式中，步驟S103中包括以下代替(A7)步驟的(A7a)步驟。
[0130](A7a)得到強度變化部分的光強度的最大值與該強度變化部分在寬度方向上的中央部分的光強度之間的差Ssat的步驟。
[0131]此外，第二實施方式的步驟S103可以包括以下代替(AS)步驟的(ASa)步驟。
[0132](A8a)估算與強度變化部分的光強度分布范圍中缺陷寬度相應的范圍的閾值并且得到閾值時的光強度分布范圍寬度、具體地與強度變化部分的光強度分布范圍中的上述差Ssat的1/2相應的位置之間的寬度、即半寬度(一半最大值時的全部寬度)作為缺陷的表觀寬度Wsig的步驟。
[0133]此外，在第二實施方式中，步驟S107不同于第一實施方式。將結合圖6中所示的流程圖描述第二實施方式的步驟S107中得到缺陷寬度Wcal的處理流程的細節(jié)。首先，作為步驟S221，識別放大圖像的光強度分布范圍中的強度變化部分((B6)步驟)并且得到強度變化部分的光強度最大值和該強度變化部分在寬度方向上的中央部分的光強度之差A S ((B7a)步驟)。此外，作為步驟S222，估算與強度變化部分的光強度分布范圍中針孔缺陷寬度相應的范圍的閾值并且得到閾值時的光強度分布范圍的寬度、具體地與強度變化部分的光強度分布范圍中的上述差AS的1/2相應的位置之間的寬度、即半寬度(一半最大值時的全部寬度)作為針孔缺陷的表觀寬度Wsig的步驟((B8a)步驟)。
[0134]接下來，作為步驟S223，基于上述公式(I)通過使用(A7a)步驟、(B7a)步驟和(B8a)步驟中得到的Ssat、AS和Wsig計算Wcal，并且將Wcal估算為缺陷的寬度((B9)步驟)。接著，根據(jù)需要，作為步驟S224，記錄得到的Wcal作為缺陷的寬度。此外，在第二實施方式中，應用以下的(C7a)步驟和(C8a)步驟代替第一實施方式中的(C7)步驟和(C8)步驟。
[0135](C7a)得到強度變化部分的光強度的最大值與該強度變化部分在寬度方向上的中央部分的光強度之間的差A S的步驟，以及
[0136](CSa)得到強度變化部分的光強度分布范圍的上述差△ S的1/2的位置之間的寬度作為針孔缺陷的表觀寬度Wsig的步驟。
[0137]除了上述差別之外，作為其他步驟，那些和第一實施方式中相同的步驟也可應用于第二實施方式。
[0138]根據(jù)本發(fā)明，可對于具有小于檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的寬度的缺陷有效地評價缺陷尺寸。作為評價目標的缺陷寬度通常為至少30nm并且優(yōu)選地至少40nm。此外，作為評價目標的缺陷寬度并不特別限定，只要其小于標稱分辨率。但是，對于現(xiàn)有技術方法評價寬度200nm以下、特別地10nm以下，并且尤其60nm以下的缺陷并不容易，而本發(fā)明甚至對于評價這樣微小缺陷的尺寸有效。而且，另外在作為評價目標的缺陷寬度至少為標稱分辨率時，利用本發(fā)明的缺陷尺寸評價是可以的。如果該寬度至少為標稱分辨率，作為評價目標的缺陷寬度的上限通常為100nm以下，但并無特別限定。
[0139]通過將根據(jù)本發(fā)明的缺陷尺寸評價方法應用于光掩模坯料的缺陷檢驗，可基于利用該評價方法得到的關于缺陷尺寸的信息選擇不包括尺寸超過預定尺寸標準的缺陷的光掩模坯料。此外，可通過對其加檢驗標簽的方法將通過根據(jù)本發(fā)明的缺陷尺寸的評價方法得到的關于缺陷尺寸的信息給予光掩模坯料。而且，也可以基于給予光掩模坯料的信息來選擇不包括尺寸超過預定尺寸標準的缺陷的光掩模坯料。此外，在其中至少一層薄膜形成在基體上的光掩模坯料的制造方法中，可進行根據(jù)本發(fā)明的缺陷尺寸的評價方法并且其可應用于其中至少一層薄膜形成在基體上的光掩模坯料的表面中的缺陷尺寸的評價。在相關現(xiàn)有技術的情形中，利用光學缺陷檢測方法難以評價小于分辨率下限的缺陷尺寸并且因此為了裝運有利的光掩模坯料，關于產(chǎn)品規(guī)格必須嚴格確定光掩模坯料是合格還是不合格。但是，通過利用本發(fā)明的方法來評價光掩模坯料的缺陷尺寸，可關于小于分辨率極限的缺陷確定正確的尺寸并且因此關于產(chǎn)品規(guī)格可更精確地確定光掩模坯料是合格還是不合格。此外，這也能實現(xiàn)產(chǎn)率上的提高。
[0140]如上所述，描述了評價光掩模坯料表面中存在的缺陷尺寸的方法。但是，當考慮其光學原理時，將容易理解:本發(fā)明中，例如其上形成了各種金屬膜的半導體晶片或其中各種金屬膜和光學薄膜形成在基體上的記錄介質(zhì)可用作檢驗-目標物體來代替光掩模坯料，并且本發(fā)明的評價方法可有利地應用于在其表面中具有下沉部分如針孔缺陷的檢驗-目標物體。
[0141]以下示出實施例來具體描述本發(fā)明。但是本發(fā)明并不限于以下實施例。
[0142]實施例1
