限于5%、10%、15%、20%等。
[0027]所述濾色片基板的制作方法還包括在遮光矩陣及基板上形成一透明電極層，優(yōu)選為ITO電極。
[0028]所述濾色片基板的制作方法還包括在所述遮光矩陣上或與該遮光矩陣對(duì)應(yīng)的透明電極層上形成陣列排布的若干間隔柱(Photo Space)。
[0029]所述濾色片基板的制作方法還包括在遮光矩陣與透明電極層之間增加一絕緣層。
[0030]需要說(shuō)明的是，該透明電極層可根據(jù)不同顯示模式制作或不制作。該陣列排布的若干間隔柱和絕緣層可根據(jù)需要制作或不制作。
[0031 ]以下結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明制造濾色片基板的方法做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0032]實(shí)施例1
本實(shí)施例提供了一種制造濾色片基板的方法，包括以下步驟:
提供一透明基板；
在基板一側(cè)上沉積一層厚度約30nm氧化硅層，通過(guò)光刻及刻蝕工序使氧化硅層形成圖案而形成第一層鈍化矩陣，該鈍化矩陣將所述基板分割成多個(gè)單元區(qū)域；
在第一層鈍化矩陣及基板上沉積一層厚度約20nm氮化硅層，通過(guò)光刻及刻蝕工序使氮化硅層形成圖案而形成第二層鈍化矩陣，該第二層鈍化矩陣與第一層鈍化矩陣對(duì)應(yīng)重疊；在多層鈍化矩陣及基板上沉積一層厚度約10nm的鋁合金層，通過(guò)光刻機(jī)刻蝕工序使其形成圖案而形成在該多層鈍化矩陣上的遮光矩陣，其用于防止光泄露；
在所述基板另一側(cè)貼合偏光片；
在遮光矩陣及基板上形成一厚度約50nm透明電極層；
在所述遮光矩陣上或與該遮光矩陣對(duì)應(yīng)的透明電極層上形成陣列排布的若干間隔柱，獲得濾色片基板。
[0033]本實(shí)施例的濾色片基板的反射率為6%。
[0034]實(shí)施例2
本實(shí)施例提供了一種制造濾色片基板的方法，包括以下步驟:
提供一透明基板；
在基板一側(cè)上沉積一層厚度約25nmA-Si層； 在A-Si層上沉積一層厚度約32nm氮化硅層，獲得多層鈍化層；
通過(guò)光刻及刻蝕工序使多層鈍化層形成圖案而形成多層鈍化矩陣，該多層鈍化矩陣將所述基板分割成多個(gè)單元區(qū)域；
在多層鈍化矩陣及基板上沉積一層厚度約10nm的鉬層，通過(guò)光刻機(jī)刻蝕工序使其形成圖案而形成在該多層鈍化矩陣上的遮光矩陣，其用于防止光泄露，獲得濾色片基板。
[0035]本實(shí)施例的濾色片基板的反射率為5%。
[0036]實(shí)施例3
本實(shí)施例提供了一種制造濾色片基板的方法，包括以下步驟:
提供一透明基板；
在基板一側(cè)上沉積一層厚度約1nmITO層，通過(guò)光刻及刻蝕工序使ITO層形成圖案而形成第一層鈍化矩陣，該鈍化矩陣將所述基板分割成多個(gè)單元區(qū)域；
在第一層鈍化矩陣及基板上沉積一層厚度約27nm氧化硅層，通過(guò)光刻及刻蝕工序使氧化硅層形成圖案而形成第二層鈍化矩陣，該第二層鈍化矩陣與第一層鈍化矩陣對(duì)應(yīng)重疊；在第二層鈍化矩陣及基板上沉積一層厚度約35nm多晶硅層，通過(guò)光刻及刻蝕工序使多晶硅層形成圖案而形成第三層鈍化矩陣，該第三層鈍化矩陣與第二層鈍化矩陣對(duì)應(yīng)重疊；在多層鈍化矩陣及基板上沉積一層厚度約130nm的鈦層，通過(guò)光刻機(jī)刻蝕工序使其形成圖案而形成在該多層鈍化矩陣上的遮光矩陣，其用于防止光泄露；
在遮光矩陣及基板上形成一厚度約200nm透明電極層，獲得濾色片基板。
[0037 ]本實(shí)施例的濾色片基板的反射率為4%。
[0038]需要說(shuō)明的是，上述鈍化矩陣圖案及遮光矩陣圖案的形成工藝并不局限于上述光刻及刻蝕工藝，還可以是其他形成工藝。多層鈍化矩陣可以依次形成，也可以先沉積多層鈍化層，再一次性通過(guò)蝕刻等工藝形成鈍化矩陣。
