能夠減少布局空間并進(jìn)行ESD應(yīng)對(duì)。
[0118]<變形例7>
[0119]使用圖21及圖22說(shuō)明實(shí)施例的第7變形例(是變形例5的變形例，以下稱(chēng)為變形例7)。
[0120]圖21及圖22是用于說(shuō)明變形例7的陣列基板的俯視圖，示出了布線圖案。圖22是從圖21除去信號(hào)線及接觸孔的圖案而成的俯視圖。
[0121]變形例7的顯示裝置代替實(shí)施例的顯示裝置100的陣列基板10而使用以下說(shuō)明的陣列基板10G。在變形例5的陣列基板10E的像素PIA及虛擬像素DPE中，在半導(dǎo)體層104、104DE上經(jīng)由柵極絕緣層105形成有柵極線106。另一方面，在變形例7的陣列基板10G的像素PIC中，在柵極線106C上經(jīng)由柵極絕緣層105形成有半導(dǎo)體層104C。在虛擬像素(第2像素、第4像素)DPG中，在柵極線106C上經(jīng)由柵極絕緣層105形成有半導(dǎo)體層(第2半導(dǎo)體層、第4半導(dǎo)體層)104DG。因此，接觸孔CH1、CH2、接觸孔組CHG1、CHG1設(shè)在層間絕緣層107上。除去這些方面，變形例7的陣列基板10G與變形例5的陣列基板10E基本相同。在Y方向上相鄰的虛擬像素DPG之間的虛擬半導(dǎo)體層104DG彼此電氣性分離。此外，圖21的A-A’線處的剖視圖與圖15相同。
[0122]此外，也可以是不將金屬層設(shè)在層間絕緣膜107上而是直接形成在半導(dǎo)體層上的方式。增加虛擬半導(dǎo)體層104DG的面積，將虛擬像素DPG的虛擬半導(dǎo)體層104DG的溝道寬度形成得比像素PIC的半導(dǎo)體層104C的溝道寬度寬。由此，由于與柵極線106C的交叉面積增大而交叉電容增加，所以能夠減少布局空間并進(jìn)行ESD應(yīng)對(duì)。
[0123]<變形例8>
[0124]使用圖23說(shuō)明實(shí)施例的第8變形例(是變形例7的變形例，以下稱(chēng)為變形例8)。
[0125]圖23是用于說(shuō)明變形例8的陣列基板的俯視圖，示出了布線圖案。
[0126]變形例8的顯示裝置代替實(shí)施例的顯示裝置100的陣列基板10而使用以下說(shuō)明的陣列基板10H。在變形例7的陣列基板10G的虛擬像素DPG中，虛擬半導(dǎo)體層104DG配置在虛擬信號(hào)線109DE之下，以被虛擬信號(hào)線109DE覆蓋的方式延伸，并通過(guò)兩處接觸孔組CHGUCHG2與虛擬信號(hào)線109DE連接。另一方面，如圖23所示，在變形例8的陣列基板10H的虛擬像素DPH中，不具有虛擬信號(hào)線109DE及接觸孔組CHGUCHG2。除去這些方面，變形例8的陣列基板10H與變形例7的陣列基板10G基本相同。沒(méi)有與虛擬半導(dǎo)體層104DG連接的導(dǎo)體層，在Y方向上相鄰的虛擬像素DPH之間的虛擬半導(dǎo)體層104DG彼此電氣性分離。此外，圖23的A-A’線處的剖視圖與圖17相同。
[0127]以上，在本實(shí)施方式中，作為顯示裝置記載了液晶顯示裝置，但并不限定于液晶顯示裝置，也可以是有機(jī)EL型的顯示裝置等其他顯示裝置。另外，上述的變形例并不限定于分別單獨(dú)使用，也可以為將各變形例適當(dāng)組合的結(jié)構(gòu)。例如，也可以構(gòu)成為，在位于顯示區(qū)域的一側(cè)的虛擬像素區(qū)域中使用實(shí)施例或變形例1到4中的任一結(jié)構(gòu)，而在顯示區(qū)域的另一側(cè)使用變形例5到8中的任一結(jié)構(gòu)。另外，可以根據(jù)柵極線而使所使用的實(shí)施例或變形例不同，也可以是對(duì)一條柵極線同時(shí)使用多個(gè)實(shí)施例或變形例的方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示裝置，其特征在于，具有: 顯示區(qū)域，其具有多個(gè)像素；和 虛擬像素區(qū)域，其配置在所述顯示區(qū)域的外側(cè)，且具有多個(gè)虛擬像素， 所述像素具有: 具有第1半導(dǎo)體層的薄膜晶體管； 與所述薄膜晶體管的柵極連接的柵極線；和 與所述薄膜晶體管的漏極連接的信號(hào)線， 所述虛擬像素具有: 所述柵極線； 與所述柵極線交叉的第2半導(dǎo)體層；和 與所述柵極線交叉的虛擬信號(hào)線， 所述第2半導(dǎo)體層和所述虛擬信號(hào)線與在所述柵極線上相鄰的虛擬像素的第2半導(dǎo)體層和虛擬信號(hào)線電氣性分離。