿垂直方向的尺寸(長度)大于其沿水平方向的尺寸(寬度)，而在本申請實施例中，在像素電極20的內(nèi)部不具有沿垂直方向的軀干電極301，因此能夠更加有效地抑制暗紋。
[0030]此外，還需要注意的是，在圖2a中，由于沿水平方向的軀干電極30Ia和301b位于像素電極20的內(nèi)部，為提高像素單元的開口率，需要使301a和301b的寬度盡可能小，但這并不會影響像素電極20的穩(wěn)固，借助于位于軀干電極301a、301c與301d，以及軀干電極301b、301e與301f在像素電極20的外圍邊緣處的交叉結構，仍然可以使像素電極20形成穩(wěn)固的支撐。
[0031]在本申請的實施例中，多個軀干電極301在其垂直相交處的寬度大于軀干電極其余部分的寬度，即各軀干電極301的寬度在垂直相交處具有最大值，如圖2a中虛線框所圍成的區(qū)域所示。具體的，在軀干電極301a、301c及301d的垂直相交處，各軀干電極的寬度均大于它們各自的除相交處以外的其余部分的寬度。在軀干電極301b、301e及301f的相交處也具有同樣的結構。
[0032]需要注意的是，在其他的實施例中，軀干電極301a和301b的寬度也可以不發(fā)生變化。由于301a和301b位于像素電極20的內(nèi)部區(qū)域，如前所述，為提高像素單元的開口率，軀干電極301a和301b的寬度仍然以減小其尺寸為主要原則，在此基礎上并