l 14區(qū)域中具有與在印刷部件112區(qū)域中不 同的厚度702。在其他實(shí)施例中，諸如圖16所示的那些，在已經(jīng)完全蝕刻SRAF 114區(qū)域中 的上吸收層1102之前停止蝕刻。同樣在這些實(shí)施例中，吸收層1102和1104在SRAF 114 區(qū)域中具有與在印刷部件112區(qū)域中不同的厚度702。相反，從印刷部件112去除所有或 基本所有的吸收層1102和1104。在所示實(shí)施例中，從掩模100不對(duì)應(yīng)于印刷部件或SRAF 114的區(qū)域去除少量吸收層1102和1104或者不去除吸收層1102和1104。因此，這些區(qū)域 中的吸收層1102和1104的厚度不同于印刷部件112和SRAF 114的厚度。參照?qǐng)D10的框 1010,在蝕刻吸收層1102和1104之后，可以剝離光刻膠層1106。
[0067] 參照?qǐng)D17至圖23描述形成用于曝光負(fù)性光刻膠的反射型掩模100的技術(shù)。圖17 是根據(jù)本發(fā)明各個(gè)方面的制造用于曝光負(fù)型光刻膠的反射型掩模100的方法1700的流程 圖。應(yīng)該理解，可以在方法1700之前、期間或之后提供額外的步驟，并且對(duì)于方法1700的 其他實(shí)施例，可以替換或省略所描述的一些步驟。圖18至圖23是根據(jù)本發(fā)明各個(gè)方面的 經(jīng)受制造方法1700的用于曝光負(fù)型光刻膠的掩模的截面圖。
[0068] 首先參照?qǐng)D17的框1702和圖18,接收掩模100。掩模100可基本類似于圖3的框 302中接收的掩模，并且關(guān)于這點(diǎn)，可包括掩模襯底106、設(shè)置在掩模襯底106上的諸如多層 反射鏡（MLM) 108的反射器、設(shè)置在MLM 108上的覆蓋層402、形成在覆蓋層402上的吸收層 110、以及形成在吸收層110上的兩個(gè)光刻膠層（上層1802和下層1804)。光刻膠層1802 和1804可以是正型或負(fù)型的，并且在所示實(shí)施例中，層1802和1804是負(fù)型的（即，光刻膠 層1802和1804的暴露于輻射的部分被硬化以抵抗顯影劑）。如下所述，光刻膠層1802和 1804可以在直接寫入或無掩模光刻技術(shù)中被圖案化，并且可包括激光敏感、電子束敏感和 /或離子束敏感材料。由于上光刻膠層1802可阻擋一些曝光輻射到達(dá)下光刻膠層1804,所 以下光刻膠層1804可被配置為具有較低的曝光閾值并且與上光刻膠層1802相比對(duì)輻射更 加敏感?？赏ㄟ^任何合適的技術(shù)（包括旋轉(zhuǎn)涂覆）來形成光刻膠層1802和1804。在一些 實(shí)施例中，阻擋層408形成在下光刻膠層1804和上光刻膠層1802之間以防止光敏材料的 混合。
[0069] 參照?qǐng)D17的框1704和圖19,圖案化掩模100以限定至少一個(gè)印刷部件112和至少 一個(gè)SRAF 114。在許多實(shí)施例中，使用直接寫入或其他無掩模光刻技術(shù)來圖案化掩模100。 在一些這樣的實(shí)施例中，橫跨掩模100的上表面掃描諸如激光、電子束或離子束的窄焦點(diǎn) 輻射?？刂戚椛湓匆詢H曝光光刻膠層1802和1804的將被硬化的那些區(qū)域，或者在可選實(shí) 施例中，僅曝光將被去除的區(qū)域。在圖19的實(shí)例中，通過虛線框502表示光刻膠層1802和 1804的接收大于曝光閥值的輻射劑量的區(qū)域。由于不同的曝光閾值，所以在SRAF 114區(qū)域 中只有下光刻膠層1804被足夠曝光以超過曝光閾值，而在印刷部件112區(qū)域中同時(shí)曝光上 光刻膠層1802和下光刻膠層1804。
[0070] 在許多實(shí)施例中，這可以在輻射源的單通過中實(shí)現(xiàn)。例如，在實(shí)施例中，可變強(qiáng)度 輻射源被用于掃描掩模100的表面。在SRAF 114區(qū)域中，選擇超過下光刻膠層1804的曝 光閾值但不超過上光刻膠層1802的曝光閾值的輻射強(qiáng)度。
