陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著液晶顯示產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛，液晶顯示技術(shù)也越來越完善。
[0003]TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)以其高品質(zhì)的圖像顯示、低能耗、環(huán)保等優(yōu)勢在顯示領(lǐng)域占據(jù)著十分重要位置。作為TFT-1XD的一種新型制造工藝，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)技術(shù)利用準(zhǔn)分子激光退火工藝將非晶硅(a-Si)薄膜層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?Poly-Si)薄膜層。相比非晶硅材料，多晶硅材料的電子迀移率有100倍以上的增加，因此使用LTPS技術(shù)可使TFT-LCD具有更快的響應(yīng)時間，具有更高的分辨率，更佳的畫面顯示品質(zhì)。另外使用LTPS技術(shù)，能夠減少集成電路1C，簡化顯示裝置的外圍，實現(xiàn)窄邊框技術(shù)。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有LTPS TFT陣列基板的有源層3大多呈U形，U形區(qū)域內(nèi)面積小易形成刻蝕殘留，并且現(xiàn)有LTPS TFT陣列基板在生產(chǎn)制程中經(jīng)常會產(chǎn)生數(shù)據(jù)線斷路(ArrayData Open)不良，維修時通常采用鎢粉的熱效應(yīng)，用激光進行架橋連接維修，維修過程需要設(shè)置修復(fù)線并進行焊接，維修方法復(fù)雜且成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠減少陣列基板數(shù)據(jù)線的斷線不良，進而降低陣列基板的維修成本。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，提供一種陣列基板，包括形成在基板上的多個薄膜晶體管和多條數(shù)據(jù)線，每一薄膜晶體管包括有源層圖形，所述有源層圖形和所述數(shù)據(jù)線之間間隔有絕緣層，每一所述有源層圖形包括有與所述數(shù)據(jù)線平行的第一部分，所述數(shù)據(jù)線至少部分在基板上的投影落入所述有源層圖形的第一部分在基板上的投影內(nèi)，每一所述第一部分通過至少兩個貫穿所述絕緣層的接觸孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0008]進一步地，所述第一部分通過三個以上的接觸孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0009]進一步地，所述第一部分的寬度大于或等于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0010]進一步地，每一所述有源層圖形還包括位于所述第一部分端部的第二部分，所述第二部分與對應(yīng)薄膜晶體管的源極和漏極相接觸。
[0011]進一步地，所述第一部分的寬度大于或等于所述第二部分的寬度。
[0012]進一步地，所述第二部分包括與所述第一部分第一端相連的第一連接部和與所述第一部分第二端相連的第二連接部，第一連接部與第一薄膜晶體管的源極和漏極相對應(yīng)并接觸，第二連接部與第二薄膜晶體管的源極和漏極相對應(yīng)并接觸，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管位于同一行，且第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管分列同一數(shù)據(jù)線的兩側(cè)。
[0013]進一步地，所述有源層圖形為多晶硅材料。
[0014]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0015]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0016]形成多個薄膜晶體管的有源層圖形，所述有源層圖形包括有第一部分；
[0017]在所述有源層圖形上形成絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝形成包括有多個接觸孔的絕緣層的圖形；
[0018]在所述絕緣層的圖形上形成多條數(shù)據(jù)線，所述第一部分與所述數(shù)據(jù)線平行，所述數(shù)據(jù)線至少部分在基板上的投影落入所述有源層圖形的第一部分在基板上的投影內(nèi)，每一所述第一部分通過至少兩個貫穿所述絕緣層的接觸孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0019]進一步地，形成所述有源層圖形還包括:
[0020]形成位于所述第一部分端部的第二部分，所述第二部分與對應(yīng)薄膜晶體管的源極和漏極相接觸。
[0021]本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:
[0022]上述方案中，有源層圖形包括有與數(shù)據(jù)線平行的第一部分，每一第一部分通過兩個以上的接觸孔與數(shù)據(jù)線連接，這樣當(dāng)數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷線時，如果斷線處位于同一第一部分對應(yīng)的兩個接觸孔之間，則斷路的數(shù)據(jù)線可以通過第一部分連接起來，在陣列基板工作時，數(shù)據(jù)信號可以通過數(shù)據(jù)線_>接觸孔_>第一部分_>接觸孔_>數(shù)據(jù)線來進行傳遞，從而能夠減少陣列基板數(shù)據(jù)線的斷線不良，也不必再采用鎢粉用激光進行架橋連接維修，進而降低了陣列基板的維修成本。
