一種新型的黑色矩陣結構液晶顯示屏及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領域，具體涉及一種新型的黑色矩陣結構液晶顯示屏及其制備方法。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有技術中，液晶顯示屏包括常黑模式和常白模式兩種模式。對于常黑模式的液晶顯示屏，在顯示過程中，由于液晶分子在液晶盒內呈傾斜排列，在不同方向看時，會出現(xiàn)灰階反轉的問題，這樣會導致非選擇像素并非完全呈暗態(tài)狀態(tài)，非選擇像素點也能有部分光透過，如此會影響液晶顯示屏的顯示對比度，特別是在戶外環(huán)境光線較強時，對比度更低。為解決上述存在的出現(xiàn)灰階反轉，影響對比度的問題，常采用的方式是降低非顯示像素處的透光度，提高顯示像素與非顯示像素的對比度及增加液晶顯示屏的可視角度，從而適用于戶外顯示。
[0003]如附圖1所示，解決上述問題的通常方案是在與配向膜接觸的上下兩片玻璃基板1內表面上分別刻蝕用于顯示像素圖案的氧化錮錫電極2，同時在氧化錮錫電極2的間隙出分別填充有由黑色材料組成的黑矩陣3，阻擋非顯示像素處即氧化錮錫電極間隙出的光的透射，從而降低了非顯示像素的透光率，提高了顯示像素與非顯示像素的對比度，增加了液晶顯示屏的可視角度。
[0004]如附圖1所示，但是在上述技術方案的制程中，由于制作工藝及設備的限制，導致黑色材料(黑矩陣)涂布不均勻以及黑色材料的細微殘留，在烘烤時高溫而發(fā)生碳化，黑色材料的碳化會在氧化錮錫電極上形成凸起或毛刺4，上下兩基板玻璃1內表面上的氧化錮錫電極2因凸起或毛刺4的彼此接觸，電性導通，從而使上下兩基板玻璃1內表面上的兩氧化錮錫電極2短路，造成生產制備過程中液晶屏大批次不良，產品的可靠性得不到保證；同時使用液晶顯示屏時，按壓或是觸碰，也會使上下兩基板玻璃1內表面上的兩氧化錮錫2電極短路，從而造成用戶端的產品不良。
[0005]因此，如何解決上述兩氧化錮錫電極之間有毛刺及易短路的問題，又同時保證能阻擋非顯示像素處即氧化錮錫電極間隙出的光的透射，降低非顯示像素的透光率，提高顯示像素與非顯示像素的對比度，增加了液晶顯示屏的可視角度，乃本申請人研究之重點亦行業(yè)之企盼。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中的缺陷提供一種新型的黑色矩陣結構液晶顯示屏，該液晶顯示屏的可靠性好，不良品率低，使用壽命長。與之同時，本發(fā)明還提供一種制備上述液晶顯示屏的制備方法。
[0007]為克服上述技術問題中的缺陷，本發(fā)明技術方案如下:一種新型的黑色矩陣結構液晶顯示屏，包括彼此相對設置的上玻璃基板和下玻璃基板，所述上玻璃基板及下玻璃基板的內表面上均設置一層黑色掩膜；在位于所述上玻璃基板及下玻璃基板上的兩所述黑色掩膜上設有ITO導電層，該ITO導電層為用于顯示像素圖案的氧化錮錫電極，且所述ITO導電層包覆所述黑色掩膜；在兩所述ITO導電層之間設有一液晶層，在該液晶層的上端面及下端面還設有匹配的配向膜，所述上玻璃基板的上端面及所述下玻璃基板的下端面上還分別設置有相對應的上偏光片和下偏光片。
[0008]作為對上述技術方案的進一步闡述:
在上述技術方案中，所述黑色掩膜的電阻率為106Ω.ΟΙ1?10s Ω.cm。
[0009]在上述技術方案中，所述黑色掩膜中含有黑色金屬氧化物顆粒。
[0010]在上述技術方案中，所述黑色金屬氧化物顆粒為氧化鈷、氧化鉻、氧化錳及氧化鎳中至少一種的顆粒。
[0011 ] 在上述技術方案中，所述液晶層為包含具有介電各向異性的液晶合成物質的液晶層。
[0012]本發(fā)明的還提供的一種制備上述液晶顯示屏的技術方案如下:
一種制備上述技術方案中的液晶顯示屏的制備方法，其包括如下具體步驟:
步驟A，上玻璃基板和下玻璃基板制備:
選用玻璃基板，對玻璃基板表面做清洗處理；
步驟B，黑色掩膜制備:
選用包含氧化鈷、氧化鉻、氧化錳及氧化鎳中至少一種的顆粒的黑色材料涂布于清洗后的玻璃基板上，再依次對涂布均勻的黑色材料進行曝光、顯影和固化；
步驟C，ΙΤ0導電層制備:
將包含氧化錮錫的電極材料均勻鍍于已制備好黑色掩膜的上玻璃基板及下玻璃基板上，鍍膜完成后對異物予以清洗；
步驟D，感光膠層制備及清除:
在ΙΤ0導電層上涂布一層感光膠，并依次進行曝光、顯影、腐蝕處理，完成后再進行去膠及清洗處理，將所述感光膠層去除掉；
