涂覆方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及涂覆技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種涂覆方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光刻膠涂覆工藝為在基片表面涂覆光刻膠，由于絕大多數(shù)的光刻膠是疏水的，而基片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和基片的黏合性較差，尤其當(dāng)光刻膠是正膠時(shí)尤為明顯。之后對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和基片的連接處，容易造成漂條、浮膠等不良，從而導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失??；同時(shí)后續(xù)進(jìn)行濕法腐蝕工藝容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。為解決上述問(wèn)題，可在基片表面均勻涂覆一層六甲基二硅氮烷(HMDS)，HMDS為增黏劑，可與基片反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物，因此HMDS可成功地將基片表面由親水變?yōu)槭杷?，使得基片表面的疏水基可以很好地與光刻膠結(jié)合。HMDS起著偶聯(lián)劑的作用，其可以很好的改善上述問(wèn)題。
[0003]但是，傳統(tǒng)的HMDS涂覆工藝中，需要對(duì)基片進(jìn)行加熱以去除基片表面的水分，而后基片再自然冷卻降溫，從而延長(zhǎng)了工藝時(shí)間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種涂覆方法，用于降低工藝時(shí)間。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種涂覆方法，包括:
[0006]通過(guò)減壓干燥工藝去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分；
[0007]向所述反應(yīng)腔室充入反應(yīng)材料，使所述反應(yīng)材料與所述基片反應(yīng)。
[0008]可選地，所述通過(guò)減壓干燥工藝去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分包括:
[0009]對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第一設(shè)定壓強(qiáng)，對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第二設(shè)定壓強(qiáng)；
[0010]重復(fù)執(zhí)行設(shè)定次數(shù)所述對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第一設(shè)定壓強(qiáng)，對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第二設(shè)定壓強(qiáng)的步驟。
[0011]可選地，所述向所述反應(yīng)腔室充入反應(yīng)材料，使所述反應(yīng)材料與所述基片反應(yīng)之后包括:
[0012]對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第一設(shè)定壓強(qiáng)，對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第三設(shè)定壓強(qiáng)；
[0013]重復(fù)執(zhí)行設(shè)定次數(shù)所述對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第一設(shè)定壓強(qiáng)，對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第三設(shè)定壓強(qiáng)的步驟。
[0014]可選地，所述第一設(shè)定壓強(qiáng)的范圍為IPa至IKpa。
[0015]可選地，所述第一設(shè)定壓強(qiáng)為0.5Kpa。
[0016]可選地，所述第二設(shè)定壓強(qiáng)的范圍為30KPa至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓強(qiáng)。
[0017]可選地，所述第二設(shè)定壓強(qiáng)為40KPa。
[0018]可選地，若不是最后一次執(zhí)行對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第三設(shè)定壓強(qiáng)的步驟時(shí)，所述第三設(shè)定壓強(qiáng)的范圍為30KPa至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓強(qiáng)；
[0019]若最后一次執(zhí)行對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第三設(shè)定壓強(qiáng)的步驟時(shí)，所述第三設(shè)定壓強(qiáng)為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓強(qiáng)。
[0020]可選地，所述向所述反應(yīng)腔室充入反應(yīng)材料，使所述反應(yīng)材料與所述基片反應(yīng)包括:
[0021]對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使所述反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為工藝壓強(qiáng)；
[0022]以設(shè)定充液時(shí)間向所述反應(yīng)腔室充入反應(yīng)材料，以使所述反應(yīng)材料與所述基片進(jìn)行反應(yīng)；
[0023]以設(shè)定保持時(shí)間使所述反應(yīng)材料與所述基片繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng)。
[0024]可選地，所述設(shè)定充液時(shí)間小于或等于所述設(shè)定保持時(shí)間。
