陣列基板及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display ,LCD)是一種常見的電子設(shè)備，由于其具有功耗低、體積小、重量輕等特點(diǎn)，因此備受用戶的青睞。隨著平面顯示技術(shù)的發(fā)展，具有高分辨率、低能耗的液晶顯示器的需求被提出。非晶硅的電子迀移率較低，而低溫多晶硅(LowTemperature Ploy-sil icon，LTPS)可以在低溫下制作，且擁有比非晶娃更高的電子迀移率。其次，低溫多晶娃制作的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal OxideSemiconductonCMOS)器件可應(yīng)用于使液晶顯示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低溫多晶硅得到了廣泛地應(yīng)用和研究。LTPS陣列基板包括呈陣列分布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括漏極、絕緣層以及像素電極，絕緣層上開設(shè)有貫孔以將漏極裸露出來，像素電極通過貫孔與漏極相連。由于LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)復(fù)雜，在制備的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)絕緣層上的貫孔開孔不完全的異常，從而導(dǎo)致漏極對(duì)像素電極的充電不能正常進(jìn)行，從而影響了液晶顯示裝置的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括呈陣列分布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括:基板及設(shè)置在所述基板同側(cè)的低溫多晶硅層、第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極、漏極、平坦層、第一透明導(dǎo)電層、第三絕緣層、第二透明導(dǎo)電層及連接金屬層，所述低溫多晶硅層鄰近所述基板的表面設(shè)置，所述第一絕緣層覆蓋所述低溫多晶硅層，所述柵極設(shè)置在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述低溫多晶硅層的表面，所述第二絕緣層覆蓋所述柵極，且所述第二絕緣層開設(shè)第一貫孔及第二貫孔，所述源極及所述漏極設(shè)置在所述第二絕緣層上，且所述源極通過所述第一貫孔連接所述低溫多晶硅層的一端，所述漏極通過所述第二貫孔連接所述低溫多晶硅層的另一端，所述平坦層覆蓋所述源極和所述漏極，且所述平坦層開設(shè)有對(duì)應(yīng)所述漏極的第三貫孔，所述第一透明導(dǎo)電層設(shè)置在所述平坦層遠(yuǎn)離所述源極和所述漏極的表面，所述第三絕緣層覆蓋所述第一透明導(dǎo)電層，且所述第三絕緣層填充所述第三貫孔，所述第三絕緣層開設(shè)有將所述漏極裸露的第四貫孔，所述第二透明導(dǎo)電層設(shè)置在所述第三絕緣層上，所述連接金屬層通過所述第四貫孔連接所述第二透明導(dǎo)電層及所述漏極，其中，所述第一透明導(dǎo)電層為公共電極，所述第二透明導(dǎo)電層為像素電極。
[0004]其中，所述連接金屬層包括鎢。
[0005]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置于所述基板的表面，且所述低溫多晶硅層、所述第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極、漏極、所述平坦層、所述第一透明導(dǎo)電層、所述第三絕緣層、所述第二透明導(dǎo)電層及所述連接金屬層通過所述遮光層設(shè)置在所述基板的同側(cè)，且所述遮光層對(duì)應(yīng)所述低溫多晶硅層設(shè)置。
[0006]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述遮光層，所述低溫多晶硅層、所述第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極、漏極、所述平坦層、所述第一透明導(dǎo)電層、所述第三絕緣層、所述第二透明導(dǎo)電層及所述連接金屬層通過所述緩沖層及所述遮光層設(shè)置在所述基板的表面。
[0007]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層連接所述源極與所述低溫多晶硅層，所述第一歐姆接觸層用于降低所述源極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電阻。
[0008]其中，所述第一歐姆接觸層包括第一輕摻雜區(qū)及第一重?fù)诫s區(qū)，所述第一輕摻雜區(qū)與所述低溫多晶硅層接觸，所述第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在所述源極與所述第一輕摻雜區(qū)之間，且所述第一重?fù)诫s區(qū)連接所述源極與所述第一輕摻雜區(qū)，其中，所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。
[0009]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層連接所述漏極與所述低溫多晶硅層，所述第二歐姆接觸層用于降低所述漏極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電阻。
