顯影液噴嘴檢驗?zāi)０寮胺椒?br>【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件制造過程中顯影液噴嘴檢驗?zāi)０寮胺椒ā?br>【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件制造工藝中，光刻是其中的一個重要步驟，在該步驟中利用曝光和顯影對晶圓表面形成的光刻膠進行圖案化，然后通過刻蝕工藝將圖案化光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻工藝通常采用的步驟包括:首先，在晶圓表面涂覆光刻膠后，利用特定波長的光對覆蓋晶圓的光刻膠進行選擇性照射，光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；在曝光過程結(jié)束后加入顯影液，一般是通過顯影噴嘴對已曝光的光刻膠噴灑顯影液，正性光刻膠的被照射區(qū)域、負性光刻膠的未被照射區(qū)域會溶液于顯影液，而剩余的未溶解的部分(正性光刻膠的未被照射區(qū)域和負性光刻膠的照射區(qū)域)則被保留，進而形成圖案化的光刻膠；最后，利用該圖案化的光刻膠作為掩膜進行刻蝕或離子注入，并在完成后去除光刻膠，得到期望的被處理晶圓。
[0003]光刻工藝中圖案化光刻膠的精度，即圖案化光刻膠的大小、尺寸等影響了半導(dǎo)體器件是否符合設(shè)計期望；而實際工藝實現(xiàn)中，圖案化光刻膠的精度取決于諸多因素，如曝光精度、顯影精度等等。其中，顯影是通過一系列顯影噴嘴對晶圓進行噴灑顯影液完成的，現(xiàn)有的顯影設(shè)備中包括水平延伸的噴淋管，多個顯影噴嘴設(shè)置于噴淋管上，并在噴淋管延伸方向上等間隔排列。一般涂覆有光刻膠的晶圓上形成有切割道(scribe lane)，當某一噴嘴發(fā)生損壞后，其噴灑的顯影液流量會發(fā)生變化，使得噴灑的顯影液存在噴灑不均勻的現(xiàn)象；在此基礎(chǔ)上，由于切割道的導(dǎo)流作用，導(dǎo)致顯影液聚集會聚集在切割道內(nèi)，使聚集有大量顯影液的切割道附近的光刻膠過顯影，進而使得圖案化光刻膠精度降低，影響半導(dǎo)體器件合格率。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，尚無辦法對可能存在損壞的噴嘴進行檢驗的裝置和方法，并且無法對具體的損壞噴嘴進行定位，僅能在出現(xiàn)上述問題，產(chǎn)生廢片后對噴淋管上的噴嘴進行整體更換，因此增加了工藝成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種顯影液噴嘴檢驗?zāi)０寮胺椒?，以實現(xiàn)對顯影噴嘴是否發(fā)生損壞進行檢驗，并對損壞的顯影噴嘴進行準確定位，進而提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品合格率。
[0006]本發(fā)明提供了一種顯影噴嘴檢驗?zāi)０澹糜趯︼@影噴嘴進行檢測，多個所述顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；所述顯影噴嘴檢驗?zāi)０灏ò雽?dǎo)體基底以及圖案化光刻膠；
[0007]其中，所述半導(dǎo)體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；
[0008]所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導(dǎo)體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠。
[0009]進一步，所述半導(dǎo)體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離。
[0010]進一步，所述圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導(dǎo)體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠。
[0011]進一步，所述半導(dǎo)體基底形成有零層對準標記。
[0012]本發(fā)明還提供了一種顯影噴嘴檢驗方法，用于對顯影噴嘴進行檢測，多個所述顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列，方法包括:
[0013]提供顯影噴嘴檢驗?zāi)０?，包括半?dǎo)體基底以及圖案化光刻膠；所述半導(dǎo)體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導(dǎo)體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠；
[0014]將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道--對準；
[0015]通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑；
[0016]待顯影完成后觀察所述條形光刻膠是否存在過顯影缺陷，若存在，則判斷存在過顯影缺陷的條形光刻膠臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷。
[0017]進一步，所述半導(dǎo)體基底形成有零層對準標記，所述將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準包括:
[0018]通過所述零層對準標記對半導(dǎo)體基底進行定位放置；
[0019]通過旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基底將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準。
[0020]進一步，所述半導(dǎo)體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；
[0021]所述圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導(dǎo)體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠；
[0022]進一步，通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑時，所述顯影噴嘴沿與其對應(yīng)的切割道延伸方向移動噴灑顯影劑。
[0023]本發(fā)明提供的顯影液噴嘴檢驗?zāi)０逯校瑱z驗?zāi)０灏ㄖ辽僖唤M形成在半導(dǎo)體基底上相互平行的切割道，以及在半導(dǎo)體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠；其中，每條切割道的寬度大于等于顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；因此，在進行顯影噴嘴檢測時，將多個顯影噴嘴與一組切割道中的多個切割道一一對準后，噴灑顯影劑，由于顯影噴嘴發(fā)生損壞后會導(dǎo)致顯影液噴灑過量，而過量的顯影液在切割道的導(dǎo)流作用下產(chǎn)生匯聚，進而匯聚的過量顯影液將對對應(yīng)于損壞顯影噴嘴的切割道邊緣的條形光刻膠產(chǎn)生過顯影，進而導(dǎo)致條形光刻膠發(fā)生剝落缺陷，通過觀察噴灑顯影液后的條形光刻膠是否存在缺陷即可判斷出其臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷，進而實現(xiàn)了對顯影噴嘴是否發(fā)生損壞進行檢驗的同時，對損壞的顯影噴嘴進行準確定位的目的。
【附圖說明】
[0024]圖1為本申請顯影液噴嘴檢驗?zāi)０逡环N實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為圖1局部放大縱切圖；
[0026]圖3為本申請顯影液噴嘴檢驗方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下參照附圖并舉實施例，對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0028]本發(fā)明提供了一種顯影噴嘴檢驗?zāi)０澹糜趯︼@影噴嘴進行檢測，多個顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；作為其典型實施例如圖1和圖2所示結(jié)構(gòu),包括:
[0029]半導(dǎo)體基底10以及圖案化光刻膠；
[0030]其中，半導(dǎo)體基底10上形成有至少一組相互平行的切割道11，每條切割道的寬度dl大于等于顯影噴嘴20寬度rl，且該組切割道11中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離d2等于兩相鄰顯影噴嘴20邊緣之間的最短距離r2，如此設(shè)置可使噴嘴20與多個切割道11 一一對應(yīng)。
[0031]圖案化光刻膠形成于切割道11之間的半導(dǎo)體基底10表面，圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底10表面與切割道交界處的條形光刻膠12。
[0032]