[0025]可選地，所述設(shè)定充液時(shí)間為300s，所述設(shè)定保持時(shí)間為600s。
[0026]可選地，所述反應(yīng)材料為六甲基二硅氮烷。
[0027]可選地，所述對(duì)所述反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理包括:
[0028]向所述反應(yīng)腔室充入惰性氣體。
[0029]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0030]本發(fā)明提供的涂覆方法中，通過(guò)減壓干燥工藝去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分，避免了基片的加熱和冷卻過(guò)程，從而縮短了工藝時(shí)間。
【附圖說(shuō)明】
[0031 ]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種涂覆方法的流程圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種涂覆方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的涂覆方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0034]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種涂覆方法的流程圖，如圖1所示，該方法包括:
[0035]步驟101、通過(guò)減壓干燥工藝去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分。
[0036]本實(shí)施例中，基片的材料可以為硅化物或者其它高摻雜材料，例如，硅化物可以為S1x0
[0037]步驟102、向反應(yīng)腔室充入反應(yīng)材料，使反應(yīng)材料與基片反應(yīng)。
[0038]本實(shí)施例中，反應(yīng)材料可以為HMDS。
[0039]本實(shí)施例提供的涂覆方法中，通過(guò)減壓干燥工藝去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分，避免了基片的加熱和冷卻過(guò)程，從而縮短了工藝時(shí)間。本實(shí)施例通過(guò)減壓干燥工藝去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分，避免了通過(guò)加熱去除基片表面水分而導(dǎo)致的反應(yīng)材料濃度降低，從而避免了反應(yīng)材料濃度降低而導(dǎo)致的增加反應(yīng)材料用量的問(wèn)題，進(jìn)而降低了反應(yīng)材料的用量。
[0040]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種涂覆方法的流程圖，如圖2所示，該方法包括:
[0041]步驟201、對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第一設(shè)定壓強(qiáng)。
[0042]本實(shí)施例中，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有基片，優(yōu)選地，基片的材料可以為S1x。具體地，在常溫下，打開(kāi)抽氣閥門，通過(guò)真空栗對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理，直至反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第一設(shè)定壓強(qiáng)。本實(shí)施例中，第一設(shè)定壓強(qiáng)的范圍可以為IPa至lKpa。優(yōu)選地，第一設(shè)定壓強(qiáng)為
0.5Kpa0
[0043]步驟202、對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行充氣處理以使反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第二設(shè)定壓強(qiáng)。
[0044]具體地，關(guān)閉抽氣閥門并打開(kāi)充氣閥門，向反應(yīng)腔室內(nèi)充入惰性氣體，直至反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為第二設(shè)定壓強(qiáng)。優(yōu)選地，惰性氣體為氮?dú)?，在?shí)際應(yīng)用中，惰性氣體還可以為其它氣體，例如氦氣或者氬氣等。本實(shí)施例中，第二設(shè)定壓強(qiáng)的范圍為30KPa至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓強(qiáng)，其中，標(biāo)準(zhǔn)大氣壓強(qiáng)為101.325KPa。優(yōu)選地，第二設(shè)定壓強(qiáng)為40KPa。
[0045]步驟203、重復(fù)執(zhí)行設(shè)定次數(shù)步驟201和步驟202。
[0046]其中，設(shè)定次數(shù)可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，設(shè)定次數(shù)可以為一次或者多次。本實(shí)施例中，設(shè)定次數(shù)為一次，即:重復(fù)執(zhí)行一次步驟201和步驟202。
[0047]執(zhí)行步驟201至步驟203，實(shí)現(xiàn)了去除反應(yīng)腔室內(nèi)的基片表面的水分的目的。同時(shí)，在執(zhí)行步驟201的過(guò)程中可將反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體排出。
[0048]步驟204、對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理以使反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為工藝壓強(qiáng)。
[0049]具體地，打開(kāi)抽氣閥門，通過(guò)真空栗對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理，直至反應(yīng)腔室的壓強(qiáng)為工藝壓強(qiáng)。優(yōu)選地，該工藝壓強(qiáng)可