于步驟S3之前增加一個(gè)表面處理的步驟。
[0039]固化遮光層12,且遮光層12為單一層體(步驟S4)。遮光層12形成于可撓性基板11上并作為遮光之用。在本實(shí)施例中不特別限制遮光層12的方面。且，依據(jù)不同的遮光材料，遮光層12可為碳黑光阻、紅光阻或綠光阻所構(gòu)成。
[0040]由圖2D中可知遮光材料涂布于微結(jié)構(gòu)11a時(shí)，會因?yàn)槲⒔Y(jié)構(gòu)11a邊緣的表面張力作用呈現(xiàn)略為凹陷。且本實(shí)施例可通過調(diào)整遮光材料的份量或旋轉(zhuǎn)涂布的速度，使得遮光材料僅充填于微結(jié)構(gòu)11a處，換言之，可使遮光層12與微結(jié)構(gòu)11a直接形成圖案化遮光層。
[0041]補(bǔ)充說明的是，若為旋轉(zhuǎn)涂布，旋轉(zhuǎn)涂布的速度將會依據(jù)遮光材料的流動(dòng)性、可撓性基板11的表面粗糙度以及所述微結(jié)構(gòu)的分布情況或構(gòu)造而有所調(diào)整。
[0042]另外，微結(jié)構(gòu)11a的形狀以及深度的設(shè)計(jì)將會取決于于遮光材料本身的穿透率而有所調(diào)整，以碳黑光阻劑為遮光材料為例，碳黑光阻劑對于紫外光的光學(xué)密度(OpticalDensity, 0.D.)約為3/ μ m，意即每1 μ m厚度的碳黑光阻層對于紫外光穿透率約為0.001。換言之，微結(jié)構(gòu)11a的深度(碳黑光阻層厚度)會影響紫外光穿透率，較淺的微結(jié)構(gòu)11a具有較高的光穿透率，較深的微結(jié)構(gòu)11a則具有較低的光穿透率。
[0043]雖本實(shí)施例的微結(jié)構(gòu)11a設(shè)計(jì)為矩形的方面，但亦可有其它實(shí)施方面，例如梯形、楔形或是金字塔形狀的外觀，使得充填于各微結(jié)構(gòu)11a的遮光材料的厚度并非一致，故可形成具有多種不同穿透率的遮光層。
[0044]依據(jù)上述步驟，本實(shí)施例的其一實(shí)驗(yàn)例采用以下控制條件形成光罩。首先，于基板通以15瓦特的氧電漿兩分鐘，增加基板表面的親水性。接著，再以4000rpm的速度旋轉(zhuǎn)涂布遮光材料，遮光材料以碳黑光阻劑EK520為例。碳黑光阻劑EK520約莫包含22.5重量百分比的碳黑粒子。接著，再以攝氏70°C烘烤碳黑光阻劑EK520兩分鐘，即可形成如圖2D所示的光罩結(jié)構(gòu)。
[0045]接著，圖2E及圖2G，即為應(yīng)用沿前述光罩結(jié)構(gòu)于半導(dǎo)體工藝的示意圖。將本實(shí)施例的光罩貼覆于半導(dǎo)體基板20上的光阻層21上，并通過曝光顯影后，移除光罩，可形成如圖2F、圖2G的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0046]接著，請一并參考圖1、圖3至圖4C，圖3為圖1的光罩制作的步驟S5的詳細(xì)流程圖。圖4A?4C為本發(fā)明較佳實(shí)施例的光罩又一制作示意圖。
[0047]本實(shí)施例的光罩制作過程還包含「固化遮光層12后移除部分遮光層12，以形成圖案化遮光層(步驟S5)」的步驟。亦即除了使遮光層12與微結(jié)構(gòu)11a直接形成圖案化遮光層的作法以外，亦可額外的增加一個(gè)移除步驟，形成相似的遮光層12結(jié)構(gòu)。
[0048]于基板11上旋轉(zhuǎn)涂布(Spin Coating)遮光材料,使可撓性基板11上形成遮光層12(步驟S3)可形成如圖4A的情況，亦即，遮光材料除了充填于微結(jié)構(gòu)11a處以外，亦涂布于微結(jié)構(gòu)11a之間的可撓性基板11的表面。此時(shí)則須通過移除部分遮光層，以形成圖案化遮光層(步驟S5)。
[0049]詳細(xì)而言，步驟S5還包括:提供熱塑性高分子板材13貼附于遮光層上(步驟S51)。熱塑性高分子板材13可為軟性模材，例如可為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、硬式聚氯乙烯(Rigid PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰胺(PA)、或聚乳酸(PLA)、或其它具有黏附特性的合適膜材所構(gòu)成。于此以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)作為熱塑性高分子板材13為例。選用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的原因?yàn)槠渚哂休^低的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)移溫度(約攝氏70度)，以及其具有較佳的表面附著力。但不以選用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)為限制。
[0050]接著，使熱塑性高分子板材13與遮光層12接合(步驟S52)。通過施以適當(dāng)壓力及溫度，例如本實(shí)施例可有一實(shí)驗(yàn)例的操作條件為提供一分鐘的0.2MPa、攝氏80°C的壓力及溫度施加于厚度為17 μ m的熱塑性高分子板材13，使熱塑性高分子板材13表面發(fā)生融熔并與涂布于基板11的表面的遮光層12黏接。
