顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板，且特別是有關(guān)于一種具有特殊畫素結(jié)構(gòu)的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示器中，液晶顯示器(IXD)已被廣泛地使用。液晶顯示器具有由基板構(gòu)成的兩個顯示面板。在液晶顯示器中，其基板上形成有諸如畫素電極和共電極的場發(fā)生電極，而液晶層則配置于這兩個顯示面板之間。在液晶顯示器中，透過將電壓施加到場發(fā)生電極而在液晶層上產(chǎn)生電場，且藉由產(chǎn)生的電場來確定液晶層的液晶分子的取向和入射光的偏振，從而顯示圖案。
[0003]在這些IXD中，又以具有高對比度與寬基準視角的豎直取向(verticalAlignment，VA)模式IXD更為備受關(guān)注。具體而言，豎直取向模式IXD在未施加電場的狀態(tài)下，其液晶分子的主軸(長軸)垂直于顯示面板的取向。特別地，在豎直取向(VA)模式LCD中，可以透過在一個畫素電極上僅形成切口(例如微縫隙)的方式，在一個畫素電極中形成包括不同取向方向的液晶分子的多個區(qū)域，進而形成寬基準視角。然而，在利用切口于畫素電極中形成微小縫隙來形成多個分支電極的上述方式中，由于切口場發(fā)生電極中的液晶分子有輕微的扭轉(zhuǎn)或傾斜不穩(wěn)定的現(xiàn)象，故相對地減少了液晶顯示器的液晶效率，進而導致透射率劣化。此外，上述方式更可能因液晶分子傾斜不穩(wěn)定而產(chǎn)生暗態(tài)漏光現(xiàn)象。必需說明的是，畫素電極中僅有多個分支電極，故畫素電極不具有其他圖案或形態(tài)的設(shè)計，此夕卜，畫素電極與晶體管之間所隔絕的保護層也僅有讓畫素電極與晶體管連通的接觸洞，而不具有其他圖案或形態(tài)的設(shè)計。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種顯示面板可具有良好的穿透率，且其所具有的畫素結(jié)構(gòu)可提高液晶倒向的穩(wěn)定性并改善對比值的現(xiàn)象。
[0005]本發(fā)明的顯示面板包括第一基板、多個畫素結(jié)構(gòu)、第二基板、對向電極、顯示介質(zhì)以及至少一偏光片。每一畫素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、主動元件、畫素電極以及保護層。掃描線與數(shù)據(jù)線位于第一基板上。主動元件位于第一基板上，且包括柵極、源極以及漏極，其中主動元件的柵極與掃描線電性連結(jié)且主動元件的源極與數(shù)據(jù)線電性連接。畫素電極位于第一基板上且與主動元件的漏極電性連接，其中畫素電極具有至少一塊狀電極。保護層位于第一基板上且位于畫素電極的下方，其中保護層包括一凹陷骨干部以及多個凹陷分支部。凹陷骨干部的寬度為大于O微米(μ m)且小于或等于4微米(μ m)。凹陷分支部沿著至少四個方向延伸，其中畫素電極順應(yīng)性地覆蓋凹陷骨干部以及凹陷分支部。第二基板位于第一基板的對向側(cè)。對向電極位于第二基板上。顯示介質(zhì)位于對向電極以及畫素電極之間。至少一偏光片位于第一基板以及第二基板至少其中之一，其中偏光片的吸收軸方向與保護層的凹陷分支部的所述四個延伸方向不相同。
[0006]基于上述，在本發(fā)明的顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)中，保護層具有凹陷骨干部與多個凹陷分支部，且畫素電極具有至少一塊狀電極順應(yīng)性地覆蓋凹陷骨干部以及凹陷分支部之上。藉由上述設(shè)置，除了可確保顯示面板具有良好的穿透率(transmiss1n)以及液晶反應(yīng)速率(response time)外，藉由本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)具有所需的高低起伏的結(jié)構(gòu)，從而避免液晶倒向不穩(wěn)定的現(xiàn)象，改善對比值(contract rat1)以及暗態(tài)漏光的現(xiàn)象，以呈現(xiàn)出良好的顯示效果。
[0007]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
【附圖說明】
[0008]圖1為依照本發(fā)明的一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0009]圖2為依照本發(fā)明的一實施例的畫素陣列層的俯視示意圖。
[0010]圖3為依照本發(fā)明的一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0011]圖4為圖3中沿著切線A-A’的剖面示意圖。
[0012]圖5為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0013]圖6為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0014]圖7為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0015]圖8為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0016]圖9為圖8中沿著切線A-A’的剖面示意圖。
[0017]圖10為依照本發(fā)明另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0018]圖11為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0019]圖12為圖11中沿著切線A-A’的剖面示意圖。
[0020]圖13為依照本發(fā)明另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0021]圖14為依照本發(fā)明另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0022]圖15為依照本發(fā)明另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0023]圖16為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0024]圖17為圖16中沿著切線A-A’的剖面示意圖。
[0025]圖18為圖16中位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0026]圖19為圖16中畫素電極的俯視示意圖。