[0010]其中，所述第二歐姆接觸層包括第二輕摻雜區(qū)及第二重?fù)诫s區(qū)，所述第二輕摻雜區(qū)與所述低溫多晶硅層接觸，所述第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在所述漏極與所述第二輕摻雜區(qū)之間，且所述第二重?fù)诫s區(qū)連接所述漏極與所述第二輕摻雜區(qū)，其中，所述第二輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第二重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。
[0011]其中，所述柵極及所述漏極包括鋁或者鉬中的任意一種。
[0012]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括前述任一實(shí)施方式所述的陣列基板。
[0013]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的陣列基板中的低溫多晶硅薄膜晶體管中將第三絕緣層上開設(shè)第四貫孔，并通過連接金屬層連接像素電極及漏極，因此，避免了第三絕緣層上開孔不完全時(shí)導(dǎo)致的漏極不能對(duì)像素電極正常充電。綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中的低溫多晶硅薄膜晶體管像素電極及漏極通過所述連接金屬層電連接，從而使得漏極能夠?qū)ο袼仉姌O正常充電，提高了所述液晶顯示裝置的良率。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的液晶顯示裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0018]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述陣列基板10包括呈陣列分布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管100，所述低溫多晶硅薄膜晶體管100包括基板110及設(shè)置在所述基板110同側(cè)的低溫多晶硅層140、第一絕緣層150、柵極160、第二絕緣層170、源極180、漏極190、平坦層210、第一透明導(dǎo)電層220、第三絕緣層230、第二透明導(dǎo)電層240及連接金屬層250。所述低溫多晶硅層140鄰近所述基板110的表面設(shè)置，所述第一絕緣層150覆蓋所述低溫多晶硅層140，所述柵極160設(shè)置在所述第一絕緣層150遠(yuǎn)離所述低溫多晶硅層140的表面，所述第二絕緣層170覆蓋所述柵極160，且所述第二絕緣層170開設(shè)第一貫孔170a及第二貫孔170b。所述源極180及所述漏極190設(shè)置在所述第二絕緣層170上，且所述源極180通過所述第一貫孔170a連接所述低溫多晶硅層140的一端，所述漏極190通過所述第二貫孔170b連接所述低溫多晶硅層140的另一端。所述平坦層210覆蓋所述源極180和所述漏極190，且所述平坦層210開設(shè)有對(duì)應(yīng)所述漏極190的第三貫孔211。所述第一透明導(dǎo)電層220設(shè)置在所述平坦層210遠(yuǎn)離所述源極180和所述漏極190的表面。所述第三絕緣層230覆蓋所述第一透明導(dǎo)電層220，且所述第三絕緣層230填充所述第三貫孔211，所述第三絕緣層230開設(shè)有將所述漏極190顯露的第四貫孔231。所述第二透明導(dǎo)電層240設(shè)置在所述第三絕緣層230上，所述連接金屬層250通過所述第四貫孔231連接所述第二透明導(dǎo)電層240及所述漏極190。其中，所述第一透明導(dǎo)電層220為公共電極，所述第二透明導(dǎo)電層240為像素電極。優(yōu)選地，所述連接金屬層250包括鎢。
[0019]所述基板110可以為但不僅限于為玻璃基板或者為塑料基板等絕緣基板。
[0020]所述低溫多晶硅薄膜晶體管100還包括遮光層120。所述遮光層120設(shè)置于所述基板110的表面，且所述低溫多晶硅層140、所述第一絕緣層150、所述柵極160、所述第二絕緣層170、所述源極180、所述漏極190、所述平坦層210、所述第一透明導(dǎo)電層220、所述第三絕緣層230、所述第二透明導(dǎo)電層240及所述連接金屬層250通過所述遮光層120設(shè)置在所述基板110的同側(cè)，且所述遮光層120對(duì)應(yīng)所述低溫多晶硅層140設(shè)置。所述遮光層120用于防止所述低溫多晶硅薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的像素朝向遠(yuǎn)離設(shè)置所述遮光層120的所述基板110漏光。
[0021]所述低溫多晶硅薄膜晶體管100還包括緩沖層130。所述緩沖層130覆蓋所述遮光層120，所述低溫多晶硅層140、所述第一絕緣層150、所述柵極160、所述第二絕緣層170、所述源極180、所述漏極190、所述平坦層210、所述第一透明導(dǎo)電層220、所述第三絕緣層230、所述第二透明導(dǎo)電層240及所述連接金屬層250通過所述緩沖層130及所述遮光層120設(shè)置在所述基板110的表面。所述緩沖層130用于緩沖所述陣列基板10在制備的過程中對(duì)所述基板110的損傷。
[0022]在本實(shí)施方式中，所述緩沖層130包括第一子緩沖層131及第二子緩沖層132。所述第一子緩沖層131相較于所述第二子緩沖層132鄰近所述基板110，所述第一子緩沖層131為氮化硅(SiNx)材料，所述第二子緩沖層132為氧化硅(S1x)材料。所述第一子緩沖層131及所述第二子緩沖層132的設(shè)置能夠更好地緩沖所述陣列基板10在制備過程中對(duì)所述基板110的損傷。且，所述第一子緩沖層131采用氮化硅材料，在制備氮化硅材料的時(shí)候能夠產(chǎn)生氫(H)元素用于修補(bǔ)的低溫多晶硅層140，提高所述低溫多晶硅層140的電性能。所述第二子緩沖層132采用氧化硅材料，用于改善所述第二子緩沖層132的應(yīng)力，防止所述第二子緩沖層132脫落。
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