[0051]接著，移除熱塑性高分子板材13，使部分遮光層12隨同熱塑性高分子板材移除(步驟S53)。藉此，可將涂布于可撓性基板11的表面的遮光層12移除，使得遮光材料僅充填于微結(jié)構(gòu)11a處。
[0052]請一并參考圖5A至圖6B，圖5A?5B為本發(fā)明較佳實(shí)施例的光罩制作過程中旋轉(zhuǎn)涂布旋轉(zhuǎn)碳黑光阻劑于具有圓洞結(jié)構(gòu)的光罩的觀測圖及局部放大圖。圖6A?6B為圖5A?5B移除部分碳黑光阻劑后的光罩觀測圖及局部放大圖。
[0053]由圖5A中可知碳黑光阻劑旋轉(zhuǎn)涂布于可撓性基板時(shí)，將會充填于微結(jié)構(gòu)內(nèi)，且因微結(jié)構(gòu)邊緣所形成的表面張力作用而呈現(xiàn)略為凹陷。圖6A?圖6B則為利用熱塑性高分子材料板材移除部分碳黑光阻劑后的光罩觀測圖。將涂布于可撓性基板的表面的遮光層大部分將會被移除，使得遮光材料僅充填于微結(jié)構(gòu)處，并形成光罩。
[0054]綜上所述，本發(fā)明通過于可撓性基板上形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)，并以涂布的方式將遮光材料形成于可撓性基板，此種制作方式相較習(xí)知的采用金屬層體為遮光材料的方式更為成本更低、工藝速度較快、操作溫度較低、容易制作以外，因遮光材料為溶液，亦可使得遮光層的層體均勻性較佳。此外，藉由選用可撓性基板還可使得光罩與半導(dǎo)體基板的密合度較高，曝光顯影的精度較佳。
[0055]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于后附的權(quán)利要求中。
[0056]符號說明
[0057]10:主模具
[0058]11:可撓性基板
[0059]11a:微結(jié)構(gòu)
[0060]12:遮光層
[0061]13:熱塑性高分子板材
[0062]20:半導(dǎo)體基板
[0063]21:光阻層
[0064]S1 ?S5、S51 ?S53:步驟
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光罩的制造方法，其步驟包括: 提供一可撓性基板； 于所述可撓性基板上形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)； 于所述可撓性基板上涂布一遮光材料，使所述基板形成一遮光層；以及 固化所述遮光層； 其中，所述遮光層為單一層體。2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述可撓性基板的材質(zhì)為聚氨酯丙烯酸酯、聚乙烯醇、紫外光硬化樹脂、聚二甲基硅氧烷或其組合。3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述遮光層的材質(zhì)為碳黑光阻、紅光阻或綠光阻。4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述遮光層與所述微結(jié)構(gòu)直接形成一圖案化遮光層。5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中: 固化所述遮光層后移除部分所述遮光層，以形成一圖案化遮光層。6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其中固化所述遮光層后移除部分所述遮光層的步驟還包括: 提供一熱塑性高分子板材貼附于所述遮光層上； 使所述熱塑性高分子板材與所述遮光層接合；以及 移除所述熱塑性高分子板材，使部分所述遮光層隨同所述熱塑性高分子板材移除。7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中所述熱塑性高分子板材為一聚對苯二甲酸乙二酯、硬式聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚酰胺、或聚乳酸所構(gòu)成。8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述遮光材料藉由旋轉(zhuǎn)涂布、霧化噴涂、刮刀涂布、或浸潤涂布的方式形成于所述基板。9.一種光罩，包括: 一可撓性基板，其表面具有多個(gè)微結(jié)構(gòu)；以及 一遮光層，充填于所述微結(jié)構(gòu)且為單一層體，所述遮光層與所述微結(jié)構(gòu)形成一圖案化遮光層。10.如權(quán)利要求9所述的光罩，其中所述圖案化遮光層的材質(zhì)為碳黑光阻、紅光阻或綠光阻。11.如權(quán)利要求9或10所述的光罩，其中所述遮光層同時(shí)設(shè)置于所述微結(jié)構(gòu)之間的所述基板表面。
【專利摘要】本發(fā)明的名稱是光罩及光罩的制造方法。一種光罩的制造方法，其步驟包括：提供可撓性基板。于可撓性基板上形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)。于可撓性基板上涂布遮光材料，使基板形成遮光層。固化遮光層，且遮光層為單一層體。
【IPC分類】G03F1/00, G03F1/68
【公開號】CN105278237
【申請?zhí)枴緾N201410307983
【發(fā)明人】李永春, 吳俊穎, 謝恒 , 謝易達(dá), 顏志男
【申請人】李永春
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年6月30日