[0071] 在另一示例性實(shí)施例中，依賴于寬度的圖案化技術(shù)利用以下原則：與曝光較窄區(qū) 域（諸如限定SRAF 114的區(qū)域）相比，在整個(gè)曝光區(qū)域中曝光較大區(qū)域（諸如限定印刷部 件112的區(qū)域）將引起更高的平均劑量。因此，即使輻射源的曝光強(qiáng)度沒有改變，但對(duì)于印 刷部件112區(qū)域和SRAF 114區(qū)域輻射劑量可以是不同的。在這樣的實(shí)施例中，選擇上光刻 膠層1802以具有小于被印刷部件區(qū)域接收的劑量但大于被SRAF 114區(qū)域接收的劑量的曝 光閾值。預(yù)期和提供用于圖案化掩模以限定印刷部件112和SRAF的其他合適的技術(shù)，并且 在各個(gè)其他實(shí)施例中，其他單通過或多通過光刻技術(shù)用于曝光光刻膠層1802和1804。參照 圖17的框1706和圖20,在曝光之后顯影光刻膠層1802和1804。示例性顯影工藝包括曝 光后烘烤、顯影光刻膠層、清洗和干燥（例如，硬烘烤）。
[0072] 參照?qǐng)D17的框1708和圖21，使用圖案化的光刻膠層1802和1804蝕刻吸收層 110。蝕刻可包括任何合適的蝕刻工藝，包括干蝕刻、濕蝕刻和/或其他蝕刻方法（例如， RIE)。在一些實(shí)施例中，蝕刻包括具有不同蝕刻化學(xué)物的多個(gè)蝕刻步驟，每一個(gè)都以吸收 層110的特定材料為目標(biāo)?？梢钥闯?，下光刻膠層1804延遲了 SRAF 114區(qū)域中的吸收層 110的蝕刻，同時(shí)通過上光刻膠層1802和下光刻膠層1806來保護(hù)印刷部件112中的吸收 層110。在所示實(shí)施例中，在已經(jīng)完全蝕刻SRAF 114區(qū)域中的吸收層110之前但在已經(jīng)去 除環(huán)繞區(qū)域中的吸收層110之后停止蝕刻?？梢钥闯?，在蝕刻之后，吸收層110在SRAF 114 區(qū)域中具有與在印刷部件112區(qū)域中（厚度2102)不同的厚度（厚度702)。選擇剩余吸收 層110的厚度702,使得被SRAF 114反射的輻射不超過用于設(shè)置在目標(biāo)上的光刻膠材料的 曝光閾值。參照?qǐng)D17的框1710和圖22,在蝕刻吸收層110之后，可以剝離光刻膠層1802 和 1804。
[0073] 類似于用于正性光刻膠的掩模100,通過使用SRAF 114區(qū)域中的吸收層110的厚 度702以控制反射的輻射的量，可以使SRAF 114寬于傳統(tǒng)的輔助部件，從而減小了掩模缺 陷的可能性。在印刷部件112的寬度804為約15. 5nm的示例性實(shí)施例中，SRAF 114的寬度 802為約4nm。應(yīng)該理解，這些尺寸僅僅是示例性的。部分厚度SRAF 114也允許SRAF 114 的位置的變化，這在其他配置中是不可能的。參照?qǐng)D23,在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)SRAF 114直接鄰近印刷部件112,使得吸收層110的單個(gè)連續(xù)（contigous)島限定印刷部件112 以及一個(gè)或多個(gè)SRAF 114。
[0074] 現(xiàn)在將參照?qǐng)D24至圖28描述光刻工藝中掩模100的使用。圖24是根據(jù)本發(fā)明 的各個(gè)方面的光刻技術(shù)2400的流程圖。圖25是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的用于光刻技術(shù) 2400中的掩模100的部分的截面圖。圖26是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的可操作用于實(shí)施光 刻技術(shù)2400的光刻系統(tǒng)2700的框圖。圖27和圖28是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的經(jīng)受光刻 技術(shù)2400的光掩模的截面圖。
