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      一種ldi曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)方法

      文檔序號(hào):9646038閱讀:4087來(lái)源:國(guó)知局
      一種ldi曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及LDI曝光機(jī)性能檢測(cè)的技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種LDI曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]LDI曝光機(jī)包括上游機(jī)與下游曝光機(jī)。上游機(jī)用于將板材的正面進(jìn)行曝光,板材的正面曝光后,將板材翻轉(zhuǎn),通過(guò)下游曝光機(jī)將板材的反面進(jìn)行曝光。無(wú)論在LDI曝光機(jī)對(duì)板材正面或反面曝光之前,均需要先抓取定位孔。并根據(jù)定位孔位置將曝光文件與板材定位孔進(jìn)行對(duì)位以及通過(guò)拉伸曝光文件調(diào)整其大小以適配板材上的定位孔,然后再將曝光文件曝光在板面上??梢?jiàn),LDI曝光機(jī)抓取定位孔的準(zhǔn)確性對(duì)于LDI曝光機(jī)的曝光精度非常重要。在設(shè)備新裝機(jī)或者使用過(guò)程中隨著條件變化,設(shè)備抓取定位孔的準(zhǔn)確度可能會(huì)發(fā)生變化。抓取定位孔的準(zhǔn)確度發(fā)生變化后將導(dǎo)致板材上曝光圖形的實(shí)際曝光位置與理論曝光位置發(fā)生較大偏移。當(dāng)板材上曝光圖形的實(shí)際曝光位置與理論曝光位置發(fā)生較大偏移時(shí),將會(huì)導(dǎo)致板材在后續(xù)制作過(guò)程中,容易出現(xiàn)板材破盤(pán)、層偏等批量報(bào)廢缺陷。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]基于此,本發(fā)明在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種LDI曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)方法,它能夠獲知LDI曝光機(jī)對(duì)位精度是否符合要求。
      [0004]其技術(shù)方案如下:
      [0005]—種LDI曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)方法,包括如下步驟:
      [0006]提供測(cè)試板材;
      [0007]制作鉆帶文件以及曝光圖形文件,所述鉆帶文件包括通孔和定位孔的位置信息與孔徑信息,所述曝光圖形文件包括環(huán)繞所述通孔的第一圓環(huán)和第二圓環(huán)的位置信息與環(huán)寬信息,其中,所述第二圓環(huán)環(huán)繞在所述第一圓環(huán)外,所述第一圓環(huán)、第二圓環(huán)及所述通孔同心設(shè)置;
      [0008]鉆機(jī)根據(jù)所述鉆帶文件在所述測(cè)試板材上鉆設(shè)出所述通孔及定位孔;
      [0009]在鉆出所述通孔及所述定位孔的所述測(cè)試板材上貼設(shè)干膜;
      [0010]將貼設(shè)干膜的所述測(cè)試板材放入到LDI曝光機(jī)的上游機(jī)中,根據(jù)所述曝光圖形文件對(duì)所述測(cè)試板材第一面進(jìn)行兩次曝光處理,所述兩次曝光處理為將所述測(cè)試板材第一面上通孔外的第一圓環(huán)區(qū)域與第二圓環(huán)區(qū)域分別進(jìn)行曝光處理;
      [0011]將經(jīng)過(guò)所述兩次曝光處理的測(cè)試板材進(jìn)行顯影處理;
      [0012]獲取經(jīng)過(guò)顯影處理的測(cè)試板材第一面上的第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域及所述通孔的中心位置信息;
      [0013]根據(jù)所述測(cè)試板材第一面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息或第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息與所述通孔的中心位置信息計(jì)算得到上游機(jī)絕對(duì)偏移量,根據(jù)所述測(cè)試板材第一面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息與第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息計(jì)算得到上游機(jī)相對(duì)偏移量。
      [0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中,在根據(jù)所述曝光圖形文件對(duì)所述測(cè)試板材第一面進(jìn)行兩次曝光處理之后還包括步驟:
      [0015]將所述測(cè)試板材翻轉(zhuǎn)后送入到所述LDI曝光機(jī)的下游機(jī)中,根據(jù)所述曝光圖形文件對(duì)所述測(cè)試板材第二面進(jìn)行兩次曝光處理,所述兩次曝光處理為將所述測(cè)試板材第二面上通孔外的第一圓環(huán)區(qū)域與第二圓環(huán)區(qū)域分別進(jìn)行曝光處理;
      [0016]獲取經(jīng)過(guò)顯影處理的測(cè)試板材第二面上的所述第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息;
      [0017]根據(jù)所述測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息或第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息與所述通孔的中心位置信息計(jì)算得到下游機(jī)絕對(duì)偏移量,根據(jù)所述測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息與第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息計(jì)算得到下游機(jī)相對(duì)偏移量。
