陣列基板及陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示設(shè)備，比如液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)是一種常用的電子設(shè)備，由于其具有功耗低、體積小、重量輕等特點(diǎn)，因此備受用戶的青睞。半透半反式液晶顯示裝置(Trans-flective Liquid Crystal Display)同時(shí)具有透射式和反射式特性，半透半反式液晶面板在一個(gè)像素域內(nèi)包括有透明電極的透射區(qū)和有反射層的反射區(qū)。在黑暗的地方可以利用像素區(qū)域的透射區(qū)和背光源來顯示畫像，在明亮的地方利用像素區(qū)域的反射區(qū)和外光來顯示畫像。因此，半透半反式液晶顯示裝置可以適應(yīng)不同的亮暗環(huán)境而得到廣泛應(yīng)用。現(xiàn)有技術(shù)中，所述半透半反式液晶顯示裝置中反射外來光線的能力較弱，從而導(dǎo)致半透半反式液晶顯示裝置在反射外來光線時(shí)顯示畫面時(shí)的顯示質(zhì)量較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括基板及設(shè)置在所述基板同側(cè)的多個(gè)柵極線、多個(gè)數(shù)據(jù)線及多個(gè)公共電極線，所述基板包括第一表面，所述多個(gè)柵極線設(shè)置在所述第一表面上，且所述多個(gè)柵極線向第一方向延伸且沿第二方向間隔排布，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線與所述多個(gè)柵極線通過第一絕緣層絕緣設(shè)置，且所述多個(gè)數(shù)據(jù)線向所述第二方向延伸且沿所述第一方向間隔排布，所述多個(gè)公共電極線與所述多個(gè)柵極線平行，一個(gè)公共電極線設(shè)置于相鄰的兩個(gè)柵極線之間，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線通過所述第一絕緣層絕緣設(shè)置，所述公共電極線鄰近所述第一表面設(shè)置，且所述公共電極線為金屬層，相鄰的兩條柵極線及相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間限定一個(gè)像素區(qū)域，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管、公共電極及像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極、所述第一絕緣層、溝道層、源極及漏極，所述柵極設(shè)置在所述第一表面上，所述公共電極與所述公共電極線電連接，且所述公共電極設(shè)置在所述第一表面上，所述公共電極為透明導(dǎo)電層，所述公共電極線設(shè)置在公共電極上且與所述公共電極電連接，所述溝道層、所述源極及所述漏極設(shè)置在所述第一絕緣層上且所述源極與所述漏極設(shè)置在所述溝道層相對(duì)的兩端，所述像素電極設(shè)置在所述第一絕緣層上且與所述公共電極對(duì)應(yīng)，且所述像素電極與所述漏極電連接，一第二絕緣層覆蓋所述溝道層、所述源極、所述漏極、所述像素電極及所述數(shù)據(jù)線。
[0004]其中所述像素電極為金屬層，用于反射入射至所述像素電極的光線。
[0005]其中，所述薄膜晶體管還包括第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層設(shè)置在所述溝道層與所述源極之間，用于減小所述溝道層與所述源極之間的接觸電阻。
[0006]其中，所述薄膜晶體管還包括第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層設(shè)置在所述溝道層與所述漏極之間，用于減小所述溝道層與所述漏極之間的接觸電阻。
[0007]其中，所述第一絕緣層包括對(duì)應(yīng)所述柵極線開設(shè)的第一貫孔，所述第二絕緣層包括對(duì)應(yīng)所述第一貫孔開設(shè)的第二貫孔及對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線開設(shè)的第三貫孔，所述陣列基板還包括柵極端子及數(shù)據(jù)端子，所述柵極端子通過所述第一貫孔及所述第二貫孔電連接所述柵極線，所述數(shù)據(jù)端子通過所述第三貫孔電連接所述數(shù)據(jù)線，其中，所述柵極端子及所述數(shù)據(jù)端子為導(dǎo)電的。
[0008]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括:
[0009 ]提供基板；
[0010]在所述基板的第一表面沉積整層的第一透明導(dǎo)電層；
[0011 ]圖案化所述第一透明導(dǎo)電層，以形成多個(gè)公共電極；
[0012]沉積整層第一金屬層；
[0013]圖案化所述第一金屬層，以形成與所述公共電極平行的多個(gè)柵極線，設(shè)置在兩柵極線之間的且間隔設(shè)置的柵極，以及向第一方向延伸且沿第二方向間隔排布的且設(shè)置在所述公共電極上的多個(gè)公共電極線，其中，兩個(gè)柵極線之間設(shè)置一個(gè)公共電極；