2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述虛擬像素還具有絕緣層， 所述虛擬信號(hào)線經(jīng)由所述絕緣層配置在所述第2半導(dǎo)體層上， 所述虛擬信號(hào)線經(jīng)由多個(gè)接觸孔與所述第2半導(dǎo)體層連接。3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述虛擬信號(hào)線以在俯視觀察時(shí)覆蓋所述第2半導(dǎo)體層的方式配置。4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述多個(gè)接觸孔是兩個(gè)接觸孔， 所述兩個(gè)接觸孔在俯視觀察時(shí)隔著所述柵極線各配置一個(gè)。5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述虛擬像素在所述柵極線上配置多個(gè)。6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述虛擬信號(hào)線的間隔比所述信號(hào)線的間隔窄。7.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第2半導(dǎo)體層在與所述柵極線交叉的部分中，在與所述第1半導(dǎo)體層相同的層上以相同的寬度形成。8.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述虛擬信號(hào)線在與所述信號(hào)線相同的層上以相同的寬度形成。9.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述多個(gè)接觸孔在俯視觀察時(shí)隔著所述柵極線各配置多個(gè)。10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第2半導(dǎo)體層在與所述柵極線交叉的部分中，在與所述第1半導(dǎo)體層相同的層上以比所述第1半導(dǎo)體層寬的寬度形成。11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于， 所述虛擬信號(hào)線在與所述信號(hào)線相同的層上以比所述信號(hào)線寬的寬度形成。12.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層形成在所述柵極線的下層。13.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層形成在所述柵極線的上層。14.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層通過(guò)低溫多晶硅或非晶硅形成。15.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述像素具有像素電極和公共電極。16.一種顯示裝置，其特征在于，具有: 用于顯示圖像的第1區(qū)域，其具有多個(gè)第1像素；和 第2區(qū)域，其配置在所述第1區(qū)域的外側(cè)，具有多個(gè)第2像素， 所述第1像素具有: 薄膜晶體管，其具有第1半導(dǎo)體層； 第1柵極線，其與所述薄膜晶體管的柵極連接，且沿第1方向延伸；和 第1信號(hào)線，其與所述薄膜晶體管的漏極連接，且沿與所述第1方向不同的第2方向延伸， 所述第2像素具有: 第2柵極線，其沿所述第1方向延伸； 第2信號(hào)線，其沿所述第2方向延伸； 第1絕緣層；和 第2半導(dǎo)體層，其經(jīng)由所述第1絕緣層與所述柵極線交叉， 所述第2信號(hào)線經(jīng)由第2絕緣層配置在所述第2半導(dǎo)體層上， 所述第2信號(hào)線經(jīng)由第1接觸孔及第2接觸孔與所述第2半導(dǎo)體層連接， 所述第1接觸孔及第2接觸孔在俯視觀察時(shí)隔著所述第2柵極線而配置， 所述第2柵極線與所述第1柵極線連接， 所述第2信號(hào)線與在所述第2方向上相鄰的第2像素的第2信號(hào)線分離。17.