層間絕緣膜76的膜厚薄的部分，不能夠埋住元件基板30上存在的異物等的特別的凸部，擔心該異物露出表面。
[0071]因此，在本實施方式涉及的電泳顯示裝置100中，通過調(diào)節(jié)凹凸結(jié)構(gòu)80與形成在元件基板30的凸結(jié)構(gòu)的平面位置關(guān)系，從而確保第二層間絕緣膜(被覆膜)76的膜厚。由此，相對于電泳元件32能夠施加所希望的電壓，可以防止顯示不良等的錯誤。此外，可以準確埋著存在于元件基板30的異物等的特別的凸部。
[0072]如圖5的(b)所示，凹凸結(jié)構(gòu)80的凸部82的上表面82a為平坦面。此外，在圖5的(b)中省略像素電極35的圖示。在本實施方式中，上表面82a的平坦面，如圖5的(a)所示，形成為比像素電極35小。具體而言，上表面82a的平坦面的平面的面積(俯視觀察時的面積)可以為20 μπι2以上。此外，相對于凹部81，期望的是凹凸結(jié)構(gòu)80的凸部82的高度Η設(shè)置為1.0 μ m以上，在本實施方式中，大約設(shè)置為1.5 μ m時，通過防止氣泡的進入，則能夠得到良好的密合性。凹部81形成以使與顯示部5的外部連通。
[0073]此外，在本實施方式中，通過粘結(jié)層50粘合于元件基板30的電泳片51的尺寸比凹凸結(jié)構(gòu)80的形成區(qū)域(第二層間絕緣膜76)的尺寸大。因此，粘結(jié)層50為覆蓋第二層間絕緣膜76的一側(cè)端面的狀態(tài)。此外，密封材以與粘結(jié)層50連接的方式密封顯示部5以及周邊電路部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于凹凸結(jié)構(gòu)80 (第二層間絕緣膜76)的外緣部被粘結(jié)層50以及密封材覆蓋，所以防止第二層間絕緣膜76的內(nèi)部的水分進入從而能夠得到高的密合性。
[0074]此外，在凹凸結(jié)構(gòu)80優(yōu)選將凹部81以及凸部82的面積比例設(shè)置為10%?90%。
[0075]然后，對凹凸結(jié)構(gòu)80的平面結(jié)構(gòu)進行說明。圖6的(a)、圖6的(b)、圖6的(c)是示出凹凸結(jié)構(gòu)80的平面結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。
[0076]凹凸結(jié)構(gòu)80的凸部82的上表面82a的平坦面形狀可以為如圖6的(a)所示的六邊形，且可以為如圖6的(b)所示的圓形，且可以為如圖6的(c)所示的矩形(正方形)。此外，不限于這些形狀，凸部的上表面可以為平坦面。
[0077]然后，說明電泳顯示裝置100的制造方法，并在上述凹凸結(jié)構(gòu)80對作用效果進行說明。圖7的(a)、圖7的(b)、圖7的(c)是示出電泳顯示裝置100的制造工序的一個例子的圖。此外，在圖7中，簡單化元件基板30的結(jié)構(gòu)，并省略像素電極35的圖示。此外，在圖7中，簡單化相對基板31的結(jié)構(gòu)，并省略相對電極37的圖示。
[0078]首先，形成包括像素電極35、選擇晶體管41或各種電路的元件基板30。在元件基板30的形成工序中，包括形成上述凹凸結(jié)構(gòu)80的步驟。凹凸結(jié)構(gòu)80例如，通過光刻法形成第二層間絕緣膜76時，通過調(diào)節(jié)曝光量等而形成。
[0079]然后，粘結(jié)層50的表面準備粘合了保護用的隔離片的狀態(tài)的電泳片51。并且，如圖7的(a)所示，使剝下隔離片的電泳片51與元件基板30粘合。電泳片51以及元件基板30的粘合通過在規(guī)定的溫度加熱狀態(tài)下相互按壓而進行。
[0080]在此，粘合電泳片51時，粘結(jié)層50以及元件基板30之間產(chǎn)生空氣(氣泡)。一旦電泳片51粘合在元件基板30從而粘結(jié)層50與凹凸結(jié)構(gòu)80的凸部82相接觸，從粘結(jié)層50以及凸部82之間押出的氣泡90向如圖7的(b)所示的凹部81流入。
[0081]并且通過按壓電泳片51粘結(jié)層50進入凹部81內(nèi)。在本實施方式中，由于凹部81形成以使與顯示部5的外部連通，所以流入凹部81的氣泡90準確的排出至外部區(qū)域。最終，如圖7的(c)所示，電泳元件32與元件基板30經(jīng)由粘結(jié)層粘合，從而制造粘合元件基板30與相對基板31的電泳顯示裝置100。
[0082]根據(jù)本實施方式，將相對元件基板30粘合電泳片51時生成的氣泡90通過上表面82a的凸部82良好地向凹部81內(nèi)押出從而能夠良好地向外部排出。因此，由于防止粘結(jié)層50內(nèi)的氣泡90的進入，所以防止由于氣泡90的進入為起因的密合性的降低。