[0014]形成覆蓋所述柵極線、所述公共電極、所述公共電極線及所述柵極線的第一絕緣層；
[0015]在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的表面形成與所述柵極對(duì)應(yīng)設(shè)置的溝道層；
[0016]形成覆蓋所述第一絕緣層及所述溝道層的第二金屬層；
[0017]圖案化所述第二金屬層，以形成多個(gè)沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多條數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置在相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間且對(duì)應(yīng)所述溝道層的兩端設(shè)置的源極及漏極、及與所述漏極電連接的像素電極；
[0018]形成覆蓋所述溝道層、所述源極、所述漏極、所述像素電極及所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層。
[0019]其中，所述步驟“在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的表面形成與所述柵極對(duì)應(yīng)設(shè)置的溝道層”包括:
[0020]在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的表面形成整層的非晶硅層；
[0021]圖案化所述非晶硅層，保留對(duì)應(yīng)所述柵極設(shè)置的所述非晶硅層；
[0022]對(duì)保留的所述非晶硅層的兩端進(jìn)行離子摻雜，以分別形成第一歐姆接觸層及第二歐姆接觸層，未進(jìn)行離子摻雜的所述非晶硅層為所述溝道層。
[0023]其中，所述離子摻雜為N型離子摻雜。
[0024]其中，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0025]在所述第一絕緣層上開設(shè)對(duì)應(yīng)所述柵極線的第一貫孔，在所述第二絕緣層上開設(shè)對(duì)應(yīng)所述第一貫孔的第二貫孔及對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線的第三貫孔；
[0026]在所述第二絕緣層上形成透明導(dǎo)電材料層；
[0027]圖案化所述透明導(dǎo)電材料層，保留對(duì)應(yīng)所述第二貫孔及所述第一貫孔的透明導(dǎo)電材料層以及對(duì)應(yīng)所述第三貫孔的透明導(dǎo)電材料層，其中，對(duì)應(yīng)所述第二貫孔及所述第一貫孔的透明導(dǎo)電材料層為柵極端子，對(duì)應(yīng)所述第三貫孔的透明導(dǎo)電材料層為數(shù)據(jù)端子。
[0028]其中，所述透明導(dǎo)電材料層包括氧化銦錫。
[0029]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的陣列基板中的所述公共電極線為金屬層，所述公共電極線可以反射入射到所述公共電極線的光線;所述公共電極為透明導(dǎo)電層，可以透射入射到所述公共電極的光線，從而使得所述陣列基板所應(yīng)用的液晶顯示裝置具有半透半反的性能。當(dāng)所述陣列基板所應(yīng)用的液晶顯示裝置處于明亮的地方時(shí)，能夠利用所述公共電極線反射的光線顯示圖像，從而提升液晶顯示裝置顯示畫面時(shí)的顯示質(zhì)量。且所述公共電極線設(shè)置在所述公共電極上且與所述公共電極電連接，因此，所述公共電極線與所述公共電極之間的導(dǎo)電性能得到提高。
【附圖說明】
[0030]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的陣列基板的俯視圖。
[0032]圖2為圖1中沿1-Ι線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的陣列基板的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035]請(qǐng)一并參閱圖1及圖2，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的陣列基板的俯視圖；圖2為圖1中沿1-Ι線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述陣列基板10可應(yīng)用于半透半反式邊緣開關(guān)(FringeField Switching，F(xiàn)FS)面板裝置。所述陣列基板10包括基板100及設(shè)置在所述基板100同側(cè)的多個(gè)柵極線200、多個(gè)數(shù)據(jù)線300及多個(gè)公共電極線400。所述基板100包括第一表面110。所述多個(gè)柵極線200設(shè)置在所述第一表面110上，且所述多個(gè)柵極線200向第一方向D1延伸且沿第二方向D2間隔排布。所述多個(gè)數(shù)據(jù)線300與所述多個(gè)柵極線200通過第一絕