線柵偏振片、包括其的顯示裝置和制造顯示裝置的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實施方式總地涉及平板顯示器。更具體地，本發(fā)明的實施方式涉及線柵 偏振片、包括該線柵偏振片的顯示裝置以及制造所述顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 線柵是被設置且布置為僅產(chǎn)生電磁波的特定偏振的平行導電線的陣列。
[0003] 具有比非偏振的入射光的波長小的周期的線柵結(jié)構(gòu)反射在其線的方向上偏振的 光并透射垂直于該線的方向偏振的光。與吸收性偏振器不同，線柵偏振器能夠再利用被反 射的偏振光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的方面提供一種具有改善的光效率的偏振片。
[0005] 本發(fā)明的方面還提供一種具有改善的光效率的顯示裝置。
[0006] 本發(fā)明的方面還提供一種制造具有改善的光效率的顯示裝置的方法。
[0007] 然而，本發(fā)明的方面不限于這里闡述的那些。通過參照以下給出的本發(fā)明的詳細 說明，本發(fā)明的以上和其他的方面對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員將變得更加明 顯。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種線柵偏振片，該線柵偏振片包括透光基板和線柵 圖案。線柵圖案設置在透光基板上并布置為透射第一偏振光并反射在垂直于第一偏振光的 偏振方向的方向上偏振的第二偏振光。線柵圖案包括目標圖案，該目標圖案包括成形為封 閉曲線的導電結(jié)構(gòu)，導電結(jié)構(gòu)中的至少一個圍繞導電結(jié)構(gòu)中的另一個且在兩者之間具有間 隙。
[0009] 導電結(jié)構(gòu)可以成形為多邊形的封閉曲線，每個導電結(jié)構(gòu)可以包括在第一方向上延 伸的兩個第一線結(jié)構(gòu)以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的兩個或更多個第二線結(jié) 構(gòu)。
[0010] 導電結(jié)構(gòu)可以成形為非多邊形的封閉曲線，每個導電結(jié)構(gòu)可以包括在第一方向上 延伸的兩個第一線結(jié)構(gòu)以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的兩個或更多個第二線 結(jié)構(gòu)。每個非多邊形的封閉曲線可以包括拱形部分。
[0011] 每個線柵圖案還可以包括設置在目標圖案之間的第三線結(jié)構(gòu)。
[0012] 線柵偏振片還可以包括反射圖案。反射圖案可以設置在線柵圖案之間并布置為反 射第一偏振光和第二偏振光兩者。第三線結(jié)構(gòu)可以連接到反射圖案。
[0013] 線柵圖案中的兩個或更多個可以在面積上不同。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括線柵偏振片，該線柵偏 振片包括透光基板和線柵圖案，該線柵圖案設置在透光基板上并布置為透射第一偏振光且 反射在垂直于第一偏振光的偏振方向的方向上偏振的第二偏振光。顯不裝置還包括設置在 線柵偏振片上的不透明層。每個線柵圖案包括目標圖案，該目標圖案包括成形為封閉曲線 的兩個或更多個導電結(jié)構(gòu)，封閉曲線中的至少一個圍繞封閉曲線中的另一個且在兩者之間 具有間隙。此外，每個導電結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸的兩個第一線結(jié)構(gòu)和在不同于第一 方向的第二方向上延伸的兩個或更多個第二線結(jié)構(gòu)，不透明層覆蓋第二線結(jié)構(gòu)。
[0015] 每個線柵圖案還可以包括設置在目標圖案之間的第三線結(jié)構(gòu)。
[0016] 線柵偏振片還可以包括反射圖案。反射圖案可以設置在線柵圖案之間并布置為反 射第一偏振光和第二偏振光兩者。第三線結(jié)構(gòu)可以連接到反射圖案。
[0017] 不透明層還可以覆蓋反射圖案，反射圖案可以包括在第一方向上延伸的第一反射 區(qū)和垂直于第一方向延伸的第二反射區(qū)，不透明層可以包括交疊并覆蓋第一反射區(qū)的彎曲 的第一不透明區(qū)以及覆蓋第二反射區(qū)的直的第二不透明區(qū)。
[0018] 顯示裝置還可以包括設置在線柵偏振片上的絕緣層、設置在絕緣層上以交疊第二 反射區(qū)的柵極布線以及設置在柵極布線上以交疊第一反射區(qū)的數(shù)據(jù)布線。
[0019] 不透明層可以包括具有不同面積的兩個或更多個開口。
[0020] 線柵偏振片還可以包括具有不同面積的兩個或更多個線柵圖案。
