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      電子照相感光構(gòu)件,處理盒和電子照相設備,以及氯鎵酞菁晶體和其制造方法

      文檔序號:9809610閱讀:471來源:國知局
      電子照相感光構(gòu)件,處理盒和電子照相設備,以及氯鎵酞菁晶體和其制造方法
      【技術(shù)領域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種電子照相感光構(gòu)件、使用該電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照 相設備、和氯嫁釀菁晶體和該氯嫁釀菁晶體的制造方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 具有作為光導電體的優(yōu)異功能的酞菁顏料用作用于電子照相感光構(gòu)件、太陽能電 池、傳感器、和開關元件等的材料。酞菁顏料依照其結(jié)構(gòu)具有各種吸收光譜。
      [0003] 日本專利特開No. 2005-249964公開了一種氯鎵酞菁晶體,其在具有波長范圍為 600nm以上且900nm以下的吸收光譜中在770nm以上且790nm以下的波長范圍內(nèi)擁有具有 最大吸光度的峰。日本專利特開No. 2009-62475公開了一種氯鎵酞菁晶體,其在吸收光譜 的760nm以上且773nm以下的波長范圍內(nèi)擁有具有最大吸光度的峰。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面的電子照相感光構(gòu)件依序包括支承體和感光層。所述感光 層包含氯鎵酞菁晶體。所述氯鎵酞菁晶體在吸收光譜的波長范圍為646nm以上且668nm以 下和波長范圍為782nm以上且809nm以下的各個范圍內(nèi)具有一個以上的峰。當將在646nm 以上且668nm以下的波長范圍內(nèi)的峰之中具有最大吸光度的峰假定為第一峰并且將在 782nm以上且809nm以下的波長范圍內(nèi)的峰之中具有最大吸光度的峰假定為第二峰時,所 述第一峰的吸光度大于所述第二峰的吸光度。
      [0005] 本發(fā)明的進一步特征將參考附圖從示例性實施方案的以下說明而變得明顯。
      【附圖說明】
      [0006] 圖1表明包括包含電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設備的示例性結(jié)構(gòu)的 一個實例。
      [0007] 圖2A和2B表明電子照相感光構(gòu)件的層結(jié)構(gòu)的實例。
      [0008] 圖3表明實施例1中測量的吸收光譜。
      [0009] 圖4表明實施例10中測量的吸收光譜。
      [0010] 圖5表明比較例1中測量的吸收光譜。
      [0011] 圖6是說明電子照相感光構(gòu)件的感光度的評價的圖。
      【具體實施方式】
      [0012] 酞菁顏料具有作為光導電體的優(yōu)異功能,但在一些用途中,隨著市場需要的增加, 已經(jīng)需要較高的感光度。特別地,在這樣的酞菁顏料中,例如,氯鎵酞菁晶體用作電子照相 感光構(gòu)件的電荷產(chǎn)生物質(zhì)。然而,隨著近期實現(xiàn)了高速電子照相設備(高速處理),酞菁顏 料需要具有與從前相比更高的感光度。
      [0013] 因此,本發(fā)明涉及提供一種具有高的感光度的氯鎵酞菁晶體和所述氯鎵酞菁晶體 的制造方法。本發(fā)明涉及提供使用前述氯鎵酞菁晶體的電子照相感光構(gòu)件、和使用所述電 子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設備。
      [0014] 根據(jù)本發(fā)明的實施方案的氯鎵酞菁晶體在吸收光譜的波長范圍為646nm以上且 668nm以下和波長范圍為782nm以上且809nm以下的各個范圍內(nèi)具有一個以上的峰。在 646nm以上且668nm以下的波長范圍內(nèi)的峰之中具有最大吸光度的峰(第一峰)具有大于 在782nm以上且809nm以下的波長范圍內(nèi)的峰之中具有最大吸光度的峰(第二峰)的最大 吸光度時。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這樣的氯鎵酞菁顏料展示出高的感光度。
      [0015] 也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是,具有高的感光度的電子照相感光構(gòu)件通過將上述特定的氯鎵酞 菁晶體添加至電子照相感光構(gòu)件的感光層(電荷產(chǎn)生層)來生產(chǎn)。本發(fā)明人推測:這是因 為:由于在由曝光的電子的轉(zhuǎn)移概率與再結(jié)合之間的良好平衡,具有特定的吸收光譜的氯 鎵酞菁晶體可以有效地產(chǎn)生載體(carrier)。
      [0016] 鑒于更有效地產(chǎn)生載體,第二峰的吸光度是例如第一峰的吸光度的0. 65至0. 99 倍。
      [0017] 第二峰位于例如波長范圍為791nm以上且798nm以下內(nèi),并且第一峰位于例如波 長范圍為657nm以上且665nm以下內(nèi)。
      [0018] 在本發(fā)明的實施方案中,將氯鎵酞菁晶體的吸收光譜通過以下方法來測量。
