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      適于多次套刻的多時(shí)序光刻圖案的掩膜板組及制作方法

      文檔序號(hào):9864393閱讀:1149來源:國知局
      適于多次套刻的多時(shí)序光刻圖案的掩膜板組及制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體器件制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其設(shè)及一種適于多次套刻的多時(shí)序光刻 圖案的掩膜板組及制作方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 光刻技術(shù)是在一片平整的娃片上構(gòu)建半導(dǎo)體M0S管和電路的技術(shù),是一種精密的 微細(xì)加工技術(shù)。
      [0003] 現(xiàn)有的光刻工藝進(jìn)行多次套刻時(shí),一般會(huì)按照固定的加工順序進(jìn)行加工。次 套刻的十字圖形為例,如圖1所示了參與Ξ次套刻過程中四種十字圖形(1)、(2)、(3)、(4)。 如圖2示出了四種十字圖形套刻后的光刻圖案。如圖3所示,掩膜板分為a、b、c、d。在工藝過 程中,一般掩膜板的使用順序?yàn)閍-b-c-d,則套刻順序?yàn)?1)-(2)-(3)-(4)。
      [0004] 但新興的MEMS微機(jī)械加工要求和原來的MEMS加工要求不同,其要求機(jī)械機(jī)構(gòu)的加 工靈活多變,故加工順序可W根據(jù)實(shí)驗(yàn)員的要求隨意變換。繼續(xù)W上述圖3的掩膜板為例, 若掩膜板的使用順序?yàn)閏-a-b-d,則套刻順序?yàn)?4)-(2)-(3)-(1)。此時(shí),第(4)種十字圖形 曝光后,第(2)塊十字圖形不能精確對(duì)準(zhǔn)預(yù)設(shè)位置,會(huì)使得第(3)塊十字圖形在曝光時(shí)與已 曝光的第(4)種或第(2)種十字圖形發(fā)生重疊現(xiàn)象,如圖4所示。由此,現(xiàn)有存在的加工方式 不能隨意更換掩膜板的使用順序,即定好的掩膜板的圖形不易改變,導(dǎo)致加工順序不易改 變,進(jìn)而影響了微機(jī)械加工的靈活性。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 本發(fā)明提供一種適于多次套刻的多時(shí)序光刻圖案的掩膜板組及制作方法,用于解 決現(xiàn)有技術(shù)中定好的掩膜板的圖形不易改變,導(dǎo)致加工順序不易改變,進(jìn)而影響了微機(jī)械 加工的靈活性的問題。
      [0006] 第一方面,本發(fā)明提供一種適用于多次套刻的多時(shí)序光刻圖案的掩膜板組,包括 多塊掩膜板,掩膜板的個(gè)數(shù)為m+1,m為套刻次數(shù),其中,
      [0007] 每塊所述掩膜板上均勻劃分多個(gè)圖案區(qū),所述圖案區(qū)的總面積等于掩膜板的表面 積,圖案區(qū)的個(gè)數(shù)至少為m+1;
      [000引每個(gè)圖案區(qū)上設(shè)置有遮光層,遮光層上開設(shè)有透光圖形,透光圖形的種數(shù)為m+1, 各種類的透光圖形套設(shè)在一起形成所述光刻圖案;
      [0009] 每塊所述掩膜板上且處于相同位置上的圖案區(qū)所開設(shè)的透光圖形互不相同,并設(shè) 掩膜板上處于同一位置上的m+1個(gè)透光圖形為一套刻序組;任意兩個(gè)對(duì)應(yīng)位置上的套刻序 組不同。
      [0010] 優(yōu)選地,每塊所述掩膜板上均勻劃分4說個(gè)圖案區(qū),m為套刻次數(shù)。
      [0011] 優(yōu)選地,所述掩膜板至少包括四塊。
      [0012] 優(yōu)選地,所述透光圖形包括十字形、圓形或方形。
      [0013] 優(yōu)選地,所述光刻圖案中相鄰?fù)腹鈭D形的間距為5-10皿。
      [0014] 第二方面,本發(fā)明提供一種掩膜板組的制作方法,包括:
      [0015] S1、準(zhǔn)備多塊掩膜板,掩膜板的個(gè)數(shù)為m+1,m為套刻次數(shù);
      [0016] S2、在每塊所述掩膜板上均勻劃分出多個(gè)圖案區(qū),所述圖案區(qū)的總面積等于掩膜 板的表面積,圖案區(qū)的個(gè)數(shù)至少為m+1;
