柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及微電子版圖數(shù)據(jù)光學(xué)驗(yàn)證領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種柵極區(qū) 域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體制造掩模板出版過程中，OPC (Optical Proximity Correction，光學(xué)臨 近修正）技術(shù)已經(jīng)廣泛的得到應(yīng)用。目前應(yīng)用最為廣泛的OPC方法是基于模型的OPC修正 方法，通過OPC模型的模擬計(jì)算得到微影工藝潛在的成像誤差，從而對(duì)目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)先 修正以補(bǔ)償光學(xué)臨近效應(yīng)造成的圖形失真或變形。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的往前推進(jìn)半導(dǎo)體制造的 特征尺寸不斷縮小，對(duì)微影成像的精度要求也越來越高，這就要求OPC的修正精度必須達(dá) 到工藝的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC驗(yàn)證已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)的一個(gè)步驟，其基本原理 是通過對(duì)掩模板圖形（也即OPC修正后的圖形）進(jìn)行全局模擬并檢查模擬結(jié)果是否符合標(biāo) 準(zhǔn)，以此判斷OPC修正是否合理。
[0003] OPC修正后模擬檢查（即OPC驗(yàn)證）一般可分為兩類，一是模擬OPC修正后版圖并 檢查模擬輪廓的絕對(duì)尺寸，查看模擬結(jié)果是否存在小于規(guī)定尺寸或規(guī)格的圖形點(diǎn)。這種檢 查方法能快速的探測(cè)到OPC修正是否會(huì)造成工藝弱點(diǎn)并且一般很少有錯(cuò)誤誤報(bào)或多報(bào)。但 是，如果原始版圖或者目標(biāo)版圖存在問題，或者軟件存在漏洞導(dǎo)致OPC修正錯(cuò)誤時(shí)（比如圖 形額外增加或消失），有可能會(huì)導(dǎo)致一些錯(cuò)誤漏報(bào)。
[0004] 第二種方法是比較模擬結(jié)果和目標(biāo)版圖尺寸的相對(duì)偏差，當(dāng)模擬尺寸和目標(biāo)尺寸 的偏差（或比例）超過限定值時(shí)即將該圖形點(diǎn)報(bào)錯(cuò)用以檢查。這類方法能夠避免第一類方 法涉及的很多漏報(bào)問題，但是受到一些光刻物理極限的影響等，經(jīng)常存在一些錯(cuò)誤誤報(bào)或 者多報(bào)，當(dāng)錯(cuò)誤誤報(bào)過多時(shí)會(huì)影響檢查的效率。
[0005] 多晶硅層作為影響產(chǎn)品性能最為關(guān)鍵的層次，對(duì)最終硅片上尺寸的精度要求也相 對(duì)較高，尤其對(duì)于柵極（Gate，也稱為閘級(jí)）區(qū)域，CD(關(guān)鍵尺寸）的控制也更為嚴(yán)格，為 了確保OPC的精度達(dá)到要求，除了常規(guī)的OPC驗(yàn)證，比如圖形橋接（bridge)和圖形線變 窄（pinch)等，通常對(duì)柵極進(jìn)行單獨(dú)的OPC驗(yàn)證，確保在柵極區(qū)域的模擬尺寸與目標(biāo)尺寸 一致，對(duì)柵極的OPC驗(yàn)證一般采用檢查相對(duì)偏差的方法，即比較模擬尺寸和目標(biāo)尺寸的偏 差或者檢查模擬尺寸和目標(biāo)尺寸比值，受到圖形拐角圓化效應(yīng)的影響，在柵極OPC驗(yàn)證中 存在較多的誤報(bào)，如圖1所示，從模擬圖形看，在柵極區(qū)域靠近拐角的部分存在圖形圓化現(xiàn) 象，顯然模擬圖形與目標(biāo)圖形偏差較大，在實(shí)際應(yīng)用中，一般從目標(biāo)圖形的拐角開始形成一 定的OPC驗(yàn)證免檢區(qū)域，以避免這類OPC驗(yàn)證誤報(bào)的問題，然而如果在OPC修正弱點(diǎn)如果發(fā) 生在免檢區(qū)域，就會(huì)導(dǎo)致真正的OPC缺陷遺漏，如圖2所示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種柵極區(qū)域 的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方法，能夠根據(jù)柵極圖形區(qū)域拐角圓化距離，把柵極劃分為兩個(gè)OPC 驗(yàn)證區(qū)域，分別采用不同規(guī)格去進(jìn)行OPC驗(yàn)證，即可以避免柵極區(qū)域采用常規(guī)OPC驗(yàn)證方法 可能存在OPC缺陷遺漏的問題，同時(shí)也可以避免誤報(bào)。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證 方法，包括：