      [0019] 首先,將2份的氯鎵酞菁晶體、1份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名:S-LEC BX-1, SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.制造)、和52份的環(huán)己酮裝入使用具有直徑為1mm的玻璃 珠的砂磨機并且分散6小時。然后,將75份的乙酸乙酯添加至此從而制備氯鎵酞菁晶體 分散液。將制備的氯鎵酞菁晶體分散液施涂至Lumirror (型號:T60,厚度:100 μπι,Toray Industries, Inc.制造)從而形成涂膜。將所得涂膜干燥從而形成具有厚度為0.20 μπι的 氯鎵酞菁晶體分散膜。在以下測量條件下使用該分散膜來測量吸收光譜。
      [0020] 使用的測量儀器:UV-Visible Spectrophotometer JASCO V-570, JASC0 Corporation 制造
      [0021] 測光模式:Abs吸光度測量
      [0022] 響應:快速
      [0023] 帶寬:2. Onm
      [0024] 掃描速度:200nm/min
      [0025] 數(shù)據(jù)獲得間隔:0.5nm
      [0026] 在本發(fā)明的實施方案中,例如,具有特定的吸收光譜的氯鎵酞菁晶體通過(1)合 成步驟、(2)酸溶步驟、和(3)鹽酸處理步驟來獲得。特別地,氯鎵酞菁晶體期望地通過(2) 酸溶步驟來獲得。另外,在其中含有有機化合物的氯鎵酞菁晶體可以通過(4)濕式研磨步 驟來獲得。
      [0027] (1)合成步驟
      [0028] 合成步驟是通過將鎵化合物和形成酞菁環(huán)的化合物在氯化芳香族化合物中反應 而合成氯鎵酞菁晶體的步驟。鎵化合物是例如三氯化鎵。另外,形成酞菁環(huán)的化合物是例 如鄰苯二甲腈并且氯化芳香族化合物是例如α-氯萘。
      [0029] (2)酸溶步驟
      [0030] 酸溶步驟是通過進行其中在所述合成步驟中獲得的氯鎵酞菁晶體與酸混合的酸 溶處理而獲得羥基鎵酞菁晶體的步驟。用于酸溶步驟的酸優(yōu)選硫酸并且更優(yōu)選濃硫酸。
      [0031] (3)鹽酸處理步驟
      [0032] 鹽酸處理步驟是通過將在所述酸溶步驟中獲得的羥基鎵酞菁晶體與鹽酸水溶液 混合而獲得氯嫁釀菁晶體的步驟。
      [0033] 在鹽酸處理步驟中,鑒于反應性,與羥基鎵酞菁晶體混合的鹽酸水溶液的濃度優(yōu) 選10質(zhì)量%以上并且更優(yōu)選30質(zhì)量%以上。
      [0034] 在鹽酸處理步驟中,基于lmol的使用的羥基鎵酞菁晶體,與羥基鎵酞菁晶體混合 的鹽酸的量優(yōu)選lOmol以上并且更優(yōu)選lOOmol以上。
      [0035] (4)濕式研磨步驟
      [0036] 濕式研磨步驟是將在所述鹽酸處理步驟中獲得的氯鎵酞菁晶體與有機化合物混 合并且進行濕式研磨處理的步驟。該有機化合物在濕式研磨步驟中引入氯鎵酞菁晶體,因 此可以獲得其中含有有機化合物的氯鎵酞菁晶體。在本發(fā)明的實施方案中,"濕式研磨處 理"是使用例如砂磨機、球磨機或油漆攪拌器等的研磨設備或例如均質(zhì)機、混合葉輪或磁力 攪拌器等的攪拌設備來進行的處理。研磨處理時間是例如1至100小時。
      [0037] 在本發(fā)明的實施方案中,例如,鑒于感光度的增加,在氯鎵酞菁晶體中包含有機化 合物。這是因為當在氯鎵酞菁晶體中包含有機化合物時,促進在由光照射之后殘留在感光 層中的載體(殘余載體)的移動。
      [0038] 用于濕式研磨步驟的有機化合物的實例包括:酰胺系溶劑,例如甲酰胺、N,N_二 甲基甲酰胺、N,N_二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、和N-甲 基-2-吡咯烷酮滷素系溶劑,例如氯仿;醚系溶劑,例如四氫呋喃;亞砜系溶劑,例如二甲 亞砜;酮系溶劑,例如丙酮。其中,特別使用選自由丙酮、二甲亞砜、N-甲基甲酰胺和N, N-二 甲基甲酰胺組成的組的至少一種。
      [0039] 用于濕式研磨步驟的有機化合物的量是例如基于質(zhì)量的氯鎵酞菁晶體的使用量 的5至30倍。基于氯鎵酞菁晶體的含量,在濕式研磨步驟之后引入晶體的有機化合物的含 量優(yōu)選0. 1質(zhì)量%以上且1. 5質(zhì)量%以下并且更優(yōu)選0. 10質(zhì)量%以上且0. 80質(zhì)量%以 下。在氯鎵酞菁晶體中的有機化合物的含量可以通過改變在濕式研磨步驟之前的氯鎵酞菁 晶體的處理條件和濕式研磨條件來控制。在本發(fā)明的實施方案中,有機化合物的含量可以 通過核磁共振光譜法(H-NMR)來測定。在下述實施例中,H-NMR測量使用硫酸-D2(D 2S04) 作為溶劑并且使用BRUKER制造的AVANCEIII 500作為測量儀器來進行。
      [0040] 下一步,將描述其中根據(jù)本發(fā)明的實施方案的上述氯鎵酞菁晶體用作電子照相感 光構(gòu)件的電荷產(chǎn)生物質(zhì)的情況。
      [0041] 電子照相感光構(gòu)件
      [0042] 根據(jù)本發(fā)明的實施方案的電子照相感光構(gòu)件包括支承體和感光層。所述感光層可 以是同時含有電荷輸送物質(zhì)和電荷產(chǎn)生物質(zhì)的單層型感光層或分別包括含有電荷產(chǎn)生物 質(zhì)的電荷產(chǎn)生層和含有電荷輸送物質(zhì)的電荷輸送層的多層型(功能分離型)感光層。鑒于 電子照相特性,特別使用依序包括支承體、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層的電子照相感光構(gòu)件。
      [0043] 圖2A和
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