[0027]圖20為依照本發(fā)明的另一實施例的畫素結(jié)構(gòu)中的畫素電極以及位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0028]圖21為圖20中位于畫素電極下方的保護層的俯視示意圖。
[0029]圖22為圖20中畫素電極的俯視示意圖。
[0030]圖23A為傳統(tǒng)顯示面板的液晶倒向分布圖。
[0031]圖23B至圖23M分別為圖3、圖5至圖8、圖10至圖11、圖13至圖16以及圖20的實施例的顯示面板的液晶倒向分布圖。
[0032]其中，附圖標記
[0033]10:第一基板
[0034]12:畫素陣列層
[0035]20:第二基板
[0036]22:對向電極
[0037]30:顯示介質(zhì)
[0038]40:偏光片
[0039]100:畫素結(jié)構(gòu)
[0040]120、120，、120”、PE:畫素電極
[0041]122:凹陷骨干電極圖案
[0042]124:凸起骨干電極圖案
[0043]125:塊狀電極
[0044]126:凹陷分支電極圖案
[0045]127:外側(cè)分支電極
[0046]128:凸起分支電極圖案
[0047]129:電極狹縫圖案
[0048]140、140，:保護層
[0049]142:凹陷骨干部
[0050]142a:第一水平凹陷骨干部
[0051]142b:第二水平凹陷骨干部
[0052]142c、142c’:第一垂直凹陷骨干部
[0053]142d、142d’:第二垂直凹陷骨干部
[0054]1420、1420’、1420”:中央凹陷骨干部
[0055]144:凸起骨干部
[0056]1440:中央凸起骨干部
[0057]146:凹陷分支部
[0058]148:凸起分支部
[0059]1000:顯示面板
[0060]AA’:切線
[0061]d:深度
[0062]D:漏極
[0063]DL:數(shù)據(jù)線
[0064]G:柵極
[0065]S:源極
[0066]SL:掃描線
[0067]T:主動元件
[0068]W、W1、W2:寬度
【具體實施方式】
[0069]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明技術(shù)方案進行詳細的描述，以更進一步了解本發(fā)明的目的、方案及功效，但并非作為本發(fā)明所附權(quán)利要求保護范圍的限制。
[0070]圖1為依照本發(fā)明的一實施例的顯示面板1000的剖面示意圖。請參照圖1，本發(fā)明的顯示面板1000具有第一基板10、畫素陣列層12、顯示介質(zhì)30、對向電極22、第二基板20以及至少一偏光片40。在本發(fā)明中，顯示面板1000為液晶顯示面板。
[0071]第一基板10的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或其類似材質(zhì)。第一基板10上包括設(shè)置有畫素陣列層12。畫素陣列層12包括多個畫素結(jié)構(gòu)，詳細的畫素陣列層12的結(jié)構(gòu)將于后續(xù)段落說明。
[0072]第二基板20位于第一基板10的對向。第二基板20的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物或其類似材質(zhì)。第二基板20面對第一基板10的一側(cè)具有對向電極22。對向電極22的材質(zhì)包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、石墨烯、奈米炭管、或其他合適的材料、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0073]顯示介質(zhì)30位于第一基板10與第二基板20之間。顯示介質(zhì)30其可包括液晶分子、電泳顯示介質(zhì)、或是其它可適用的介質(zhì)。在本發(fā)明下列實施例中的顯示介質(zhì)30是以液晶分子當作范例，但不限于此。
[0074]至少一偏光片40位于第二基板20的外表面上。圖1中所示的顯示面板1000為本發(fā)明的示范性實施例，為清楚起見，僅以一片偏光片40為例，然本發(fā)明不限于此。在其它實施例中，本發(fā)明的顯示面板亦可使用兩片或多于兩片以上的偏光片，且這些偏光片例如是外貼式偏光片或是內(nèi)置式偏光片，可配置于第一基板10的外表面或內(nèi)表面之上或是/以及配至于第二基板的內(nèi)表面或外表面之上。本發(fā)明不特別限定偏光片的配置位置。
[0075]圖2為依照本發(fā)明的一實施例的畫素陣列層的俯視示意圖。請同時參照圖1與圖2，畫素陣列層12位于第一基板10上，且畫素陣列層12上方覆蓋有顯示介質(zhì)30。畫素陣列層12由多個畫素結(jié)構(gòu)100構(gòu)成。畫素結(jié)構(gòu)100的設(shè)計將參照圖2于下文中詳細地描述。為了清楚地說明本實施例，圖2僅繪示出畫素陣列層12中的3X3個畫素結(jié)構(gòu)100的陣列，然本發(fā)明所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可以理解，圖1的畫素陣列層12實際上是由多個畫素結(jié)構(gòu)100排成的陣列所構(gòu)成。
[0076]如圖2所示，畫素結(jié)構(gòu)100包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL、主動元件T以及畫素電極
PE0
[0077]掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL配置于第一基板10之上。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，常見的是掃描線SL的延伸方向與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向垂直，但本發(fā)明不限于此。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL是位于不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動此畫素結(jié)構(gòu)100的驅(qū)動信號，其例如是掃描信號與數(shù)據(jù)信號。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL —般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、石墨烯、奈米炭管、其他合適的導電材料或是上述至少二者材料的堆疊層。
[0078]主動元件T對應(yīng)地與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。在此，主動元件T例如是薄膜晶體管