[0008] 第一步驟：模擬OPC圖形，并根據(jù)目標(biāo)圖形選擇柵極圖形；
[0009] 第二步驟：將柵極圖形與有源區(qū)圖形重合的邊確定為柵極源區(qū)重合邊；
[0010] 第三步驟：計(jì)算模擬圖形的弧線終點(diǎn)離柵極源區(qū)重合邊的距離，作為柵極區(qū)域拐 角圓化距離；
[0011] 第四步驟：根據(jù)柵極區(qū)域拐角圓化距離，確定柵極圖形OPC驗(yàn)證區(qū)域的第一 OPC驗(yàn) 證區(qū)域；
[0012] 第五步驟：利用第一 OPC驗(yàn)證方法驗(yàn)證第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域，以獲取第一驗(yàn)證結(jié)果；
[0013] 第六步驟：將柵極圖形OPC驗(yàn)證區(qū)域中的除了第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域之外的其它區(qū)域 確定為第二OPC驗(yàn)證區(qū)域；
[0014] 第七步驟：利用第二OPC驗(yàn)證方法驗(yàn)證第二OPC驗(yàn)證區(qū)域，以獲取第二驗(yàn)證結(jié)果。
[0015] 優(yōu)選地，所述柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方法還包括第八步驟：將第一驗(yàn)證結(jié) 果和第二驗(yàn)證結(jié)果合并以輸出最終結(jié)果。
[0016] 優(yōu)選地，第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域1被確定在柵極圖形OPC驗(yàn)證區(qū)域中形成的一條邊與 柵極源區(qū)重合邊重合、且與所述一條邊形成的邊的邊長(zhǎng)為柵極區(qū)域拐角圓化距離的長(zhǎng)度的 矩形區(qū)域。
[0017] 優(yōu)選地，所述第一 OPC驗(yàn)證方法包括：針對(duì)第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域，模擬OPC修正后 版圖并檢查模擬輪廓相對(duì)于目標(biāo)圖形的相對(duì)誤差，查看模擬結(jié)果相對(duì)誤差是否存大于規(guī)定 值。
[0018] 優(yōu)選地，所述第一 OPC驗(yàn)證方法包括：針對(duì)第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域，檢查模擬圖形以確 定目標(biāo)圖形的圖形線邊位置誤差值，當(dāng)模擬圖形與目標(biāo)圖形的圖形線邊位置誤差值在規(guī)格 規(guī)定的范圍內(nèi)時(shí)判斷OPC結(jié)果正常，否則認(rèn)為OPC結(jié)果存在問題并將圖形坐標(biāo)輸出。
[0019] 優(yōu)選地，在第三步驟中，首先計(jì)算目標(biāo)圖形拐角離柵極源區(qū)重合邊的距離，并且隨 后根據(jù)計(jì)算出來的目標(biāo)圖形拐角離柵極源區(qū)重合邊的距離來確定模擬圖形的弧線終點(diǎn)離 柵極源區(qū)重合邊的距離，作為柵極區(qū)域拐角圓化距離。
[0020] 優(yōu)選地，在第三步驟中，設(shè)定目標(biāo)圖形拐角離柵極源區(qū)重合邊的距離與柵極區(qū)域 拐角圓化距離之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，從而根據(jù)計(jì)算出的目標(biāo)圖形拐角離柵極源區(qū)重合邊的距離 來確定柵極區(qū)域拐角圓化距離。
[0021] 優(yōu)選地，第二OPC驗(yàn)證方法包括：針對(duì)第二OPC驗(yàn)證區(qū)域，檢查模擬圖形尺寸與 目標(biāo)圖形尺寸的偏差的絕對(duì)值，當(dāng)模擬尺寸與目標(biāo)尺寸的偏差在規(guī)格規(guī)定的范圍內(nèi)時(shí)判斷 OPC結(jié)果正常，否則認(rèn)為OPC結(jié)果存在問題并將圖形坐標(biāo)輸出。