[0021 ]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種制造顯示裝置的方法，該方法包括:在透光基板上 形成金屬層;在金屬層上形成引導圖案層，該引導圖案層包括引導阻擋肋和設置在引導阻 擋肋之間的溝槽，其中溝槽暴露金屬層。該方法還包括在溝槽中形成納米結(jié)構(gòu)，該納米結(jié)構(gòu) 由自對準的嵌段共聚物形成，該納米結(jié)構(gòu)包括第一域和第二域，第二域具有與第一域不同 的蝕刻速率。該方法還包括通過利用第一域或第二域作為掩模圖案化包括目標圖案的金屬 層而形成線柵圖案。目標圖案包括成形為封閉曲線的導電結(jié)構(gòu)，導電結(jié)構(gòu)中的至少一個圍 繞導電結(jié)構(gòu)中的另一個且在兩者之間具有間隙。
[0022] 目標圖案可以包括兩個或更多個導電結(jié)構(gòu)，每個導電結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸 的兩個第一線結(jié)構(gòu)以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的兩個或更多個第二線結(jié)構(gòu)。
[0023] 該方法可以包括將不透明層設置在線柵圖案上，不透明層覆蓋第二線結(jié)構(gòu)。
[0024] 形成引導圖案層還可以包括減小引導阻擋肋的寬度。
[0025]形成線柵圖案還可以包括在目標圖案之間形成第三線結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0026] 通過參考附圖詳細描述示例性實施方式，本發(fā)明的以上和其它方面及特征將變得 更加明顯，在圖中：
[0027] 圖1至10是示意性截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的制造線柵偏振片 的方法；
[0028] 圖11是圖5的所得結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0029]圖12是圖11的區(qū)域'A'的示意性放大圖；
[0030] 圖13是圖10的線柵偏振片的示意性平面圖；
[0031] 圖14是圖13的區(qū)域'A'的示意性放大圖；
[0032] 圖15是示出圖13的線柵偏振片與不透明層之間的布置關(guān)系的示意性平面圖；
[0033]圖16是圖15的區(qū)域'A'的示意性放大圖；
[0034]圖17是示出圖10的線柵偏振片與不透明層之間的布置關(guān)系的示意性局部截面圖； [0035]圖18是圖12的變形示例；
[0036] 圖19是圖14的線概偏振片的變形不例；
[0037] 圖20是示出圖13的線柵偏振片的第一變形示例與不透明層之間的布置關(guān)系的示 意性平面圖；
[0038] 圖21是示出圖13的線柵偏振片的第二變形示例與不透明層之間的布置關(guān)系的示 意性布局圖；
[0039] 圖22是示出圖13的線柵偏振片的第三變形示例與不透明層之間的布置關(guān)系的示 意性布局圖；
[0040] 圖23是示出圖13的線柵偏振片的第四變形示例與不透明層之間的布置關(guān)系的示 意性布局圖；
[0041] 圖24是示出圖13的線柵偏振片的第五變形示例與不透明層之間的布置關(guān)系的示 意性布局圖；以及
[0042] 圖25至34是示意性截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的制造線柵偏振片 的方法。
【具體實施方式】
[0043] 本發(fā)明構(gòu)思的特征以及實現(xiàn)其的方法可以通過參考示例性實施方式的以下詳細 描述和附圖而被更容易地理解。本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式實施且不應被理解為限 于此處闡明的實施方式。而是，提供這些實施方式使得本公開將本發(fā)明構(gòu)思充分地傳達給 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
[0044] 在圖中，為了清晰，可以夸大層和區(qū)域的厚度。因此，各個附圖將不是按比例繪制 的。將理解，當元件或?qū)颖环Q為"在"另一元件或?qū)?上"、"連接到"或"聯(lián)接到"另一元件或?qū)?時，元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、直接連接到或直接聯(lián)接到另一元件或?qū)?，或者?在一個或多個居間元件或?qū)?。相反，當元件被稱為"直接在"另一元件或?qū)?上"、"直接連接 至?；?直接聯(lián)接到"另一元件或?qū)訒r，沒有居間元件或?qū)哟嬖?。在此使用時，連接可以指的 是元件物理地、電地、可操作地和/或流體地彼此連接。所有的數(shù)值都是近似的，而且可以變 化。特定材料和合成物的所有示例將被認為是非限制性的，且僅是示例性的?？梢蕴娲厥?用其它適當?shù)牟牧虾秃铣晌铩?br>[0045] 相同的附圖標記始終指代相同的元件。在此使用時，術(shù)語"和/或"包括一個或多個 相關(guān)列舉項目的任意和所有組合。
