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      液晶顯示裝置及其元件基板的制作方法

      文檔序號(hào):9505549閱讀:184來源:國知局
      液晶顯示裝置及其元件基板的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置,特別是涉及一種具有接觸孔的液晶顯示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 在液晶顯示裝置之中,接觸孔常用于導(dǎo)通像素電極以及源極電極。然而,參照?qǐng)D1, 液晶分子2會(huì)隨著接觸孔1的輪廓排列,由于接觸孔1設(shè)計(jì)的剖面形狀往往為上寬下窄的 弧形結(jié)構(gòu),因此隨著接觸孔1輪廓排列的液晶分子2容易造成漏光現(xiàn)象,而使得液晶顯示裝 置的對(duì)比度降低。
      [0003] 參照?qǐng)D1,在現(xiàn)有技術(shù)中,通過增加接觸孔1底部的源極電極3的面積,可以將產(chǎn)生 問題的液晶分子2遮蔽,從而提升液晶顯示裝置的對(duì)比度。然而,此方式會(huì)降低液晶顯示裝 置的開口率,從而損失液晶顯示裝置的亮度。因此一昧的增大源極電極3的面積,并非良好 的問題解決方案。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題而提供的一種元件基板,包括一基板、一金屬層 以及一平坦層。金屬層位于該基板上,其中該金屬層沿一第一方向具有一第一寬度。平坦 層位于該金屬層上,其中該平坦層具有一接觸孔,該接觸孔具有一連續(xù)壁面以及一底面,該 底面暴露該金屬層,其中該底面沿該第一方向具有一第二寬度。其中,該第一寬度與第二寬 度需滿足以下的公式:
      其中,Ll為該第二金屬層沿該第一方向的該第一寬度,L2為該接觸孔的底面沿該第一方向 的該第二寬度,h為該平坦層的厚度,Θ為連續(xù)壁面的一預(yù)設(shè)參考點(diǎn)與一基點(diǎn)之間的一直 線與水平面的夾角,其中,該預(yù)設(shè)參考點(diǎn)為該連續(xù)壁面上距離該底面〇.95h的位置,該基點(diǎn) 為該連續(xù)壁面與該底面的交界位置。
      [0005] 本發(fā)明還提供一種元件基板,包括一基板、一金屬層以及一平坦層。金屬層位于該 基板上,其中該金屬層沿一第一方向具有一第一邊緣。平坦層位于該金屬層上,其中該平坦 層具有一接觸孔,該接觸孔具有一連續(xù)壁面以及一底面,該底面暴露該金屬層,連續(xù)壁面在 一垂直截面上的一輪廓線為曲線,該第一邊緣在一垂直方向上對(duì)應(yīng)該輪廓線的一臨界點(diǎn), 該輪廓線于該臨界點(diǎn)上的切線斜率小于〇. 176。其中,該金屬層沿一第一方向具有一第一寬 度,其中該底面沿該第一方向具有一第二寬度,其中,該第一寬度與第二寬度需滿足以下的 公式:
      [0007] 其中,Ll為該第二金屬層沿該第一方向的該第一寬度,L2為該接觸孔的底面沿該 第一方向的該第二寬度,(l-p)h為該臨界點(diǎn)于該垂直方向上的高度,p = 0. 1。
      [0008] 應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例,液晶顯示裝置的開口率與透光率(暗態(tài)對(duì)比)可達(dá)到最佳 化的狀態(tài),避免了漏光以及對(duì)比度降低等問題的產(chǎn)生。
      【附圖說明】
      [0009] 圖1為現(xiàn)有液晶顯不裝置的兀件基板的不意圖;
      [0010] 圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的兀件基板的TK意圖;
      [0011] 圖3A為本發(fā)明實(shí)施例的兀件基板應(yīng)用于一液晶顯TK裝置的TK意圖;圖3B為圖3A 中的3B部分的細(xì)部元件的示意圖;
      [0012] 圖4為本發(fā)明一變形例的元件基板的示意圖;
      [0013] 圖5為應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯TK裝置的TK意圖;
      [0014] 圖6為本發(fā)明的接觸孔的預(yù)設(shè)值與實(shí)際值比對(duì)表。
      [0015] 符號(hào)說明
      [0016] 1~接觸孔
      [0017] 2~液晶分子
      [0018] 3~源極電極
      [0019] 100~元件基板
      [0020] 110~基板
      [0021] 120~金屬層
      [0022] 121~第一邊緣
      [0023] 130~平坦層
      [0024] 131、131'、131" ~接觸孔
      [0025] 132~連續(xù)壁面
      [0026] 133~底面
      [0027] 134~預(yù)設(shè)參考點(diǎn)
      [0028] 135~基點(diǎn)
      [0029] 136~臨界點(diǎn)
      [0030] 137~半導(dǎo)體層
      [0031] 140~導(dǎo)電層
      [0032] 150~液晶層
      [0033] 200~液晶顯示裝置
