陣列基板結(jié)構(gòu)及陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板結(jié)構(gòu)及陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺式計算機(jī)等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(Backlight Module)。液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)是由一彩色濾光片基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT ArraySubstrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其中在陣列基板上有許多豎直和水平的細(xì)小電線。液晶顯示面板的工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]現(xiàn)有的陣列基板結(jié)構(gòu)通常包括:多條相互平行并依次排列的豎直的數(shù)據(jù)線、多條相互平行并依次排列的水平的掃描線、與所述數(shù)據(jù)線及掃描線電性連接的多個呈陣列式排布的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)、及與所述薄膜晶體管電性連接的像素電極。
[0005]所述掃描線向薄膜晶體管提供掃描信號，所述數(shù)據(jù)線向薄膜晶體管提供數(shù)據(jù)信號，以控制液晶顯示面板顯示畫面。在陣列基板的生產(chǎn)過程中，由于生產(chǎn)工序復(fù)雜，受生產(chǎn)工藝或廠房環(huán)境的影響，可能出現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線的情況，導(dǎo)致在顯示畫面中產(chǎn)生黑線，嚴(yán)重影響畫面顯示質(zhì)量，此時需要對斷線的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)。對于上述現(xiàn)有的陣列基板結(jié)構(gòu)，當(dāng)數(shù)據(jù)線斷裂后，只能在外圍進(jìn)行長線修復(fù)，修復(fù)過程復(fù)雜，修復(fù)效果差，成功率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板結(jié)構(gòu)，能夠簡化陣列基板數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)的過程，提高陣列基板數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)效率及修復(fù)成功率。
[0007]本發(fā)明的目的還在于一種陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，能夠簡單快捷地修復(fù)陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線，提高陣列基板數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)效率及修復(fù)成功率。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板結(jié)構(gòu)，包括:襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的第一金屬層、覆蓋于所述第一金屬層與襯底基板上的絕緣層、及設(shè)于所述絕緣層上的第二金屬層；
[0009]所述第二金屬層包括:多條相互平行并依次豎直排列的數(shù)據(jù)線、及與所述數(shù)據(jù)線一一對應(yīng)的多條相互平行并依次豎直排列的備用數(shù)據(jù)線，每一備用數(shù)據(jù)線與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線間隔設(shè)置；
[0010]所述第一金屬層包括:多條相互平行并依次水平排列的掃描線、及分別于每一數(shù)據(jù)線及其對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線的兩端下方設(shè)置的修復(fù)線，所述修復(fù)線與設(shè)于其上方的數(shù)據(jù)線及備用數(shù)據(jù)線的兩端在空間上交叉。
[0011]所述陣列基板結(jié)構(gòu)還包括陣列排布于所述襯底基板上的多個像素單元，每一像素單元包括一像素電極及與該像素電極電性連接的TFT ；
[0012]每條數(shù)據(jù)線左、右兩側(cè)各設(shè)置一列像素單元，每行像素單元上、下方各設(shè)置一條掃描線；對于同一行像素單元，位于每條數(shù)據(jù)線左、右兩側(cè)的兩列TFT共同電性連接于該條數(shù)據(jù)線，位于該數(shù)據(jù)線左側(cè)的的TFT電性連接于位于該行像素單元上方的掃描線，位于該數(shù)據(jù)線右側(cè)的TFT電性連接于位于該行像素單元下方的掃描線。
[0013]所述TFT的柵極位于第一金屬層并電性連接于掃描線，源極與漏極均位于第二金屬層并分別電性連接于數(shù)據(jù)線與像素電極。
[0014]所述第一金屬層及第二金屬層的材料均為鉬、鈦、鋁、銅、鎳中的一種或幾種的堆棧組合。
[0015]所述絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的組合，所述像素電極的材料為ΙΤ0。
[0016]本發(fā)明還提供一種陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，包括如下步驟:
[0017]步驟1、提供一陣列基板；
[0018]所述陣列基板的結(jié)構(gòu)包括:襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的第一金屬層、覆蓋于所述第一金屬層與襯底基板上的絕緣層、及設(shè)于所述絕緣層上的第二金屬層；
[0019]所述第二金屬層包括:多條相互平行并依次豎直排列的數(shù)據(jù)線、及與所述數(shù)據(jù)線一一對應(yīng)的多條相互平行并依次豎直排列的備用數(shù)據(jù)線，每一備用數(shù)據(jù)線與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線間隔設(shè)置；
[0020]所述第一金屬層包括:多條相互平行并依次水平排列的掃描線、及分別于每一數(shù)據(jù)線及其對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線的兩端下方設(shè)置的修復(fù)線，所述修復(fù)線與設(shè)于其上方的數(shù)據(jù)線及備用數(shù)據(jù)線的兩端在空間上交叉；
[0021]步驟2、檢測所述陣列基板出現(xiàn)斷線的數(shù)據(jù)線的位置，并找到與出現(xiàn)斷線的數(shù)據(jù)線對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線及修復(fù)線；