      [0017] S3、在每個(gè)圖案區(qū)上涂有遮光層,在遮光層上開設(shè)有透光圖形,透光圖形的種數(shù)為 m+1,各種類的透光圖形套設(shè)在一起形成光刻圖案;
      [0018] S4、在每塊所述掩膜板上且處于相同位置上的圖案區(qū)所開設(shè)的透光圖形互不相 同,并設(shè)掩膜板上處于同一位置上的m+1個(gè)透光圖形為一套刻序組;任意兩個(gè)對(duì)應(yīng)位置上的 套刻序組不同。
      [0019] 優(yōu)選地,在每塊所述掩膜板上均勻劃分出瓜個(gè)圖案區(qū),m為套刻次數(shù)。
      [0020] 由上述技術(shù)方案可知,本發(fā)明提供一種適于多次套刻的多時(shí)序光刻圖案的掩膜板 組及制作方法,所述掩膜板組在進(jìn)行多次套刻工藝時(shí),無需考慮圖形結(jié)構(gòu)的加工順序,便可 得到不同時(shí)序的順序排列方式,方便了不同時(shí)序加工流程,同時(shí)節(jié)約了掩膜板的數(shù)量,降低 了成本。
      【附圖說明】
      [0021] 圖1為Ξ次套刻加工過程所使用的四種透光圖形的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0022] 圖2為圖1中透光圖形套刻后的光刻圖案示意圖;
      [0023] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中W圖1所述透光圖形的掩膜板設(shè)計(jì)圖;
      [0024] 圖4為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板曝光折疊現(xiàn)象示意圖;
      [0025] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例1中W圖1所述透光圖形的掩膜板設(shè)計(jì)圖;
      [0026] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例2所述掩膜板組的制作方法流程示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0027] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。W下實(shí)施 例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。
      [0028] 本發(fā)明實(shí)施例1提供一種適用于多次套刻的多時(shí)序光刻圖案的掩膜板組,包括多 塊掩膜板,掩膜板的個(gè)數(shù)為m+1,m為套刻次數(shù),其中,
      [0029] 每塊所述掩膜板上均勻劃分多個(gè)圖案區(qū),所述圖案區(qū)的總面積等于掩膜板的表面 積,圖案區(qū)的個(gè)數(shù)至少為m+1。若為了突出掩膜板加工順序的多樣化,每塊所述掩膜板上均 勻劃分4::!個(gè)圖案區(qū),m為套刻次數(shù)。
      [0030] 每個(gè)圖案區(qū)上設(shè)置有遮光層,遮光層上開設(shè)有透光圖形,透光圖形的種數(shù)為m+1, 各種類的透光圖形套設(shè)在一起形成所述光刻圖案;
      [0031] 每塊所述掩膜板上且處于相同位置上的圖案區(qū)所開設(shè)的透光圖形互不相同,并設(shè) 掩膜板上處于同一位置上的m+1個(gè)透光圖形為一套刻序組;任意兩個(gè)對(duì)應(yīng)位置上的套刻序 組不同。
      [0032] 下面W所述透光圖形為十字圖形,所述套刻次數(shù)為3次,掩膜板為4個(gè),圖案區(qū)為.餐 個(gè)為例,對(duì)上述本發(fā)明提供的掩膜板組進(jìn)行詳細(xì)介紹。在此,需要說明的是,所述套刻次數(shù) 是根據(jù)對(duì)最里面的透光圖形(如圖1中陰影部分的第(1)種十字圖形)依次套刻幾次成為最 終的光刻圖案所決定的,即根據(jù)最里面的透光圖形外圍存在幾個(gè)透光圖形所決定。
      [0033] 如圖1所示了參與Ξ次套刻過程中四種十字圖形(1)、(2)、(3)、(4)。如圖2示出了 四種十字圖形套刻后的光刻圖案。如圖5所示,掩膜板分為4、8、(:、0。在每塊所述掩膜板上且 處于相同位置上的圖案區(qū)所開設(shè)的透光圖形互不相同。例如,在掩膜板A、B、C
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