也與上述一樣，設(shè)為以透明基板的透過(guò)率為基準(zhǔn)時(shí)的上述代表波長(zhǎng) 的透過(guò)率。
[0078] 在上述轉(zhuǎn)印用圖案中，將輔助圖案的寬度設(shè)為dUm)時(shí)，在輔助圖案的寬度d與 該部分中的透光率Tl之間，當(dāng)下述公式（2)成立時(shí)，能夠得到發(fā)明的優(yōu)異效果。
[0080] 這里，
是表示透過(guò)輔助圖案的光的量的因子（以下，僅 稱(chēng)作因子）。式（2)表示上述因子的合適的范圍，若上述因子比1.5大，則如圖5的（b)所 示，抗蝕層的狹縫（slit)部的厚度的損失超過(guò)允許范圍而變大，若上述因子比0. 5小，則不 能夠得到足夠的分辨率。此時(shí)，將主圖案的中心與輔助圖案的寬度方向的中心的距離設(shè)為 間距P ( μ m)，優(yōu)選間距P滿(mǎn)足I. 0 < P彡5. 0的關(guān)系。更優(yōu)選，間距P為1. 5 < P彡4. 5。
[0081] 在本發(fā)明中，輔助圖案相對(duì)于設(shè)計(jì)上獨(dú)立的主圖案，疑似地具有起到密集圖案 (Dense Pattern)那樣的光學(xué)的作用的效果，但是滿(mǎn)足上述的關(guān)系式時(shí)，透過(guò)主圖案和輔助 圖案后的曝光用光相互起到良好的相互作用，能夠顯示后述的實(shí)施例所示那樣的優(yōu)異的轉(zhuǎn) 印性能。
[0082] 輔助圖案的寬度(1(μπι)在應(yīng)用于本發(fā)明的光掩模的曝光條件（使用的曝光裝置） 下為分辨率極限以下的尺寸（例如d < 3. 0,優(yōu)選為d < 2. 5)，作為具體的例子為d彡0. 7， 更優(yōu)選為d彡0. 8。另外，優(yōu)選為W1，更優(yōu)選為d < W1。
[0083] 另外，更優(yōu)選上述關(guān)系式（2)是下述的式（2) - 1，進(jìn)一步優(yōu)選為下述式（2) - 2。
[0086] 如上述那樣，圖1所示的光掩模的主圖案是正方形，但本發(fā)明并不限定于此。例 如，如圖2中舉例表示那樣，光掩模的主圖案能夠?yàn)榘ò诉呅?、圓在內(nèi)的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的形 狀。而且，能夠?qū)⑿D(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的中心作為上述P的基準(zhǔn)的中心。
[0087] 另外，圖1所示的光掩模的輔助圖案的形狀是八邊形帶，但本發(fā)明并不限定于此。 輔助圖案的形狀優(yōu)選為相對(duì)于孔圖案的中心對(duì)稱(chēng)3次以上的旋轉(zhuǎn)對(duì)象的形狀被給予一定 寬度的形狀。優(yōu)選主圖案以及輔助圖案的形狀是圖2的（a)~（f)中舉例表示的形狀，主圖 案的外觀設(shè)計(jì)與輔助圖案的外觀設(shè)計(jì)也可以使圖2的（a)~（f)的不同的圖案相互組合。
[0088] 例如，舉例表示輔助圖案的外周是正方形、正六邊形、正八邊形、正十邊形等正多 邊形（優(yōu)選為正2n邊形，這里η是2以上的整數(shù)）或者圓形的情況。而且，作為輔助圖案 的形狀，優(yōu)選為輔助圖案的外周與內(nèi)周大致平行的形狀，即：優(yōu)選為具有大致恒定寬度的正 多邊形或者圓形的帶的形狀。也將該帶狀的形狀稱(chēng)作多邊形帶或者圓形帶。作為輔助圖案 的形狀，這樣的正多邊形帶或者圓形帶優(yōu)選是包圍主圖案的周?chē)男螤睢４藭r(shí)，因?yàn)槟軌蚴?主圖案的透過(guò)光與輔助圖案的透過(guò)光的光量的平衡大致同等，所以容易得到用于獲得本發(fā) 明的作用效果的光的相互作用。
[0089] 特別是，在將本發(fā)明的光掩模作為顯示裝置制造用的光掩模而使用的情況下，即： 在將本發(fā)明的光掩模與顯示裝置制造用的光致抗蝕層組合而使用的情況下，能夠減少在被 轉(zhuǎn)印體上與輔助圖案對(duì)應(yīng)的部分的抗蝕層損失。