[0046] 將理解，雖然術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"等可以在此處使用來描述不同的元件、 組件、區(qū)域、層和/或部分，但是所述元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應受那些術(shù)語限制。代 替地，那些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部 分。因而，以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以毫無疑問地被稱為第二元件、組 件、區(qū)域、層或部分，而不脫離本公開的教導。
[0047] 可以在此處使用空間關(guān)系術(shù)語，諸如"在……下面"、"下"、"在……之下"、"在…… 上面"、"上"等來描述一個元件或特征與其它元件或特征如圖中所示的空間關(guān)系。將理解， 空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋除了圖中所描繪的取向之外器件在使用或操作期間的其它不同取 向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為相對于其它元件或特征"在下面"或"在下 方"的元件可以相對于其它元件或特征"在上方"取向。因而，取決于元件的取向，示例術(shù)語 "在下方"可以涵蓋在上方和在下方兩種取向。裝置可以被另外地取向（旋轉(zhuǎn)90度或其它取 向），并且在此使用的空間關(guān)系描述語可以被相應地解釋。
[0048] 在此使用的術(shù)語是用于描述某些實施方式，不意欲限制本發(fā)明構(gòu)思。在此使用時， 單數(shù)形式"一"、"該"也旨在包括復數(shù)形式，除非上下文清晰地另外表示。還將理解，當在本 說明書中使用時，術(shù)語"包含" "包含……的""包括"和/或"包括……的"說明所述特征、整 體、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、 組件和/或其組的存在或添加。表述諸如"……的至少之一"，當放在一列元件之后時，修飾 整列元件而不修飾該列中的個別元件。此外，當描述實施方式時，"可以"的使用指的是"一 個或多個實施方式"。此外，術(shù)語"示例"旨在表示實例或圖示。在此使用時，術(shù)語"使用"、"使 用……的"和"被用于……的"可以認為分別與術(shù)語"利用"、"利用……的"和"被利用于…… 的"類似。
[0049] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中顯示了本發(fā)明的示例性實施方 式。
[0050] 圖1至10是示意性截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的制造線柵偏振片 的方法。
[0051 ] 參考圖1，基底基板可以包括透光基板110、導電層120和引導層130。
[0052 ]透光基板110可以由能夠透射可見光的任何材料制成。形成透光基板110的材料可 以根據(jù)用途或工藝選擇。例如，透光基板110可以由各種聚合物制成，諸如玻璃、石英、丙烯 酸樹脂、三醋酸纖維素(TAC)、環(huán)烯烴共聚物(C0C)、環(huán)烯烴聚合物(C0P)、聚碳酸酯(PC)、聚 對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)和聚 芳酯(PAR)，但是不限于此。透光基板110也可以由具有一定程度的柔性的光學膜制成。 [00 53] 導電層120可以形成在透光基板110上。導電層120可以覆蓋基本上透光基板110的 整個表面。導電層120可以由任何導電材料制成。例如，導電層120可以由金屬制成，具體地， 可以由鋁(A1)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈷(Co)、鉬(Mo)和這些金屬的任何 合金中的其中之一制成，但是不限于此。
[0054]在一些情形下，導電層120可具有包括兩個或更多層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一導電 層(未示出）可以由鋁制成，但是不限于此，第二導電層(未示出）可以由鈦或鉬制成，但是不 限于此。如果第一導電層（未示出）由鋁制成，則取決于隨后工藝的溫度，可能形成小丘 (hillock)。因此，第一導電層的上表面會變得不平坦的，因而使相關(guān)的顯示裝置的光學特 性退化。為了防止該問題，可以在第一導電層(未示出）上形成由鈦或鉬制成的第二導電層 (未示出）。第二導電層可以防止小丘形成。
[0055]作為非限制實例，導電層