步驟E，配向膜制備:
在完成步驟D的上玻璃基板及下玻璃基板的內側面印刷配向膜并進行打磨，打磨完成后，再進行絲印、對版以及固化，完成配向膜制備；
步驟F，液晶層制備；
步驟G，安裝偏光片；
步驟H，檢測:檢測黑色掩膜是否殘留過剩，高溫碳化使兩層ΙΤ0導電層電性連通，并檢測感光膠層、ΙΤ0導電層是否涂布及制備均勻和偏光片是否安裝到位。
[0013]在上述制備方法中，步驟C中ΙΤ0導電層制備包括如下步驟:
步驟一:鍍前準備，包括清潔和處理玻璃基板、制作蒸發(fā)源、清洗真空室和玻璃基板夾具及安裝蒸發(fā)源和安放玻璃基板；
步驟二:抽真空、離子轟擊，
將用于烘烤、預熔及蒸發(fā)的真空室抽氣至真空狀態(tài)，輝光放電，使真空室內產生高速的離子，利用離子粒子清潔玻璃基板；離子轟擊的條件為:真空室內壓力0.13 Pa ~13Pa，輝光放電電壓1.5kV ~10kV，轟擊時間5min~60min;
步驟三:烘烤、預熔及蒸發(fā)，將玻璃基板放置于真空室內進行烘烤、預熔及蒸發(fā)處理，去除玻璃基板、ITO導電層內殘留氣體；
步驟四:導電層表面處理。
[0014]在上述制備方法中，步驟F中的液晶層的制備包括界破片和灌液晶分子。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:
一是，通過將黑色掩膜設置于ΙΤ0導電層下端，避免因制成原因而造成的于ΙΤ0導電層上形成毛刺或凸起，從而減少生產過程中不良品，提高生產效率；
二是，因黑色掩膜位于ΙΤ0導電層下端，避免使用過程中因碰觸或按壓而形成的使用端的不良，保證產品穩(wěn)定性；
三是，黑色掩膜位于ΙΤ0導電層下端，液晶顯示屏的可靠性好，減少不必要的返修，節(jié)省生產成本，且使用壽命長。
[0016]四是，解決ΙΤ0電極之間有毛刺及易短路的問題，又同時保證能阻擋非顯示像素處即ΙΤ0電極間隙出的光的透射，降低非顯示像素的透光率，提高顯示像素與非顯示像素的對比度，增加了液晶顯示屏的可視角度。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有液晶顯示器的結構層次分別圖；
圖2是本發(fā)明的結構層次分布圖；
圖3是本發(fā)明液晶顯示器制備的流程圖；
圖4使本發(fā)明的鍍ΙΤ0導電層的基本工藝流程。
[0018]圖中，11.上玻璃基板，12.下玻璃基板，21.上黑色掩膜，22.下黑色掩膜，31.上ΙΤ0導電層，32.下ΙΤ0導電層，41.上配向膜，42.下配向，51.上偏光片，52.下偏光片，6.液晶層。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖2-4進一步說明本發(fā)明。
[0020]如圖2顯示本發(fā)明所述的具體實施例，一種新型的黑色矩陣結構液晶顯示屏，包括彼此相對設置的上玻璃基板11和下玻璃基板12，所述上玻璃基板11及下玻璃基板12的內表面上均設置一層黑色掩膜，其分別為上黑色掩膜21和下黑色掩膜22;在位于所述上玻璃基板11及下玻璃基板12上的所述上黑色掩膜21和下黑色掩膜22上分別設有上ΙΤ0導電層31和下ΙΤ0導電層32，該兩ΙΤ0導電層為用于顯示像素圖案的氧化錮錫電極，且兩所述ΙΤ0導電層對應包覆相應的所述上黑色掩膜21和下黑色掩膜22;在兩所述ΙΤ0導電層之間設有一液晶層6，在該液晶層6的上端面及下端面還設有匹配的上配向膜41和下配向42膜，所述上玻璃基板11的上端面及所述下玻璃基板12的下端面上還分別設置有相對應的上偏光片51和下偏光片52 ;而在實際生產中，先在所述上ΙΤ0導電層31和下ΙΤ0導電層32上均設有一感光膠層(圖中未標示)，然后在成品完成時，該感光膠層會被剔除掉。
[0021]其中，所述上、下黑色掩膜的電阻率為106Q.cm?lOM.cm;所述上、下黑色掩膜中含有黑色金屬氧化物顆粒；所述黑色金屬氧化物顆粒為氧化鈷、氧化鉻、氧化錳及氧化鎳中至少一種的顆粒；所述液晶層6為包含具有介電各向異性的液晶合成物質的液晶層6。
[0022]本實施例的液晶顯示屏通過將黑色掩膜設置于ΙΤ0導電層下端，避免因制成原因而造成的于ITO導電層上形成毛刺或凸起，從而減少生產過程中不良品，提高生產效率；因黑色掩膜位于IT0導電層下端，避免使用過程中因碰觸或按壓而形成的使用端的不良，保證產品穩(wěn)定性；
黑色掩膜位于IT0導電層下端，液晶