一種陣列基板以及液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是設(shè)及一種陣列基板W及液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器化iquid Crystal Display ,LCD)具有色彩表現(xiàn)優(yōu)異、可視角度大、對 比度高等優(yōu)點(diǎn)，使得其具有廣闊的市場前景。
[0003] -般情況下，每一行薄膜晶體管打開的時間比較短，很難達(dá)到液晶的響應(yīng)時間，從 而會使液晶顯示器出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。因此，為了避免運(yùn)樣的問題，液晶顯示器一般均會包括存 儲電容Cst,其中對于部分液晶顯示器，其存儲電容即為由像素電極和公共電極形成的電 容。運(yùn)樣，在薄膜晶體管關(guān)閉之后的一定時間內(nèi)，該存儲電容便可W用于維持像素電極的電 壓，從而為液晶響應(yīng)提供更長的時間。
[0004] 但是，隨著液晶顯示器向著輕薄化和低功耗發(fā)展，需要減小顯示器的尺寸，運(yùn)樣會 引起存儲電容的減小，使得液晶的響應(yīng)時間不夠，從而導(dǎo)致閃爍現(xiàn)象的發(fā)生，影響顯示效 果。另外，根據(jù)邊緣場開關(guān)技術(shù)(Fringe Field Switching,FFS)制作的顯示屏因其有較寬 的視角和不易受液晶盒厚輕微變化的影響，俗稱為硬屏。但運(yùn)種液晶屏幕中TFT容易產(chǎn)生漏 電的影響，往往需要較大的儲存電容Cst，W防止在一帖的時間TFT漏電引起像素灰階變化， 灰階變化會引起液晶屏幕光學(xué)品質(zhì)下降，如串?dāng)_和閃速等現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板W及液晶顯示器，能夠增加存儲 電容的大小，提高顯示器的光學(xué)品質(zhì)。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，該陣列 基板包括:基板;薄膜晶體管，設(shè)置于基板上方;導(dǎo)電層，設(shè)置于薄膜晶體管上方，并與薄膜 晶體管的漏極連接;公共電極，設(shè)置于導(dǎo)電層上方，與導(dǎo)電層形成第一電容;像素電極，設(shè)置 于公共電極上方，并與導(dǎo)電層連接，像素電極與公共電極形成第二電容。
[0007] 其中，導(dǎo)電層的導(dǎo)電率大于像素電極的導(dǎo)電率。
[000引其中，還包括觸摸信號線，觸摸信號線與導(dǎo)電層采用相同工藝設(shè)置于同層。
[0009] 其中，還包括：平坦層，覆蓋薄膜晶體管；第一絕緣層，設(shè)置于平坦層與導(dǎo)電層之 間；第二絕緣層，設(shè)置于導(dǎo)電層與公共電極之間；第=絕緣層，設(shè)置于公共電極與像素電極 之間。
[0010] 其中，導(dǎo)電層通過第一絕緣層及平坦層上的通孔與薄膜晶體管的漏極連接。
[0011] 其中，像素電極通過第二絕緣層和第=絕緣層上的通孔與導(dǎo)電層連接。
[0012] 其中，薄膜晶體管包括:遮光層，設(shè)置于基板上方;緩沖層，覆蓋遮光層和基板;有 源層，設(shè)置于緩沖層上方;柵極絕緣層，覆蓋有源層，包括第一源極通孔W及第一漏極通孔； 柵極，設(shè)置于柵極絕緣層上方;層間介電層，覆蓋柵極，包括與第一源極通孔對應(yīng)的第二源 極通孔和與第一漏極通孔對應(yīng)的第二漏極通孔;源漏層，設(shè)置于層間介電層上方，包括源極 和漏極，源極通過第一源極通孔和第二源極通孔與有源層連接，漏極通過第一漏極通孔和 第二漏極通孔與有源層連接。
[0013] 其中，柵極和源漏層為金屬電極。
[0014] 其中，公共電極和像素電極為透明的金屬氧化物。
[0015] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示器，該 液晶顯示器包括背光和顯示面板，顯示面板包括陣列基板、彩膜基板W及陣列基板和彩膜 基板之間的液晶層，該陣列基板是如上的陣列基板。
[0016] 本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過一導(dǎo)電層橋接薄膜晶 體管的漏極和像素電極;一方面，該導(dǎo)電層與公共電極對應(yīng)形成一額外電容，該額外電容與 原有的像素電極和公共電極對應(yīng)形成的電容并聯(lián)組合形成一更大的電容，增加了像素存儲 電容的大小，將像素電極的電壓保持時間延長，可W有效的避免閃爍現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示效 果;另一方面，導(dǎo)電層與薄膜晶體管的漏極之間的接觸電阻會大幅度降低，防止對導(dǎo)電層進(jìn) 行蝕刻時，薄膜晶體管的源極和漏極會受到過蝕刻引起的接觸異常。
【附圖說明】