—種顯示裝置，其特征在于，具有: 用于顯示圖像的第1像素及第3像素； 不顯示圖像的第2像素，其與所述第1像素相鄰地配置；和 不顯示圖像的第4像素，其與所述第2像素及第3像素相鄰地配置， 所述第1像素具有: 第1薄膜晶體管，其具有第1半導(dǎo)體層； 第1柵極線，其與所述第1薄膜晶體管的柵極連接，且沿第1方向延伸；和第1信號(hào)線，其與所述第1薄膜晶體管的漏極連接，且沿與所述第1方向不同的第2方向延伸， 所述第3像素具有: 第3薄膜晶體管，其具有第3半導(dǎo)體層； 第3柵極線，其與所述第3薄膜晶體管的柵極連接，且沿所述第1方向延伸；和 第3信號(hào)線，其與所述第3薄膜晶體管的漏極連接，且沿所述第2方向延伸， 所述第2像素具有: 第2柵極線，其沿所述第1方向延伸； 第2信號(hào)線，其沿所述第2方向延伸； 第1絕緣層；和 第2半導(dǎo)體層，其經(jīng)由所述第1絕緣層與所述第2柵極線交叉， 所述第4像素具有: 第4柵極線，其沿所述第1方向延伸； 第4信號(hào)線，其沿所述第2方向延伸； 所述第1絕緣層；和 第4半導(dǎo)體層，其經(jīng)由所述第1絕緣層與所述第4柵極線交叉， 所述第2信號(hào)線經(jīng)由第2絕緣層配置在所述第2半導(dǎo)體層上， 所述第2信號(hào)線經(jīng)由第1接觸孔及第2接觸孔與所述第2半導(dǎo)體層連接， 所述第1接觸孔及第2接觸孔在俯視觀察時(shí)隔著所述第2柵極線而配置， 所述第4信號(hào)線經(jīng)由第2絕緣層配置在所述第4半導(dǎo)體層上， 所述第4信號(hào)線經(jīng)由第3接觸孔及第4接觸孔與所述第4半導(dǎo)體層連接， 所述第3接觸孔及第4接觸孔在俯視觀察時(shí)隔著所述第4柵極線而配置， 所述第1柵極線與第2柵極線連接， 所述第3柵極線與第4柵極線連接， 所述第1信號(hào)線與第3信號(hào)線連接， 所述第2信號(hào)線與第4信號(hào)線分離。18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第2信號(hào)線以在俯視觀察時(shí)覆蓋所述第2半導(dǎo)體層的方式配置， 所述第4信號(hào)線以在俯視觀察時(shí)覆蓋所述第4半導(dǎo)體層的方式配置。19.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于， 與所述第2柵極線交叉的部分的所述第3半導(dǎo)體層以相同的寬度形成在和與所述第1柵極線交叉的部分的所述第1半導(dǎo)體層相同的層上， 與所述第4柵極線交叉的部分的所述第4半導(dǎo)體層以相同的寬度形成在和與所述第3柵極線交叉的部分的所述第3半導(dǎo)體層相同的層上。20.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第1信號(hào)線、第2信號(hào)線、第3信號(hào)線及第4信號(hào)線分別以相同的寬度形成在相同的層上。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種顯示裝置，其課題在于：因拉繞各布線的長(zhǎng)度增加而導(dǎo)致布線的帶電量增加，會(huì)產(chǎn)生顯示區(qū)域內(nèi)的元件被破壞的問(wèn)題。顯示裝置具有：像素和虛擬像素，其具有柵極線及信號(hào)線。上述虛擬像素具有：上述柵極線；和經(jīng)由絕緣層與上述柵極線交叉的虛擬半導(dǎo)體層。上述虛擬半導(dǎo)體層與在Y方向上相鄰的虛擬像素的虛擬半導(dǎo)體層電氣性分離。上述虛擬像素還具有沿Y方向延伸的虛擬信號(hào)線。上述虛擬信號(hào)線經(jīng)由多個(gè)接觸孔與上述虛擬半導(dǎo)體層連接。上述多個(gè)接觸孔在俯視觀察時(shí)隔著上述柵極線而配置。
【IPC分類(lèi)】G02F1/1362
【公開(kāi)號(hào)】CN105404064
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510552243
【發(fā)明人】宮本素明, 山田哲平, 金谷康弘
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日本顯示器
【公開(kāi)日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年9月1日
【公告號(hào)】US20160071884