      [0034] 201~掃描線
      [0035] 202~信號(hào)線
      [0036] 203~半導(dǎo)體層
      [0037] 204~漏極電極
      [0038] 205~對(duì)向電極
      [0039] 210~薄膜晶體管
      [0040] 222~柵絕緣層
      [0041] 231~接觸孔
      [0042] 233~接觸孔的底面
      [0043] 240~源極電極
      [0044] 250~液晶層
      [0045] 260~對(duì)向基板
      [0046] Ll~第一寬度
      [0047] L2~第二寬度
      [0048] h~厚度
      [0049] Θ~夾角
      [0050] β~夾角
      [0051] A~顯示區(qū)
      [0052] B~非顯示區(qū)
      [0053] L~直線
      [0054] L'~切線
      【具體實(shí)施方式】
      [0055] 參照?qǐng)D2,其顯不本發(fā)明一實(shí)施例的兀件基板100,包括一基板110、一金屬層120 以及一平坦層130。金屬層120位于該基板110上,其中該金屬層120沿一第一方向X具有 一第一寬度Ll。平坦層130位于該金屬層120上,其中該平坦層130具有一接觸孔131,該 接觸孔131具有一連續(xù)壁面132以及一底面133,該底面133暴露該金屬層120,其中該底 面133沿該第一方向X具有一第二寬度L2。
      [0056] 申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn),液晶分子是沿連續(xù)壁面132排列,穿透率(暗態(tài)對(duì)比)隨連續(xù)壁面 132的斜率漸變而改變。當(dāng)連續(xù)壁面132的切線斜率約等于tanl0°時(shí),此處的液晶分子將 不會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的漏光情形,因此不會(huì)降低液晶顯示裝置的對(duì)比度。就設(shè)計(jì)上的角度來看,金 屬層120對(duì)接觸孔131的遮蔽,僅僅需要達(dá)到在臨界點(diǎn)136的位置,相當(dāng)于連續(xù)壁面132的 切線斜率約等于tanl0°的位置,液晶顯示裝置的開口率與透光率(暗態(tài)對(duì)比)即達(dá)到最佳 化的狀態(tài),以符合市場(chǎng)需求。
      [0057] 再參照?qǐng)D2,申請(qǐng)人通過曲線公式的推導(dǎo)得知,當(dāng)該第一寬度與第二寬度需滿足以 下的公式時(shí),液晶顯示裝置的開口率與透光率可達(dá)到最佳化的狀態(tài):
      [0059] 其中,Ll為該金屬層120沿該第一方向X的該第一寬度,L2為該接觸孔131的底 面沿該第一方向X的該第二寬度,h為該平坦層130的厚度,Θ為連續(xù)壁面132的一預(yù)設(shè)參 考點(diǎn)134與一基點(diǎn)135之間的一直線L與水平面的夾角,其中,該預(yù)設(shè)參考點(diǎn)134為該連續(xù) 壁面132上距離該底面0. 95h的位置,該基點(diǎn)135為該連續(xù)壁面132與該底面133的交界 位置。其中,±1.8為制作工藝中公差容許值。依照上述各參數(shù)的調(diào)整,連續(xù)壁面132的曲 率以及形狀可適度變化。
      [0060] 參照?qǐng)D2,曲線公式的推導(dǎo)過程如下:
      [0061] 第一步,曲線公式擬合(假設(shè)),假設(shè)該接觸孔離連續(xù)壁面的斜面方程式滿足下列 公式
      [0062] y = f (X) = -A,exp (_x).....(I)
      [0063] 由方程式(I)中,僅是定義出該接觸孔離連續(xù)壁面的漸進(jìn)線,因此方程式(I)需對(duì) X以及y進(jìn)行校正
      [0064] 第二步,曲線公式擬合(對(duì)通過預(yù)設(shè)參考點(diǎn)134、基點(diǎn)135以及角度Θ校正),假 設(shè)斜坡上的預(yù)設(shè)參考點(diǎn)134為距離平坦層頂部的深度總深度h的p倍,且滿足f (R')關(guān)系 式,其中,該預(yù)設(shè)參考點(diǎn)134距離基點(diǎn)135的水平距離為R',則
      [0066] 得到校正參數(shù)α
      [0067] 第三步,預(yù)設(shè)參考點(diǎn)134與基點(diǎn)135的連線形成一直線L,該直線L與相對(duì)于水平 線的夾角為Θ
      [0069] 引入材料特征Θ
      [0070] 第四步,距離平坦層頂部的深度總深度h的0.05倍,公式(2)與公式(3)聯(lián)立可 得
      [0072] 得到校正參數(shù)α
      [0073] 第五步,因決定平坦層130曲線的角度應(yīng)為基點(diǎn)135的切線L'與相對(duì)于水平線的 夾角β,而夾角β約略等于1.5 Θ,因此需對(duì)再曲線公式校正(對(duì)角度校正),則可得
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