一種基于納米壓印的圖形轉(zhuǎn)移制備光柵的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光學(xué)薄膜微納結(jié)構(gòu)制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于納米壓印的全新微納圖形轉(zhuǎn)移制備光柵的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光柵是由大量等寬等間距的平行狹縫構(gòu)成的光學(xué)器件，作為一種分光元件，廣泛應(yīng)用于光譜測(cè)量、光計(jì)算及光學(xué)信息處理等領(lǐng)域中。不僅是分析物質(zhì)成分、探索宇宙奧秘的必用儀器，同時(shí)也推動(dòng)了物理學(xué)、天文學(xué)、生物學(xué)等學(xué)科的協(xié)調(diào)發(fā)展。自從1819年夫瑯和費(fèi)制成世界上第一塊光柵，光柵制造技術(shù)經(jīng)歷了幾次大的改進(jìn)，每次大的改進(jìn)都依賴于技術(shù)上的進(jìn)步和理論上的突破，當(dāng)今光柵的發(fā)展趨勢(shì)正朝著高衍射效率、大面積、新品種的方向發(fā)展，具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]為了進(jìn)一步優(yōu)化光柵制備工藝，降低生產(chǎn)成本，簡(jiǎn)化制備流程，將光柵產(chǎn)品推廣應(yīng)用，人們?cè)诠鈻胖苽浞椒ê凸に囘M(jìn)行了大量的研究。機(jī)械式刻劃光柵為應(yīng)用最早的衍射光柵，主要是利用裝在光柵刻劃?rùn)C(jī)的金剛石等硬刀頭，在事先鍍好金屬涂層的光柵毛坯表面做往復(fù)運(yùn)動(dòng)，刻成大量平行的、等距的、非常平直的刻槽。制備的光柵精度不高，光柵線密度較大，而且刻劃?rùn)C(jī)對(duì)環(huán)境要求非常高。利用單色激光的雙光束干涉圖樣直接曝光涂有光刻膠的基片，再經(jīng)腐蝕顯影、定影和烘干程序后在真空系統(tǒng)中鍍膜獲得的全息光柵以其完全無(wú)鬼線、高信噪比、制作周期短、面型較特殊的光柵也能制作等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于光柵制備。但在全息曝光過程中，來自光學(xué)元件表面的加工痕跡、折射率的不均一、透鏡粘合界面等的雜散光也相干地疊加到主干涉光束中，曝光、顯影后的光柵浮雕圖形上相應(yīng)疊加有不想要的結(jié)構(gòu)圖形等缺點(diǎn)也推動(dòng)著光柵制備工藝的進(jìn)一步發(fā)展。利用惰性氣體電離后撞擊材料表面產(chǎn)生的物理濺射效應(yīng)制備的離子束刻蝕光柵集中了刻劃光柵高衍射效率和全息光柵低雜散光、高信噪比、無(wú)鬼線的優(yōu)點(diǎn)于一身。但由于離子束刻蝕過程中參與了多種物理和化學(xué)反應(yīng)，因而轉(zhuǎn)移到基底上的微結(jié)構(gòu)圖形是否符合期望值具有不確定性。
[0004]自1995年普林斯頓大學(xué)納米中心主任StephenChou提出了納米壓印技術(shù)，納米壓印就以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)引起了國(guó)內(nèi)外諸多學(xué)者的關(guān)注，廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體加工和光電子器件加工等領(lǐng)域。納米壓印是一種基于膠的流動(dòng)特性的直接機(jī)械接觸式的圖形復(fù)制技術(shù)。與傳統(tǒng)的光刻技術(shù)相比，納米壓印的圖形尺寸不受光學(xué)衍射極限的限制，只與模板精度有關(guān)，因此具有更高的分辨率，且成本低，重復(fù)性好，可控性強(qiáng)等一系列優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于納米壓印制作的光柵掩模的圖形轉(zhuǎn)移，目前還是以離子束刻蝕為主。由于工藝復(fù)雜，制備成本高且轉(zhuǎn)移到基底上的微結(jié)構(gòu)圖形具有不確定性，因此探索一種新的基于納米壓印的微納圖形轉(zhuǎn)移法制備光柵的方法非常具有意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是一種基于納米壓印的圖形轉(zhuǎn)移制備光柵的方法，該方法制備工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低。