[0143]作為第一實施方式的具體實例，進行以下缺陷尺寸的評價。使用如圖3中所示的檢驗光學系統(tǒng)并且將檢驗波長設定為248nm。此外，控制照明區(qū)控制孔APl以應用傾斜照明，并且將孔擋板AP2設為完全開放以設定NA = 0.75的形成圖像的光學條件。在該檢驗光學系統(tǒng)中，基于以下公式得到標稱分辨率，為約202nm。
[0144]分辨率=k!X λ /NA
[0145]Ck1= 0.61，λ = 248，NA = 0.75)
[0146]作為(Al)步驟，制備其中形成具有至少為檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的寬度并且具有100nm或2000nm方形的程控缺陷的光掩模坯料作為參考光掩模坯料。接著，對制備的參考光掩模坯料進行(A2)至(A7)步驟和(AS)步驟。
[0147]圖7A和7C為深度約4至5nm的針孔缺陷的觀察圖像并且圖7B和7D為示出得到的觀察圖像中的光強度的變化的圖。圖7A為寬度100nm的程控缺陷的觀察圖像(放大圖像)。圖7B為示出光強度沿著通過圖7A的放大圖像的光強度分布范圍中的強度變化部分大致中央的一個方向(線A-A’)的變化的圖。沿著圖7A中線A-A’的光強度的變化通過圖7B中曲線SIG-2示出。該情形下，如圖7A所示，缺陷的邊緣部分清晰地觀察為觀察圖像中的黑暗部分和明亮部分之間的邊界。因此，基于該事實，由觀察圖像得到光強度的最大值與最小值之差Ssat與缺陷的表觀寬度Wsig。此外，在圖7B中，曲線SIG-1示出與具有100nm方形的程控缺陷類似地由具有2000nm方形的程控缺陷得到的光強度變化，并且證實，具有2000nm方形的程控缺陷得到的光強度的最大值與最小值之差Ssat基本等于具有100nm方形的程控缺陷下得到的Ssat。
[0148]圖7C為具有200nm方形的缺陷的觀察圖像(放大圖像)。圖7D為示出光強度沿著通過圖7C的放大圖像的光強度分布范圍中的強度變化部分的大致中央的一個方向(線B-B’)的變化的圖。沿著圖7C中線B-B’的光強度的變化通過圖7D中曲線SIG-3示出。此夕卜，在圖7D中，曲線SIG-4和SIG-5分別示出與具有200nm方形的缺陷類似地由具有10nm方形和40nm方形的缺陷得到的光強度變化。在尺寸小于檢驗光學系統(tǒng)的標稱分辨率缺陷中，缺陷的邊緣部分作為圖7C中所示的觀察圖像中的黑暗部分和明亮部分之間的邊界而觀察，但是不如圖7A中所示的具有足夠大的尺寸的缺陷那么清晰。因此，可得到光強度的最大值和最小值之間的差A S和缺陷的表觀寬度Wsig。
[0149]圖8A至SC為示出實際缺陷寬度和相應測量值或計算值之間的關系的圖。對于缺陷寬度的計算，使用預先基于光學模擬通過進行(Cl)至(C9)步驟得到的T值=0.53作為上述公式(I)中的常數(shù)T。圖8A為通過將缺陷表觀寬度Wsig相對于實際的缺陷寬度W作曲線得到的圖。圖SB為通過將缺陷的光強度最大值和最小值之差△ S相對于實際缺陷寬度W作曲線而得到的圖。圖SC為通過將基于上述公式(I)計算的Wcal相對于實際缺陷寬度W作曲線而得到的圖。Wsig為與在至少為檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的尺寸區(qū)域中的實際缺陷寬度W相同。但是，在小于檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的尺寸區(qū)域中，Wsig幾乎為常數(shù)值，并且不對應于實際缺陷寬度W。另一方面，缺陷的光強度最大值和最小值之差AS在至少為檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的尺寸區(qū)域中收斂于常數(shù)值Ssat并且不顯示尺寸依賴性，并且在小于檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的尺寸區(qū)域中隨著實際缺陷寬度W降低而降低。由這些關系所定義的基于本發(fā)明的上述公式(I)計算的Wcal在小于檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的尺寸區(qū)域中與在至少為檢驗光學系統(tǒng)標稱分辨率的尺寸區(qū)域中基本上以誤差10%以下對應于實際缺陷寬度。因此，其證實，通過本發(fā)明的評價方法可在實用上不導致問題的誤差范圍內(nèi)精確評價實際缺陷寬度W。
[0150]實施例2
[0151]作為第二實施方式的具體實例，進行以下缺陷尺寸的評價。使用如圖3中所示的檢驗光學系統(tǒng)并且檢驗波長設定為248nm。此外，控制照明區(qū)控制孔API以應用傾斜照明，并且將孔擋板AP2設為完全開放以設定NA = 0.75的形成圖像的光學條件。與實施例1中同樣，得到該檢驗光學系統(tǒng)的標稱分辨率，為約202nm。作為(Al)步驟，制