顯示基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及顯示技術領域，具體地，設及一種顯示基板、該基板的制造方法、包括 所述顯示基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術】
[0002] -些顯示裝置的基板包括襯底基板100和直接設置在該襯底基板100上的導電圖 形層200，該導電圖形層200由金屬材料制成，如圖1所示。
[0003] 在一些具體的應用場合中，設置在襯底基板上的金屬層位于顯示裝置的最外側(cè)， 例如，在觸控顯示裝置中，導電圖形層包括觸控感應電極和觸控驅(qū)動電極。如圖1中所示，當 包括所述基板的觸控顯示裝置進行顯示時，顯示面板發(fā)出的光線穿過襯底基板出射。但是， 外部環(huán)境光（圖1中的實線箭頭)在所述基板的上表面形成的鏡面反光現(xiàn)象比較嚴重，當外 部環(huán)境光較強時，甚至會影響到顯示裝置的出射光（圖1中的虛線箭頭），進而影響到顯示裝 置的正常顯示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種顯示基板，該基板不會因金屬層反光而影響顯示裝置 的顯示效果。本發(fā)明還提供一種包括所述基板的顯示裝置和所述基板的制造方法。
[0005] 為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板包 括襯底基板和設置在所述襯底基板上的導電圖形層，其中，所述導電圖形層包括設置在所 述襯底基板上的低反射圖形層和形成在所述低反射圖形層上的金屬圖形層，所述低反射圖 形層的材料包括金屬氧化物，所述金屬氧化物通過對所述金屬圖形層的金屬材料進行氧化 獲得。
[0006] 優(yōu)選地，所述金屬圖形層的材料為鋼、鐵、鋼合金和鐵合金中的任意一者或任意幾 者。
[0007] 優(yōu)選地，所述低反射圖形層的材料還包括所述金屬圖形層的材料形成的金屬顆 粒。
[000引優(yōu)選地，所述低反射圖形層的厚度為300A至600A。
[0009] 優(yōu)選地，所述顯示基板為陣列基板或觸控基板。
[0010] 作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示基板，其 中，所顯示基板為本發(fā)明所提供的上述顯示基板。
[0011] 優(yōu)選地，所述顯示基板為陣列基板，所述顯示面板還包括對盒基板、背光源和液晶 層，所述對盒基板位于所述背光源和所述液晶層之間，所述液晶層設置在所述對盒基板和 所述陣列基板之間。
[0012] 優(yōu)選地，所述顯示基板為觸控基板，所述顯示面板還包括顯示屏，所述觸控基板設 置在所述顯示屏的出光面上，且所述金屬圖形層朝向所述顯示屏，所述低反射圖形層朝向 所述襯底基板。
[0013] 作為本發(fā)明的還一個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示基板，其 中，所述顯示基板為本發(fā)明所提供的上述顯示基板。
[0014] 作為本發(fā)明的還一個方面，提供一種制造本發(fā)明所提供的上述顯示基板的制造方 法，其中，所述制造方法包括：
[0015] 提供襯底基板；
[0016] 瓣射形成低反射層，瓣射祀材為金屬，工藝氣體包括氧氣；
[0017] 停止通入氧氣，繼續(xù)瓣射形成金屬層；
[0018] 對形成為一體的低反射層和金屬層進行圖形化，W獲得所述導電圖形層。
[0019] 優(yōu)選地，在瓣射形成低反射層的步驟中，工藝氣體還包括不與瓣射祀材反應的惰 性氣體。
[0020] 優(yōu)選地，所述惰性氣體為氣氣。
[0021] 優(yōu)選地，所述祀材的材料為鋼、鐵、鋼合金和鐵合金中的任意一者或任意幾者，在 形成低反射層的步驟中，氣氣的流速為500seem至700seem,氧氣的流速為600seem至 SOOseem。
[0022] 優(yōu)選地，所述低反射層的厚度在300Λ至拂化4之間。
[0023] 在本申請所提供的技術方案中，與襯底基板直接接觸的是低反射圖形層，由于低 反射圖形層包括制成金屬圖形層的材料的氧化物，因此，低反射圖形層的表面并不光滑，并 且形成有一些諸如空隙之類的缺陷，從而在導電圖形層的上表面變得相對粗糖。當外界的 光線穿過襯底基板照射在導電圖形層的上表面上時，一部分光被低反射圖形層吸收，沒被 吸收的光會形成漫反射，散射向不同的方向，不會形成鏡面反射，從而可W降低因外部環(huán)境 光的反射而對使用本發(fā)明所提供的顯示裝置的出射光，獲得較好的顯示效果。
【附圖說明】