[0039]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制，但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案，均應(yīng)落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造濾色片基板的方法，包括以下步驟: 提供一基板； 在基板一側(cè)上形成限定單元區(qū)域的多層鈍化矩陣； 在多層鈍化矩陣上形成防止光泄漏的遮光矩陣，獲得濾色片基板； 其中，所述濾色片基板的反射率為低于7%;所述遮光矩陣材料為具有擋光功能的金屬材料，其包括招、招合金、鉬、鉬合金、氧化鉬、銀或鈦的至少一種。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造濾色片基板的方法，其特征在于，所述多層鈍化矩陣材料為A-S 1、多晶硅、ITO、氮化硅、氧化硅的至少兩種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造濾色片基板的方法，其特征在于，在遮光矩陣上形成陣列排布的若干間隔柱。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造濾色片基板的方法，其特征在于，所述基板另一側(cè)貼合偏光片。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造濾色片基板的方法，其特征在于，還包括在遮光矩陣及基板上形成透明電極層的步驟。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述制造濾色片基板的方法，其特征在于，在所述透明電極層和遮光矩陣之間形成有絕緣層。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述制造濾色片基板的方法，其特征在于，在所述遮光矩陣的透明電極層上形成有陣列排布的若干間隔柱。8.一種濾色片基板，其特征在于，包括: 多層鈍化矩陣，依次形成在基板一側(cè)上，用于限定單元區(qū)域； 遮光矩陣，形成在多層鈍化矩陣上，用于防止光泄漏;其中， 所述濾色片基板的反射率為低于7%;所述遮光矩陣材料為具有擋光功能的金屬材料，其包括招、招合金、鉬、鉬合金、氧化鉬、銀或鈦的至少一種。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濾色片基板，其特征在于，所述多層鈍化矩陣材料為A-S1、多晶硅、ITO、氮化硅、氧化硅的至少兩種。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種制造濾色片基板的方法，包括以下步驟：在基板一側(cè)上形成限定單元區(qū)域的多層鈍化矩陣；在多層鈍化矩陣上形成遮光矩陣；其中，所述濾色片基板的反射率為低于7%；所述遮光矩陣材料為具有擋光功能的金屬材料，其包括鋁、鋁合金、鉬、鉬合金、氧化鉬、銀或鈦的至少一種。本發(fā)明還公開(kāi)了一種濾色片基板。該濾色片基板的制造方法采用了無(wú)害的金屬材料作為遮光矩陣材料，同時(shí)采用多層鈍化矩陣進(jìn)一步降低濾色片基板反射率，以穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)黑色或趨于黑色顯示，解決現(xiàn)有技術(shù)由于濾色片基板反射率高造成其外觀難以實(shí)現(xiàn)黑色顯示；不需要彩色樹(shù)脂作為彩色濾光層，減少制作彩色樹(shù)脂的程序及相應(yīng)的成本，提高生產(chǎn)效率且降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】G02F1/1335
【公開(kāi)號(hào)】CN105549257
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510995015
【發(fā)明人】李林, 柳發(fā)霖, 于春崎, 張?zhí)K杰, 黃茜, 萬(wàn)方馨, 黃俊銘, 何基強(qiáng)
【申請(qǐng)人】信利半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月28日