[0017] 圖1是本發(fā)明陣列基板第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖2是本發(fā)明陣列基板第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖3是本發(fā)明陣列基板第二實(shí)施方式中像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0020] 圖4是本發(fā)明陣列基板第二實(shí)施方式中陣列基板的俯視示意圖；
[0021] 圖5是本發(fā)明液晶顯示器一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 參閱圖1，本發(fā)明陣列基板第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括:基板11; 薄膜晶體管12,設(shè)置于基板11上方;導(dǎo)電層13,設(shè)置于薄膜晶體管12上方，并與薄膜晶體管 12的漏極（未標(biāo)識）連接；公共電極14,設(shè)置于導(dǎo)電層13上方，與導(dǎo)電層13形成第一電容 Cstl;像素電極15,設(shè)置于公共電極14上方，并與導(dǎo)電層13連接，像素電極15與公共電極14 形成第二電容Cst2。
[0023] 其中，薄膜晶體管12的漏極W及導(dǎo)電層13為金屬或金屬氧化物材料，公共電極14 和像素電極15為透明的金屬氧化物，例如氧化銅錫IT0。
[0024] 可選的，基板11為透明的玻璃基板，在其他實(shí)施方式中，也可W是透明的塑料基 板。
[0025] 可選的，薄膜晶體管12可W是底柵型也可W是頂柵型（圖1所示），當(dāng)然也可W是其 他結(jié)構(gòu)，此處不做限定。
[0026] 具體地，導(dǎo)電層13與公共電極14存在對應(yīng)部分，其中，該對應(yīng)部分的形狀W及面積 的大小可根據(jù)實(shí)際情況自行設(shè)定，此處不做限定。另外，公共電極14與像素電極15同樣存在 對應(yīng)部分，其中，該對應(yīng)部分的形狀W及面積的大小可根據(jù)實(shí)際情況自行設(shè)定，此處不做限 定。
[0027] 根據(jù)平行板電容C的原理，即：C試f，其中e為介電常數(shù)，S為兩塊平行板重疊部分 d 的面積，d為兩塊平行板的間距，可知，導(dǎo)電層13和公共電極14可W形成一個第一電容Cstl， 公共電極14和像素電極15可形成一個第二電容Cst2。同時，由于導(dǎo)電層13和像素電極15是 電連接的，因此，該兩個電容Cstl和Cst2相當(dāng)于兩個并聯(lián)的電容。根據(jù)電容并聯(lián)公式:C = Cstl+Cst2,兩個并聯(lián)的電容其總電容值大于任意一個電容的容值，因此，由導(dǎo)電層14、公共 電極14W及像素電極15組成的雙層存儲電容的容值更大，其可W將像素電極的電壓保持時 間延長，當(dāng)像素尺寸減小后，可W有效的避免閃爍現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示效果。
[0028] 同時，在現(xiàn)有技術(shù)中，將像素電極15與薄膜晶體管12的漏極直接進(jìn)行電連接，在對 導(dǎo)電層13進(jìn)行蝕刻時，薄膜晶體管12的源極和漏極會受到過蝕刻，從而降低像素電極15與 薄膜晶體管12之間的接觸電阻。而在本實(shí)施方式中，像素電極15通過導(dǎo)電層13橋接薄膜晶 體管12的漏極，一方面，導(dǎo)電層13與薄膜晶體管12的漏極之間的接觸電阻會大幅度降低，另 一方面，防止對導(dǎo)電層13進(jìn)行蝕刻時，薄膜晶體管12的源極和漏極會受到過蝕刻引起的接 觸異常。
[0029] 另外，由于導(dǎo)電層13相較像素電極15,具有較大的導(dǎo)電率，可W進(jìn)一步的減小連接 部分的電阻。
[0030] 區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施方式通過一導(dǎo)電層橋接薄膜晶體管的漏極和像素電極； 一方面，該導(dǎo)電層與公共電極對應(yīng)形成一額外電容，該額外電容與原有的像素電極和公共 電極對應(yīng)形成的電容并聯(lián)組合形成一更大的電容，增加了像素存儲電容的大小，將像素電 極的電壓保持時間延長，可W有效的避免閃爍現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示效果；另一方面，導(dǎo)電層 與薄膜晶體管的漏極之間的接觸電阻會大幅度降低，防止對導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻時，薄膜晶體 管的源極和漏極會受到過蝕刻引起的接觸異常。
[0031] 參閱圖2,本發(fā)明陣列基板第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括：
[0032] 基板21;薄膜晶