[0024] 附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具 體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構成對本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0025] 圖1是現(xiàn)有的基板的示意圖；
[0026] 圖2是本發(fā)明所提供的基板的示意圖；
[0027] 圖3是本發(fā)明所提供的顯示裝置的一種實施方式；
[0028] 圖4是本發(fā)明所提供的顯示裝置的另一種實施方式；
[0029] 圖5是本發(fā)明所提供的制造方法的流程圖。
[0030] 附圖標記說明
[0031] 100:襯底基板 200:導電圖形層
[0032] 210:低反射圖形層 220:金屬圖形層
[0033] 300:對盒基板 400:背光源
[0034] 500:液晶層 600:顯示屏
【具體實施方式】
[0035] W下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描 述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0036] 在本發(fā)明中，方位詞"上"、"下"通常是指圖帥的"上"、"下"方向。
[0037] 作為本發(fā)明的一個方面，提供一種顯示基板，如圖2所示，所述顯示基板包括襯底 基板100和設置在該襯底基板100上的導電圖形層200,其中，導電圖形層200包括設置在襯 底基板100上的低反射圖形層210和形成在該低反射圖形層210上的金屬圖形層220,低反射 圖形層210的材料包括金屬氧化物，該金屬氧化物為通過對金屬圖形層220的金屬材料進行 氧化獲得。例如，當金屬圖形層220的材料為Mo時，低反射圖形層210的材料則可包括Mo的氧 化物，當金屬圖形層220的材料為Cu時，低反射圖形層210的材料則可W包括Cu的氧化物。
[0038] 在本發(fā)明中，由于所述顯示基板是用于顯示面板中的，因此，襯底基板100可W由 透明材料制成，W形成為顯示面板的出光面。除此之外，外界的環(huán)境光也是直接照射在襯底 基板100的表面。
[0039] 在本申請所提供的技術方案中，與襯底基板100直接接觸的是低反射圖形層210， 由于低反射圖形層210包括金屬氧化物，因此，低反射圖形層210的表面并不光滑，例如會有 一些空隙等形狀的存在，從而使得導電圖形層200的朝向外部環(huán)境的表面(即，圖2中的上表 面)變得相對粗糖。當外界的光線穿過襯底基板100照射在導電圖形層200的上表面上時，一 部分光被低反射圖形層210吸收，沒被吸收的光形成漫反射，散射向不同的方向，不會形成 鏡面反射，從而可W降低因外部環(huán)境光的反射而對使用本發(fā)明所提供的顯示裝置的出射光 造成不良的影響，W獲得較好的顯示效果。
[0040] 在本發(fā)明中，對所述顯示基板的具體結(jié)構并沒有特殊的限制，例如，所述基板可W 是陣列基板，也可W是觸控基板。下文中將對運兩種情況進行詳細的解釋，運里先不寶述。
[0041] 在本發(fā)明中，對金屬圖形層220的具體材料并不做特殊的限制，例如，金屬圖形層 220的材料為可W鋼、鐵、鋼合金和鐵合金中的任意一者或任意幾者。也就是說，金屬圖形層 220的材料可W是金屬鋼，也可W是金屬鐵，還可W是鋼合金或者鐵合金，也可W是上述材 料中任意幾者的混合物。相應地，低反射圖形層210的材料可W包括鋼的氧化物、鐵的氧化 物、鐵合金的氧化物和鋼合金的氧化物中的任意一者或者任意幾者的混合物。
[0042] 為了確保導電圖形層200的導電性，優(yōu)選地，低反射圖形層210的材料還包括金屬 圖形層220的材料形成的金屬顆粒。換言之，低反射圖形層210的材料為金屬氧化物顆粒和 金屬顆粒的混合物。由于金屬氧化物與金屬顆粒的密度存在差異，因此，金屬氧化物和金屬 顆粒之間存在間隙等缺陷，從而可W提高低反射圖形層210表面的粗糖度。混合在金屬氧化 物中的金屬顆?？蒞使得低反射圖形層210具有一定的導電性，從而可W提高整個導電圖 形層200的導電性。
[0043] 為了使得導電圖形層兼具光吸收性、漫反射性W及導電性，優(yōu)選地，低反射圖形層 210的厚度可W為300A至60OA。
[0044] 當所述基板為陣列基板時，直接形成在所述襯底基板上的導電圖形層200可W包 括柵線、公共電極線等。當所述基板為觸控基板時，直接形成在所述襯底基板上的導電圖形 層200可W包括觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極。
[0045] 作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示基板，其 中，所述顯示基板為本發(fā)明所提供的上述顯示基板。
[0046] 由于所述顯示基板設置在