【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有LTPS TFT陣列基板的有源層的形狀示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實施例陣列基板的有源層的形狀示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實施例陣列基板的平面示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明實施例陣列基板的驅(qū)動信號的時序示意圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實施例陣列基板的局部示意圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實施例陣列基板數(shù)據(jù)線未發(fā)生斷線不良時的截面示意圖；
[0029]圖7為本發(fā)明實施例陣列基板數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線不良時的截面示意圖。
[0030]附圖標(biāo)記
[0031]1柵金屬層 2源漏金屬層 3有源層
[0032]4接觸孔5襯底基板6緩沖層
[0033]7柵絕緣層 8層間絕緣層
【具體實施方式】
[0034]為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0035]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠減少陣列基板數(shù)據(jù)線的斷線不良，進而降低陣列基板的維修成本。
[0036]實施例一
[0037]本實施例提供了一種陣列基板，包括形成在基板上的多個薄膜晶體管和多條數(shù)據(jù)線，每一薄膜晶體管包括有源層圖形，所述有源層圖形和所述數(shù)據(jù)線之間間隔有絕緣層，每一所述有源層圖形包括有與所述數(shù)據(jù)線平行的第一部分，所述數(shù)據(jù)線至少部分在基板上的投影落入所述有源層圖形的第一部分在基板上的投影內(nèi)，每一所述第一部分通過至少兩個貫穿所述絕緣層的接觸孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0038]本實施例中，有源層圖形包括有與數(shù)據(jù)線平行的第一部分，每一第一部分通過兩個以上的接觸孔與數(shù)據(jù)線連接，這樣當(dāng)數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷線時，如果斷線處位于同一第一部分對應(yīng)的兩個接觸孔之間，則斷路的數(shù)據(jù)線可以通過第一部分連接起來，在陣列基板工作時，數(shù)據(jù)信號可以通過數(shù)據(jù)線_>接觸孔_>第一部分_>接觸孔_>數(shù)據(jù)線來進行傳遞，從而能夠減少陣列基板數(shù)據(jù)線的斷線不良，也不必再采用鎢粉用激光進行架橋連接維修，進而降低了陣列基板的維修成本。
[0039]優(yōu)選地，每一第一部分通過三個以上的接觸孔與數(shù)據(jù)線連接，接觸孔的數(shù)量越多，第一部分與對應(yīng)數(shù)據(jù)線的連接越可靠。比如，在每一第一部分通過三個接觸孔與數(shù)據(jù)線連接時，即使其中有一個接觸孔接觸不良，也不影響數(shù)據(jù)線通過其他兩個接觸孔與第一部分連接；在每一第一部分通過四個接觸孔與數(shù)據(jù)線連接時，即使其中有一個或兩個接觸孔接觸不良，也不影響數(shù)據(jù)線通過其他接觸孔與第一部分連接；在每一第一部分通過五個接觸孔與數(shù)據(jù)線連接時，即使其中有一個或兩個或三個接觸孔接觸不良，也不影響數(shù)據(jù)線通過其他接觸孔與第一部分連接。同時接觸孔設(shè)置的越多，對工藝的要求越高，因此，優(yōu)選實施方式中，每一第一部分通過三個或四個接觸孔與數(shù)據(jù)線連接。
[0040]第一部分的寬度可以大于或等于數(shù)據(jù)線的寬度，優(yōu)選地，第一部分的寬度大于數(shù)據(jù)線的寬度，這樣第一部分的寬度可以設(shè)置的比較寬，能夠有效降低第一部分的電阻，以便在陣列基板工作時更好地傳輸數(shù)據(jù)信號。
[0041]進一步地，每一所述有源層圖形還包括位于所述第一部分端部的第二部分，所述第二部分與對應(yīng)薄膜晶體管的源極和漏極相接觸。
[0042]進一步地，所述第一部分的寬度大于或等于所述第二部分的寬度。這樣第一部分的寬度可以設(shè)置的比較寬，能夠有效降低第一部分的電阻，以便在陣列基板工作時更好地傳輸數(shù)據(jù)信號。
[0043]進一步地，所述第二部分包括與所述第一部分第一端相連的第一連接部和與所述第一部分第二端相連的第二連接部，第一連接部與第一薄膜晶體管的源極和漏極相對應(yīng)并接觸，第二連接部與第二薄膜晶體管的源極和漏極相對應(yīng)并接觸，第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管位于同一行，且第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管分列同一數(shù)據(jù)線的兩側(cè)。
[0044]優(yōu)選地，有源層圖形為采用多晶硅材料制成，相比非晶硅材料，多晶硅材料的電子迀移率有100倍以上的增加，因此有源層圖形采用多晶硅材料可使陣列基板具有更快的響應(yīng)時間，使顯示裝置具有更高的分辨率，更佳的畫面顯示品質(zhì)。
[0045]實施例二
[0046]本實施例提供了一種顯示裝