      [0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中,根據(jù)所述測(cè)試板材第一面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息與所述測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息,或者根據(jù)所述測(cè)試板材第一面上的第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息與所述測(cè)試板材第二面上的第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息計(jì)算得到所述上游機(jī)與下游機(jī)之間的層間偏移量。
      [0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中,在所述測(cè)試板材的平面上建立Χ-0-Υ直角坐標(biāo)系,所述獲取經(jīng)過(guò)顯影處理的測(cè)試板材第一面上的第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域及所述通孔的中心位置信息為獲取所述測(cè)試板材第一面上的第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域及所述通孔的中心在所述Χ-0-Υ直角坐標(biāo)系上的坐標(biāo),所述獲取經(jīng)過(guò)顯影處理的測(cè)試板材第二面上的所述第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域的中心位置信息為獲取所述測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域與第二圓環(huán)區(qū)域的中心在所述Χ-0-Υ直角坐標(biāo)系上的坐標(biāo)。
      [0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述通孔為四個(gè)以上。
      [0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中,四個(gè)以上所述通孔呈矩陣布置在所述測(cè)試板材上,且相鄰所述通孔之間的距離相同。
      [0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中,在所述曝光圖形文件中,所述通孔的孔徑為100?2000 μ m,所述第一圓環(huán)的環(huán)寬為200?600 μ m,所述第一圓環(huán)的外環(huán)直徑為1000?3000 μπι,所述第二圓環(huán)的環(huán)寬為200?600 μπι,所述第二圓環(huán)的外環(huán)直徑為1500?5000 μmD
      [0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中,在所述曝光圖形文件中,所述通孔的孔徑為100 μ m,所述第一圓環(huán)的環(huán)寬為400 μ m,所述第一圓環(huán)的外環(huán)直徑為1700 μ m,所述第二圓環(huán)的環(huán)寬為400 μ m,所述第二圓環(huán)的外環(huán)直徑為3300 μ m。
      [0024]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述定位孔為至少兩個(gè),所述定位孔位于所述測(cè)試板材的頂角。
      [0025]下面結(jié)合上述技術(shù)方案對(duì)本發(fā)明的原理、效果進(jìn)一步說(shuō)明:
      [0026]1、上述的LDI曝光機(jī)對(duì)位精度檢測(cè)方法,測(cè)試板材上設(shè)置通孔,且曝光圖形文件中第一圓環(huán)、第二圓環(huán)及通孔同心設(shè)置,通過(guò)LDI曝光機(jī)將曝光圖形文件曝光到測(cè)試板材上后,在測(cè)試板材第一面上通孔外形成第一圓環(huán)區(qū)域與第二圓環(huán)區(qū)域,獲取測(cè)試板材第一面上第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域及通孔的中心位置信息,便能夠計(jì)算得到通孔中心與第一圓環(huán)區(qū)域或第二圓環(huán)區(qū)域中心之間的偏移量山、(12,及第一圓環(huán)區(qū)域中心與第二圓環(huán)區(qū)域中心之間的偏移量d3,如此山與d 2即為上游機(jī)絕對(duì)偏移量,d 3為上游機(jī)相對(duì)偏移量。根據(jù)上游機(jī)絕對(duì)偏移量與相對(duì)偏移量,便能夠獲取到LDI曝光機(jī)對(duì)位精度是否符合要求,在LDI曝光機(jī)對(duì)位精度不符合要求時(shí),對(duì)LDI曝光機(jī)相應(yīng)進(jìn)行調(diào)整,以提高LDI曝光機(jī)的對(duì)位精度。且測(cè)試板材能夠反復(fù)利用,能避免浪費(fèi)。
      [0027]2、獲取所述測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域與第二圓環(huán)區(qū)域的中心在所述Χ-0-Υ直角坐標(biāo)系上的坐標(biāo)。下游機(jī)絕對(duì)偏移量即為測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心坐標(biāo)與通孔的中心坐標(biāo)之間的偏移量或者測(cè)試板材第二面上的第二圓環(huán)區(qū)域的中心坐標(biāo)與通孔的中心坐標(biāo)之間的距離。下游機(jī)相對(duì)偏移量即為測(cè)試板材第二面上的第一圓環(huán)區(qū)域的中心坐標(biāo)與第二圓環(huán)區(qū)域的中心坐標(biāo)之間的距離。上游機(jī)與下游機(jī)之間的層間偏移量即為測(cè)試板材第一面上第一圓環(huán)區(qū)域中心坐標(biāo)與測(cè)試板材第二面上第一圓環(huán)區(qū)域中心坐標(biāo)之間的距離,或者測(cè)試板材第一面上第二圓環(huán)區(qū)域中心坐標(biāo)與測(cè)試板材第二面上第二圓環(huán)區(qū)域中心坐標(biāo)之間的距離。
      [0028]3、通孔為四個(gè)以上,測(cè)試板材第一面與第二面上的每個(gè)通孔外均對(duì)應(yīng)有第一圓環(huán)區(qū)域和第二圓環(huán)區(qū)域。上游機(jī)或下游機(jī)根據(jù)第一圓環(huán)區(qū)域中心坐標(biāo)、第二圓環(huán)區(qū)域中心及通孔中心坐標(biāo)所計(jì)算得到的絕對(duì)
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