[0083]此外，由于凸部82的上表面82a為平坦面，所以通過良好地密合粘結(jié)層50與凸部82從而得到高的密合性，更加提高粘結(jié)層50以及凹凸結(jié)構(gòu)80的密合性，并經(jīng)由粘結(jié)層50將電泳片51良好地粘合在元件基板30。
[0084]此外，在本實施方式中，由于充分確保上表面82a的面積為20 μπι2以上，所以能夠提高粘結(jié)層50以及凹凸結(jié)構(gòu)80的密合性。此外，相對于凹部81，由于凸部82的高度Η、即凹部81的深度為1.0 μπι以上(例如，大約1.5 μπι左右)，所以通過確保足夠深度從而能夠?qū)馀?0準確排除外部。
[0085]此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限定于上述實施方式，可以不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)增加各種變形。
[0086]例如，在上述實施方式中，作為顯示裝置的一個例子，將元件基板30與電泳片51通過粘結(jié)層50粘合的電泳顯示裝置100為例子舉出，但不限定于本發(fā)明。S卩，經(jīng)由粘結(jié)層被粘合的顯示片包括液晶層或有機電致發(fā)光元件，例如，液晶顯示裝置或有機電致發(fā)光裝置可以適用于本發(fā)明。
【主權(quán)項】
1.一種顯示裝置，其特征在于，包括: 電路基板，其包括形成了像素電極的像素電路； 顯示片，其粘合于所述電路基板；以及， 相對電極，其設(shè)置在所述顯示片的與粘合了所述電路基板的表面相對的表面上，所述電路基板的粘合了所述顯示片的一側(cè)的表面是具有多個上表面平坦的凸部的凹凸結(jié)構(gòu)， 多個所述凸部中的一些凸部的所述上表面是所述像素電極，多個所述凸部與所述顯示片通過粘結(jié)層粘合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述凸部的所述上表面的面積是20 μπι2以上。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述凹凸結(jié)構(gòu)的所述凸部的高度是1.0 μπι以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的顯示裝置，其特征在于， 所述顯示片是電泳片。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于， 所述相對電極形成于相對基板， 所述相對基板的所述相對電極的一側(cè)粘合于所述顯示片。6.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在電路基板上形成像素電路的工序； 在所述像素電路上形成具有凸部的絕緣膜的工序； 在包括所述凸部的區(qū)域形成像素電極的工序；以及 在所述凸部上經(jīng)由粘結(jié)層粘合顯示片的工序， 所述凸部的上表面是平坦的， 所述絕緣膜是具有多個所述凸部的凹凸結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述凸部的所述上表面的面積是20 μπι2以上。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述凹凸結(jié)構(gòu)的所述凸部的高度是1.0 μπι以上。9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 使用電泳片作為所述顯示片。10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，還包括將具有相對電極的相對基板以所述相對電極的一側(cè)成為所述顯示片的一側(cè)的方式粘合于所述顯示片的工序。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示裝置及顯示裝置的制造方法，可以通過防止進入氣泡從而得到良好地密合性。本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，在包括形成了像素電極的像素電路的電路基板、包括在與像素電極之間可以施加電壓的相對電極的顯示片經(jīng)由粘結(jié)層而粘合的顯示裝置中，電路基板具有由粘結(jié)層所粘合的表面包括凹部以及凸部的凹凸結(jié)構(gòu)，凹凸結(jié)構(gòu)的凸部的上表面為平坦面。
【IPC分類】G02F1/167, G02F1/1333, G02F1/1343, G02F1/133
【公開號】CN105278201
【申請?zhí)枴緾N201510335089
【發(fā)明人】宮田崇
【申請人】精工愛普生株式會社
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年6月16日
【公告號】US20150370142