[0090] 或者，輔助圖案的形狀也可以不完全包圍主圖案的周?chē)鲜龆噙呅螏Щ蛘邎A 形帶的一部分欠缺的形狀。輔助圖案的形狀例如也可以如圖2的（f)那樣是四邊形帶的角 部欠缺的形狀。
[0091] 另外，只要不影響本發(fā)明的效果，除了本發(fā)明的主圖案、輔助圖案之外，也可以使 用附加的其他圖案。
[0092] 以下參照?qǐng)D3對(duì)本發(fā)明的光掩模的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0093] 如圖3的（a)所示，準(zhǔn)備光掩模坯料。
[0094] 該光掩模坯料在由玻璃等構(gòu)成的透明基板上依次形成有半透光膜和低透光膜，并 且涂覆有第一光致抗蝕膜。
[0095] 半透光膜如下：在透明基板的主表面上，當(dāng)將i線、h線、g線中的任一個(gè)作為代表 波長(zhǎng)時(shí)，其透過(guò)率為30~80(% )(在將Tl (%)作為透過(guò)率時(shí)，30$ Tl < 80)、更優(yōu)選為 40~75 (%)，并且相對(duì)于該代表波長(zhǎng)的相位偏移量為大致180度。通過(guò)這樣的半透光膜， 能夠使由透光部構(gòu)成的主圖案與由半透光部構(gòu)成的輔助圖案之間的透過(guò)光相位差為大致 180度。這樣的半透光膜使處于i線~g線的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的代表波長(zhǎng)的光的相位大致偏移 180度。作為半透光膜的成膜方法能夠使用濺射法等公知的方法。
[0096] 半透光膜優(yōu)選滿(mǎn)足上述的透過(guò)率和相位差，并且如以下敘述的那樣，由能夠進(jìn)行 濕式蝕刻的材料構(gòu)成。其中，因?yàn)槿粼跐袷轿g刻時(shí)產(chǎn)生的側(cè)面蝕刻的量過(guò)大，則產(chǎn)生CD 精度變差、咬邊（under cut)所產(chǎn)生的上層膜的破壞等問(wèn)題，膜厚的范圍優(yōu)選為20:0:〇Λ 以下。例如為300/i~2000人的范圍，更優(yōu)選為300Α~1800Α。這里，CD是Critical Dimension，在本說(shuō)明書(shū)以圖案線寬的意思來(lái)使用。
[0097] 另外，為了滿(mǎn)足上述條件，半透光膜材料的曝光用光所包括的代表波長(zhǎng)（例如h 線）的折射率優(yōu)選為1. 5~2. 9。更優(yōu)選為1. 8~2. 4。
[0098] 并且，為了充分發(fā)揮相位偏移效果，優(yōu)選由濕式蝕刻產(chǎn)生的圖案剖面（被蝕刻面） 垂直地向透明基板主表面接近。
[0099] 考慮上述性質(zhì)時(shí)，作為半透光膜的膜材料，能夠由含Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、Ti中任一 個(gè)和Si的材料、或者含上述材料的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或者氧化氮化碳化物 的材料構(gòu)成。
[0100] 在光掩模還料的半透光膜上形成低透光膜。作為成膜方法，與半透光膜的情況相 同，能夠應(yīng)用濺射法等公知的手段。
[0101] 光掩模坯料的低透光膜實(shí)質(zhì)上能夠不透過(guò)曝光用光?；蛘吣軌?yàn)橄鄬?duì)于曝光用光 的代表波長(zhǎng)具有規(guī)定的低透過(guò)率的膜。本發(fā)明的光掩模的制造所使用的低透光膜相對(duì)于處 于i線~g線的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的代表波長(zhǎng)的光具有比半透光膜的透過(guò)率Tl (%)低的透過(guò)率 T2(% ) 〇
[0102] 在低透光膜能夠透過(guò)曝光用光的情況下，期望低透光膜相對(duì)于曝光用光的透過(guò)率 以及相位偏移量能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的光掩模的低透光部的透過(guò)率以及相位偏移量。優(yōu)選為在 低透光膜和上述半透光膜的層疊狀態(tài)下，相對(duì)于曝光用光代表波長(zhǎng)的光的透過(guò)率T3(% ) 為T(mén)3S20,并且相位偏移量φ3為90(度）以下，更優(yōu)選為60(度）以下。