[0022]步驟3、通過激光熔接斷線的數(shù)據(jù)線與對應(yīng)的修復(fù)線的交叉點、及對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線與對應(yīng)的修復(fù)線的交叉點，將所述斷線的數(shù)據(jù)線與對應(yīng)的修復(fù)線、及對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線連接在一起。
[0023]所述步驟1中的陣列基板的結(jié)構(gòu)還包括陣列排布于所述襯底基板上的多個像素單元，每一像素單元包括一像素電極及與該像素電極電性連接的TFT ;
[0024]每條數(shù)據(jù)線左、右兩側(cè)各設(shè)置一列像素單元，每行像素單元上、下方各設(shè)置一條掃描線；對于同一行像素單元，位于每條數(shù)據(jù)線左、右兩側(cè)的兩列TFT共同電性連接于該條數(shù)據(jù)線，位于該數(shù)據(jù)線左側(cè)的的TFT電性連接于位于該行像素單元上方的掃描線，位于該數(shù)據(jù)線右側(cè)的TFT電性連接于位于該行像素單元下方的掃描線。
[0025]所述第一金屬層及第二金屬層的材料均為鉬、鈦、鋁、銅、鎳中的一種或幾種的堆棧組合。
[0026]所述絕緣層的材料氧化硅、氮化硅、或二者的組合，所述像素電極的材料為ΙΤ0。
[0027]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種陣列基板結(jié)構(gòu)及陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，設(shè)置有與數(shù)據(jù)線一一對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線，并在每一數(shù)據(jù)線及其對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線的兩端下方分別設(shè)置修復(fù)線，當(dāng)數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷線時，只要通過激光熔接斷線的數(shù)據(jù)線與對應(yīng)的修復(fù)線的交叉點、及對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線與對應(yīng)的修復(fù)線的交叉點，即可將所述斷線的數(shù)據(jù)線與對應(yīng)的修復(fù)線、及對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線連接在一起，能夠簡單快捷地修復(fù)陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線，提高陣列基板數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)效率及修復(fù)成功率。
【附圖說明】
[0028]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0029]附圖中，
[0030]圖1為本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡圖；
[0031]圖2為對應(yīng)于圖1中A-A處的剖面示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)的示意圖暨本發(fā)明的陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法的步驟3的示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明的陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0034]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0035]請同時參閱圖1與圖2，本發(fā)明首先提供一種陣列基板結(jié)構(gòu)，包括:襯底基板1、設(shè)于所述襯底基板1上的第一金屬層M1、覆蓋于所述第一金屬層Ml與襯底基板1上的絕緣層G1、及設(shè)于所述絕緣層GI上的第二金屬層M2。
[0036]所述第二金屬層M2包括:多條相互平行并依次豎直排列的數(shù)據(jù)線2、及與所述數(shù)據(jù)線2 —一對應(yīng)的多條相互平行并依次豎直排列的備用數(shù)據(jù)線4，每一備用數(shù)據(jù)線4與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線2間隔設(shè)置。圖1示意出了每一備用數(shù)據(jù)線4設(shè)于與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線2的左偵牝當(dāng)然，每一備用數(shù)據(jù)線4也可設(shè)于與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線2的右側(cè)。
[0037]所述第一金屬層Ml包括:多條相互平行并依次水平排列的掃描線3、及分別于每一數(shù)據(jù)線2及其對應(yīng)的備用數(shù)據(jù)線4的兩端下方設(shè)置的修復(fù)線5，所述修復(fù)線5與設(shè)于其上方的數(shù)據(jù)線2及備用數(shù)據(jù)線4的兩端在空間上交叉。
[0038]具體地，所述第一金屬層Ml及第二金屬層M2的材料均為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(A1)、銅(Cu)、鎳(Ni)中的一種或幾種的堆棧組合。所述絕緣層GI的材料氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、或二者的組合。
[0039]所述陣列基板結(jié)構(gòu)還包括陣列排布于所述襯底基板1上的多個像素單元，每一像素單元包括一像素電極6及與該像素電極6電性連接的TFT 7。所述TFT 7的柵極位于第一金屬層Ml并電性連接于掃描線3，源極與漏極均位于第二金屬層M2并分別電性連接于數(shù)據(jù)線2及像素單元6。所述像素電極6的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ΙΤ0)。進(jìn)一步地，本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)采用共用數(shù)據(jù)線(Data Line Share，DLS)型的像素單元布局，每條數(shù)據(jù)線2左、右兩側(cè)各設(shè)置一列像素單元，每行像素單元上、下方各設(shè)置一條掃描線3。對于同一行像素單元，位于每條數(shù)據(jù)線2左、右兩側(cè)的兩列TFT 7共同電性連接于該條數(shù)據(jù)線2，位于該數(shù)據(jù)線2左側(cè)的的TFT 7電性連接于位于該行像素單元上方的掃描線3，位于該數(shù)據(jù)線2右側(cè)的TFT 7電性連接于位于該行像素單元下方的掃描線3。通過上述共用數(shù)據(jù)線型的像素單元布局，能夠減少數(shù)據(jù)