[0075] 參照?qǐng)D24的框2402和圖25,接收掩模100。在許多實(shí)施例中，掩模100可以基本 類似于上述掩模100。關(guān)于這點(diǎn)，掩模100包括掩模襯底106、設(shè)置在掩模襯底106上的諸 如多層反射鏡（MLM) 108的反射器、設(shè)置在MLM 108上的覆蓋層以及設(shè)置在覆蓋層402上的 吸收層110。掩模100包括至少一個(gè)印刷部件112區(qū)域和至少一個(gè)SRAF 114區(qū)域。SRAF 114是部分厚度輔助部件，其中僅部分地去除吸收層110,這可以在當(dāng)將SRAF 114區(qū)域內(nèi)的 吸收層110的厚度702與印刷部件區(qū)域112內(nèi)的吸收層110的厚度比較時(shí)觀察到。在所示 實(shí)施例中，去除印刷部件區(qū)域112中的所有或基本所有的吸收層110,并且SRAF 114區(qū)域 中的吸收層110具有在印刷部件區(qū)域112的厚度與既非印刷部件112區(qū)域也非SRAF 114 區(qū)域的區(qū)域的厚度之間的中間厚度702。在又一些實(shí)施例中，從既非印刷部件區(qū)域112也 非SRAF區(qū)域114的區(qū)域去除所有或基本所有的吸收層110,并且SRAF 114區(qū)域中的吸收層 110具有在該區(qū)域的厚度與印刷部件區(qū)域112的厚度之間的中間厚度702?？赏ㄟ^包括結(jié) 合圖3、圖10和圖17描述的方法的任何合適的技術(shù)來形成掩模100。
[0076] 參照?qǐng)D24的框2404和圖26,將接收的掩模100加載到光刻系統(tǒng)2600并被暴露 于輻射。還可以通稱為掃描器的光刻系統(tǒng)2600是可操作的以利用特有的輻射源和曝光模 式來實(shí)施光刻曝光工藝。在所示實(shí)施例中，光刻系統(tǒng)2600是被設(shè)計(jì)為使用波長(zhǎng)范圍在約 Inm和約IOOnm之間的EUV輻射來曝光工件的遠(yuǎn)紫外（EUV)光刻系統(tǒng)。在一些示例性實(shí)施 例中，光刻系統(tǒng)2600包括輻射源2602,其生成具有以約13. 5nm為中心的波長(zhǎng)的EUV輻射。 在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，通過使用激光將諸如錫滴的介質(zhì)加熱為高溫等離子體，EUV輻射源 2602利用激光產(chǎn)生的等離子體（LPP)來生成EUV輻射。
[0077] 光刻系統(tǒng)2600也可以包括照明器2604,照明器2604聚集并塑造由輻射源2602產(chǎn) 生的輻射。照明器2604可包括折射光學(xué)部件（包括單片透鏡和/或陣列透鏡（例如，波帶 片）），并且可包括反射光學(xué)部件（包括單片反射鏡和/或反射鏡陣列）。為了清楚已經(jīng)減 少了圖26所示的光學(xué)部件的數(shù)量，盡管在實(shí)際實(shí)施例中，照明器2604包括幾十個(gè)甚至幾百 個(gè)透鏡和/或反射鏡。排列和對(duì)準(zhǔn)光學(xué)部件以將由輻射源2602發(fā)出的輻射投射到掩模臺(tái) 2606中保持的掩模100上。照明器2604的光學(xué)部件還可以沿著光徑塑造輻射以在掩模100 上產(chǎn)生特定的照明圖案。
[0078] 在經(jīng)過掩模100或從掩模100反射之后，通過投射光學(xué)模塊2608 (也稱為投射光 學(xué)盒（POB))引導(dǎo)輻射。類似于照明器2604,投射光學(xué)模塊2608可包括折射光學(xué)部件（包 括單片透鏡和/或陣列透鏡（例如，波帶片）），并且可包括反射光學(xué)部件（包括單片反射鏡 和/或反射鏡陣列）。排列和對(duì)準(zhǔn)投射光學(xué)模塊2608的光學(xué)部件以引導(dǎo)透過掩模100或從