[0103] 作為低透光膜的單獨(dú)性質(zhì)，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不透過(guò)上述代表波長(zhǎng)的光，或者具有不足 30(%)的透過(guò)率〇'2(%))(即，0<了2<30)，相位偏移量:（{|>2)大致為180度。大致180 度意味著120~240度。優(yōu)選相位差f .l為150~210 (度）。
[0104] 光掩模坯料的低透光膜的材料也可以是Cr或者其化合物（氧化物、氮化物、碳化 物、氮氧化物或者碳氮氧氟氖化物），或者也可以是含Mo、W、Ta、Ti的金屬的硅化物，或者也 可以是該硅化物的上述化合物。其中，光掩模坯料的低透光膜的材料與半透光膜一樣能夠 進(jìn)行濕式蝕刻，并且優(yōu)選是相對(duì)于半透光膜的材料具有蝕刻選擇性的材料。即，希望低透光 膜對(duì)于半透光膜的蝕刻劑具有耐性，另外希望半透光膜對(duì)于低透光膜的蝕刻劑具有耐性。
[0105] 在光掩模坯料的低透光膜上還涂覆有第一光致抗蝕膜。本發(fā)明的光掩模優(yōu)選利用 激光描繪裝置來(lái)進(jìn)行描繪，從而成為適于該激光描繪裝置的光致抗蝕層。第一光致抗蝕膜 可以是正片也可以是負(fù)片，以下作為正片進(jìn)行說(shuō)明。
[0106] 接下來(lái)，如圖3的（b)所示，對(duì)第一光致抗蝕膜使用描繪裝置，進(jìn)行根據(jù)基于轉(zhuǎn)印 用圖案的描繪數(shù)據(jù)的描繪（第一描繪）。而且，將通過(guò)顯影得到的第一抗蝕圖案作為掩膜， 而對(duì)低透光膜進(jìn)行濕式蝕刻。由此劃分成為低透光部的區(qū)域，另外劃分由低透光部圍起的 輔助圖案（低透光膜圖案）的區(qū)域。用于進(jìn)行濕式蝕刻的蝕刻液（濕式蝕刻劑）能夠使用 適合于使用的低透光膜的組成的公知的蝕刻液。例如，如果是含有Cr的膜的話，則作為濕 式蝕刻劑能夠使用硝酸鈰銨等。
[0107] 接下來(lái)，如圖3的（c)所示，將第一抗蝕圖案剝離。
[0108] 接下來(lái)，如圖3的（d)所示，在包括形成的低透光膜圖案的整個(gè)面涂覆第二光致抗 蝕膜。
[0109] 接下來(lái)，如圖3的（e)所示，對(duì)第二光致抗蝕膜進(jìn)行第二描繪，形成通過(guò)顯影而形 成的第二抗蝕圖案。將該第二抗蝕圖案和上述低透光膜圖案作為掩膜，而進(jìn)行半透光膜的 濕式蝕刻。通過(guò)該蝕刻（顯影）而形成由露出透明基板的透光部構(gòu)成的主圖案的區(qū)域。另 外，第二抗蝕圖案優(yōu)選是覆蓋成為輔助圖案的區(qū)域、并在成為由透光部構(gòu)成的主圖案的區(qū) 域具有開(kāi)口的圖案，并且以低透光膜的邊緣從該開(kāi)口露出的方式相對(duì)于第二描繪的描繪數(shù) 據(jù)進(jìn)行涂膠。這樣，能夠吸收在第一描繪與第二描繪之間相互產(chǎn)生的對(duì)準(zhǔn)錯(cuò)位，從而能夠防 止轉(zhuǎn)印用圖案的⑶精度變差。
[0110] 即，通過(guò)像這樣進(jìn)行第二描繪時(shí)的第二抗蝕圖案的涂膠，從而當(dāng)要在被轉(zhuǎn)印體上 形成獨(dú)立孔圖案時(shí)，因?yàn)檎诠饽づc半透光膜之間的圖案化不產(chǎn)生位置偏移，所以在圖1中 舉例表示的轉(zhuǎn)印用圖案中，能夠使主圖案以及輔助圖案的重心精確地一致。
[0111] 半透光膜用的濕式蝕刻劑根據(jù)半透光膜的組成而適當(dāng)?shù)剡x擇。
[0112] 接下來(lái)，如圖3的（f)所示，將第二抗蝕圖案剝離，而完成圖1所示的本發(fā)明的光 掩模。
[0113] 在顯示裝置用光掩模的制造中，當(dāng)對(duì)形成于透明基板上的遮光膜等光學(xué)膜進(jìn)行圖 案化時(shí)，作為適用的蝕刻，有干式蝕刻以及濕式蝕刻。采用任一種都可以，但在本發(fā)明中濕 式蝕刻特別有利。這是因?yàn)?，顯示裝置用的光掩模的尺寸比較