【附圖說明】
[0022] 結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解 并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：
[0023] 圖1示意性地示出了柵極區(qū)域OPC驗(yàn)證出現(xiàn)誤報(bào)的情況。
[0024] 圖2示意性地示出了 OPC驗(yàn)證免檢區(qū)域出現(xiàn)OPC修正弱點(diǎn)的情況。
[0025] 圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方 法的流程圖。
[0026] 圖4至圖9示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn) 證方法的說明示例。
[0027] 需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可 能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi) 容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029] 在柵極區(qū)域OPC驗(yàn)證中，為了避免誤報(bào)，一般會(huì)形成一定的OPC驗(yàn)證免檢區(qū)域，但 是如果OPC修正弱點(diǎn)恰好發(fā)生在免檢區(qū)域，就會(huì)造成OPC缺陷遺漏。假如把柵極驗(yàn)證區(qū)域 劃分為兩個(gè)，一個(gè)OPC圖形圓化驗(yàn)證區(qū)域（如圖4所示第一區(qū)域10)，一個(gè)常規(guī)OPC驗(yàn)證區(qū) 域（如圖4所示第二區(qū)域20)，分別采用不同規(guī)格去進(jìn)行OPC驗(yàn)證，就可以避免柵極區(qū)域采 用常規(guī)OPC驗(yàn)證方法可能存在OPC缺陷遺漏的問題。
[0030] 圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方 法的流程圖。
[0031] 如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的柵極區(qū)域的光學(xué)臨近修正驗(yàn)證方法包括：
[0032] 第一步驟Sl :模擬OPC圖形，并根據(jù)目標(biāo)圖形選擇柵極圖形；
[0033] 第二步驟S2 :將柵極圖形與有源區(qū)圖形重合的邊確定為柵極源區(qū)重合邊；
[0034] 第三步驟S3 :計(jì)算模擬圖形的弧線終點(diǎn)離柵極源區(qū)重合邊的距離，作為柵極區(qū)域 拐角圓化距離；
[0035] 第四步驟S4:根據(jù)柵極區(qū)域拐角圓化距離，確定柵極圖形OPC驗(yàn)證區(qū)域的第一 OPC 驗(yàn)證區(qū)域1 ;優(yōu)選地，第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域1被確定在柵極圖形OPC驗(yàn)證區(qū)域中形成的一條邊 與柵極源區(qū)重合邊重合、且與所述一條邊形成的邊的邊長(zhǎng)為柵極區(qū)域拐角圓化距離的長(zhǎng)度 的矩形區(qū)域。
[0036] 第五步驟S5 :利用第一 OPC驗(yàn)證方法驗(yàn)證第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域1，以獲取第一驗(yàn)證結(jié) 果；
[0037] 優(yōu)選地，所述第一 OPC驗(yàn)證方法包括：針對(duì)第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域，模擬OPC修正后 版圖并檢查模擬輪廓相對(duì)于目標(biāo)圖形的相對(duì)誤差，查看模擬結(jié)果相對(duì)誤差是否存大于規(guī)定 值。更優(yōu)選地，所述第一 OPC驗(yàn)證方法包括：針對(duì)第一 OPC驗(yàn)證區(qū)域1，檢查模擬圖形以確 定目標(biāo)圖形的EPE (圖形線邊位置誤差）值，當(dāng)模擬圖形與目標(biāo)圖形的EPE值在規(guī)格規(guī)定的 范圍內(nèi)