[0006]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是，一種基于納米壓印的圖形轉(zhuǎn)移制備光柵的方法，其特征在于包括有以下步驟:
1)基片上聚合物的涂布:在光滑潔凈的基片上均勻的旋涂一層聚合物，放入烘箱中烘干備用；
2)壓模模板的制備:將壓模毛坯材料加工成所需光柵幾何結(jié)構(gòu)的壓模模板；
3)壓印過程:把涂敷聚合物的基片及壓模模板安裝到壓印機(jī)的兩個(gè)壓印盤上，加熱到聚合物玻璃態(tài)相變點(diǎn)溫度附近時(shí)，加壓(壓力為4X106Pa)，使聚合物充滿壓模圖案，然后進(jìn)行冷卻；當(dāng)溫度降到相變點(diǎn)附近時(shí)，將壓模模板與基片分開；當(dāng)溫度降到室溫時(shí)，將基片烘干后即得到聚合物掩模槽型；
4)微納圖形轉(zhuǎn)移:直接利用電子束蒸發(fā)法將所需光柵脊材料填充進(jìn)聚合物掩模槽型中，利用光控膜厚技術(shù)監(jiān)控沉積厚度，再用有機(jī)溶劑溶解聚合物花紋，形成與掩模互補(bǔ)的光柵結(jié)構(gòu)，得到基于納米壓印的圖形轉(zhuǎn)移制備的光柵。
[0007]按上述方案，步驟1)所述基片(納米壓印術(shù)制作納米器件所用的基片)是各種光學(xué)玻璃或鍍膜玻璃，與通常光刻工藝所用的類似，可以是Si片、光學(xué)玻璃、鍍有介質(zhì)或金屬膜層的光學(xué)玻璃等。
[0008]按上述方案，步驟1)所述的聚合物為熱壓印材料(各種熱壓印光刻膠)，通常為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)等中的一種。
[0009]按上述方案，步驟1)所述的聚合物旋涂厚度為300-450nm。
[0010]按上述方案，步驟2)所述的壓模毛坯材料通常用S1、Si02、氮化硅、金剛石或熔融石英等。壓模通常選擇強(qiáng)度高、不易磨損、熱變形小的材料作為壓模材料。
[0011]按上述方案，步驟3)所述的聚合物玻璃態(tài)相變點(diǎn)溫度附近通常是比相變點(diǎn)高‘Ο-ι 00°C ο
[0012]按上述方案，步驟4)所述的光柵脊材料為各種常用光柵層介質(zhì)材料或金屬材料，可為Si02、Hf02或其他介質(zhì)材料，也可以是Au、Al等金屬材料。
[0013]納米壓印術(shù)在壓印時(shí)涉及到壓模與基片表面聚合物薄膜的物理接觸，在接觸和分離過程中壓模的變形和磨損就成了影響圖案復(fù)制的嚴(yán)重問題，因此壓模必需有足夠的強(qiáng)度，并且在多次壓印中保證其耐用性。壓模通常用S1、Si02、氮化硅、金剛石等材料制成。這些材料具有很多優(yōu)良的性質(zhì):壓縮強(qiáng)度、大抗拉強(qiáng)度可以減少壓模的變形和磨損;高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，使得在加熱過程中壓模的熱變形很小。另外，重復(fù)的壓印制作會(huì)污染壓模，需要用強(qiáng)酸和有機(jī)溶劑來清潔壓模，這就要求制作壓模的材料是抗腐蝕的惰性材料。
[0014]按上述方案，步驟4)所述的溶解聚合物的有機(jī)溶劑可以是二氯乙烷、氯仿、丙酮、冰醋酸、二氧六環(huán)、四氫呋喃等中的一種，視所采用的聚合物而定。
