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      一種過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩及其制造方法

      文檔序號(hào):9864095閱讀:732來源:國知局
      一種過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩及其制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種燈罩技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩及其制造方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著社會(huì)的進(jìn)步和科技的發(fā)展,照明設(shè)備已廣泛進(jìn)入人們的工作和生活中,隨著人們對(duì)照明設(shè)備(如燈具)的使用時(shí)間的日益增長,這些燈具所發(fā)出的藍(lán)光、紫外線、炫目光對(duì)眼睛視力的傷害越來越嚴(yán)重。
      [0003]藍(lán)光是波長為400-500nm的高能量可見光,藍(lán)光是可以直接穿透眼角膜、眼睛晶體、直達(dá)視網(wǎng)膜,藍(lán)光會(huì)刺激視網(wǎng)膜產(chǎn)生大量自由基離子,使得視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞的萎縮,并引起光敏感細(xì)胞的死亡,視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞對(duì)藍(lán)光區(qū)域的光輻射吸收作用很強(qiáng),吸收了藍(lán)光輻射會(huì)使視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞萎縮,這也是產(chǎn)生黃斑病變的主要原因之一;藍(lán)光輻射成分越高對(duì)視覺細(xì)胞傷害越大,視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞的萎縮,會(huì)使視網(wǎng)膜的圖像變得模糊,對(duì)模糊的影像睫狀肌會(huì)在做不斷的調(diào)節(jié),加重睫狀肌的工作強(qiáng)度,引起視覺疲勞。在紫外線和藍(lán)光的作用下會(huì)引起人們的視覺疲勞,視力會(huì)逐漸下降,易引起眼睛視覺上的干澀、畏光、疲勞等早發(fā)性白內(nèi)障、自發(fā)性黃斑部病變。
      [0004]目前,主要是通過在燈具外設(shè)置燈罩,用以聚光、防風(fēng)雨以及解決上述問題,但是效果并不理想,人們長期暴露在燈光環(huán)境中,身體受到了極大的影響。另外,現(xiàn)有的燈罩也少有殺菌的功能。因此,市場上迫切需要出現(xiàn)一種帶有防藍(lán)光、防炫目、殺菌功能的燈罩來取代現(xiàn)有的傳統(tǒng)燈罩。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種可有效防止藍(lán)光對(duì)人體的傷害,具有防炫目功能,適于夜間使用的過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩及其制造方法。
      [0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
      一種過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩,包括基片,所述基片的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層、第七膜層和第八膜層;所述第一膜層、第四膜層和第六膜層均為五氧化三鈦層,厚度均為1-1OOnm;所述第二膜層、第五膜層和第七膜層均為二氧化硅層,厚度均為50-100nm;所述第三膜層為金屬層,厚度為5-20nm;所述第八膜層為納米銀層,第八膜層的厚度為5-20nmo
      [0007]所述金屬層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅或鎳,并由電子槍蒸鍍成型。
      [0008]所述金屬層的膜材為金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金,并由電子槍蒸鍍成型。
      [0009]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物,并由電子槍蒸鍍成型,所述銀的氧化物為Ag2〇、Ag0 或 Ag2〇3。
      [0010]所述基片由樹脂或玻璃成型。
      [0011]所述基片由樹脂成型時(shí),該過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩制造方法具體包括以下步驟:
      1)對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥;
      2)對(duì)基片的外表面進(jìn)行鍍膜;
      A、鍍第一膜層:
      將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕,并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第一膜層的膜材,第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基片的外表面,同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S,第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中,所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦,形成五氧化三鈦層;
      B、鍍第二膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第二膜層的膜材,第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面,同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S,第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中,所述第二膜層的膜材為二氧化硅,形成二氧化硅層;
      C、鍍第三膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第三膜層的膜材,第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面,同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S,第三膜層最終形成后的厚度為5_20nm;其中,所述第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金,形成金屬層;
      D、鍍第四膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第四膜層的膜材,第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面,同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為2.5A/S,第四膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中,所述第四膜層的膜材為五氧化三鈦,形成五氧化三鈦層;
      E、鍍第五膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第五膜層的膜材,第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面,同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為7A/S,第五膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中,所述第五膜層的膜材為二氧化硅,形成二氧化硅層;
      F、鍍第六膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第六膜層的膜材,第六膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面,同時(shí)控制第六膜層蒸鍍的速率為2.5A/S,第六膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中,所述第六膜層的膜材為五氧化三鈦,形成五氧化三鈦層;
      G、鍍第七膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第七膜層的膜材,第七膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟F中第六膜層的表面,同時(shí)控制第七膜層蒸鍍的速率為7A/S,第七膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中,所述第七膜層的膜材為二氧化硅,形成二氧化硅層;
      H、鍍第八膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C,采用電子槍轟擊第八膜層的膜材,其中第八膜層的膜材為銀的氧化物,在電子槍蒸鍍的作用下,銀的氧化物分解以納米銀的形式附著于上述步驟G中第七膜層的表面,同時(shí)控制第八膜層蒸鍍的速率為1A/S,第八膜層最終形成厚度為5-20nm的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag2O、AgO或Ag2O3。
      [0012]所述的步驟I)中對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥的具體步驟如下:將基片放在真空艙內(nèi),用離子槍轟擊基片的外表面2-3分鐘進(jìn)行清洗。
      [0013]所述基片由玻璃成型時(shí),該過濾藍(lán)光殺菌防炫的燈罩的制造方法具體包括以下步驟:
      1)對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥;
      2)對(duì)基片的外表面進(jìn)行鍍膜;
      A、鍍第一膜層:
      將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕,并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C,采用電子槍轟擊第一膜層的膜材,第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基片的外表面,同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S,第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中,所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦,形成五氧化三鈦層;
      B、鍍第二膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C,采用電子槍轟擊第二膜層的膜材,第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面,同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S,第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中,所述第二膜層的膜材為二氧化硅,形成二氧化硅層;
      C、鍍第三膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C,采用電子槍轟擊第三膜層的膜材,第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面,同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S,第三膜層最終形成后的厚度為5-20nm;其中,所述第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金,形成金屬層;
      D、鍍第四膜層:
      保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕,同時(shí)保
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