[0015]按上述方案，所述的微納圖形轉(zhuǎn)移中，電子束蒸發(fā)沉積光柵脊材料的高度可以小于或等于聚合物掩模槽型高度，其沉積厚度可以根據(jù)所需光柵脊高度而定。經(jīng)有機(jī)溶劑洗去聚合物光刻膠掩模后，需再次進(jìn)行烘干處理，工藝條件和上述方案，步驟1)所述烘烤工藝一樣，最后獲得與掩模結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的光柵微納結(jié)構(gòu)圖形。
[0016]本發(fā)明基本概念是將堅(jiān)硬的壓模毛坯加工成一個(gè)壓模;然后在基片上旋涂一層聚合物薄膜，將其放入壓印機(jī)加熱、加壓，然后降低溫度到聚合物玻璃化溫度以下，將壓模與聚合物層相分離，形成光柵掩膜;最后再利用電子束蒸發(fā)光柵層材料的方法直接將所需光柵脊材料填充進(jìn)掩模槽中，然后用有機(jī)溶劑溶解聚合物圖形結(jié)構(gòu)，形成與掩模結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的光柵結(jié)構(gòu)。此微納圖形轉(zhuǎn)移法省去了傳統(tǒng)的納米壓印后的離子束刻蝕過程，簡(jiǎn)化了制作工藝，節(jié)約成本，具有光柵脊沉積高度可調(diào)節(jié)和重復(fù)性高的優(yōu)點(diǎn)，為光柵制備提供新的可能。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:優(yōu)化光柵制備工藝，降低生產(chǎn)成本，省去了納米壓印后光柵掩模圖形轉(zhuǎn)移的離子束刻蝕，僅用電子束蒸發(fā)光柵脊材料填充掩模以獲得所需光柵結(jié)構(gòu)，為微納圖形轉(zhuǎn)移提供了新方法，同時(shí)降低光柵制備成本，制備方法簡(jiǎn)單，易于工業(yè)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施例步驟3)的納米壓印過程流程圖。
[0019]圖2是本發(fā)明實(shí)施例步驟4)微納圖形轉(zhuǎn)移過程流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明。
[0021]實(shí)施例1
步驟1):取一上表面潔凈光滑的基片作為旋涂聚合物光刻膠的基底，基片材料可以是K9玻璃或熔融石英，基片形狀可以是圓片或方形片。本實(shí)施例使用的是直徑為30mm的圓形K9玻璃作為基底，用丙酮在預(yù)涂聚合物面仔細(xì)擦拭三遍，待丙酮自然揮發(fā)干燥后，放入德國(guó)Karl Suss公司CT62型甩膠臺(tái)中心。開啟液壓氮?dú)馕∑脚_(tái)上的基片，向基片中心滴入3滴聚合物(PMMA)溶劑，設(shè)置轉(zhuǎn)速為3500r/min，時(shí)間為30s，此設(shè)置下旋涂的聚合物薄膜厚度在350nm左右。合上旋轉(zhuǎn)蓋，開啟旋轉(zhuǎn)臺(tái)。待用膠結(jié)束后取出基片，放入德國(guó)Heraeus公司的烘箱中進(jìn)行烘干，設(shè)置烘箱溫度為90°C，烘烤時(shí)間為30min，待烘干結(jié)束后取出旋涂好聚合物(PMMA)的K9基片。
[0022]步驟2):選取表面潔凈光滑lOmmxlOmm的矩形熔融石英作為壓模模板材料，用丙酮在預(yù)刻蝕光柵的表面仔細(xì)擦拭三遍，待丙酮自然揮發(fā)干燥后放入甩膠臺(tái)，滴入3滴光刻膠溶劑，設(shè)置轉(zhuǎn)速為3500r/min，時(shí)間為30s。待甩膠結(jié)束后取出熔融石英放入烘箱中烘干，設(shè)置烘箱溫度為90°C，烘烤時(shí)間為30min。待烘干結(jié)束后取出旋涂好光刻膠的熔融石英，采用100keV高能量的電子束曝光，經(jīng)顯影干燥后放入JBX5000LS型電子束光刻機(jī)中進(jìn)行刻蝕。根據(jù)所需槽型深度和占寬比要求設(shè)置相應(yīng)工藝參數(shù)，待刻蝕完畢后取出樣品放入有機(jī)溶劑丙酮中洗去表面殘余光刻膠，烘干后得到壓模模板。
[0023]步驟3):利用步驟1)制備的旋涂有聚合物(PMMA)的K9基片和步驟2)制備的壓模模板進(jìn)行納米壓印的壓印過程。將旋涂后的基片及壓模模板(圖1中的模具)安裝到壓印機(jī)的兩個(gè)壓印盤上。壓印的操作程序如圖1所示。把所放基片及壓模模板加熱到聚合