對盒基板、反射式顯示面板、顯示裝置及其驅動方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種對盒基板、反射式顯示面板、顯示裝置及其驅動方法。
【背景技術】
[0002]液晶顯示裝置包括透射式、半透半反式和反射式，其中，反射式顯示裝置中設置有反射層，反射層能夠對外界環(huán)境光的反射，起到背光源的作用，因此不需要再設置背光源，從而降低功耗。外界環(huán)境光的亮度越大，顯示效果越好。但是當在較暗的環(huán)境下，環(huán)境光亮度較暗，導致反射式顯示裝置無法正常顯示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種對盒基板、反射式顯示面板、顯示裝置及其驅動方法，以改善反射式顯示裝置在較暗的環(huán)境下的顯示效果O
[0004]為了解決上述技術問題之一，本發(fā)明提供一種對盒基板，用于反射式顯示面板中，所述反射式顯示面板包括陣列基板，所述對盒基板包括對盒襯底，所述陣列基板的用于朝向所述對盒基板的表面設置有反光層，所述對盒基板還包括用于朝向所述反光層發(fā)光的發(fā)光件，所述發(fā)光件設置在所述對盒襯底的用于朝向所述陣列基板的一側。
[0005]優(yōu)選地，所述對盒基板還包括設置在所述對盒襯底上的黑矩陣，所述發(fā)光件設置在所述黑矩陣的背離所述對盒襯底的一側，且所述發(fā)光件的發(fā)光區(qū)域與所述黑矩陣相對應。
[0006]優(yōu)選地，所述對盒基板還包括第一偏光膜，所述發(fā)光件位于所述對盒襯底與所述第一偏光膜之間，所述第一偏光膜在所述對盒襯底上的正投影至少覆蓋所述發(fā)光件的發(fā)光區(qū)域在所述對盒襯底上的正投影。
[0007]優(yōu)選地，所述第一偏光膜為金屬線柵型偏光膜，所述金屬線柵型偏光膜與所述發(fā)光件絕緣間隔。
[0008]優(yōu)選地，所述發(fā)光件包括沿逐漸遠離所述對盒襯底的方向依次設置的第一電極、發(fā)光功能層和第二電極，所述第一電極在所述對盒襯底上的正投影位于所述黑矩陣在所述對盒襯底上的正投影范圍內(nèi)，所述第二電極為透光的電極，所述發(fā)光功能層的同時與所述第一電極和所述第二電極交疊的區(qū)域形成為所述發(fā)光區(qū)域。
[0009]優(yōu)選地，所述對盒基板還包括設置在所述對盒襯底上的多個色阻塊，多個所述色阻塊排列為多行多列，每相鄰兩個所述色阻塊之間均設置有所述黑矩陣，所述第一電極位于所述黑矩陣的用于朝向所述陣列基板的表面，所述第一電極與相應位置的黑矩陣的厚度之和不大于所述色阻塊的厚度。
[0010]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層在所述對盒襯底上的正投影位于所述黑矩陣在所述對盒襯底上的正投影范圍內(nèi)。
[0011]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層與相應位置的所述黑矩陣以及所述第一電極的厚度之和不大于所述色阻塊的厚度。
[0012]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層位于所述對盒基板的整個顯示區(qū)。
[0013]優(yōu)選地，所述第一偏光膜位于所述對盒基板的整個顯示區(qū)。
[0014]優(yōu)選地，所述第一偏光膜在所述對盒襯底上的正投影位于所述黑矩陣在所述對盒襯底上的正投影范圍內(nèi)，所述對盒襯底的用于背離所述陣列基板的一側還設置有第二偏光膜。
[0015]優(yōu)選地，所述對盒基板還包括公共電極層，所述公共電極層設置在所述第一偏光膜的背離所述對盒襯底的一側，且所述公共電極層與所述第一偏光膜之間設置有絕緣層。
[0016]相應地，本發(fā)明還提供一種反射式顯示面板，包括相對設置的陣列基板和對盒基板，所述陣列基板和所述對盒基板之間設置有液晶層，所述陣列基板的朝向所述液晶層的表面設置有反光層，所述反光層用于將接收到的光線朝向所述液晶層反射，所述對盒基板為本發(fā)明提供的上述對盒基板。
[0017]相應地，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明提供的反射式顯示面板。
[0018]優(yōu)選地，所述顯示裝置還包括控制器，所述控制器與所述發(fā)光件相連，用于控制所述發(fā)光件的開啟和關閉。
[0019]優(yōu)選地，所述顯示裝置還包括用于檢測環(huán)境光亮度的亮度傳感器，所述亮度傳感器與所述控制器電連接，當所述亮度傳感器檢測到的亮度小于預定值時，向所述控制器發(fā)送第一信號，以使所述控制器根據(jù)該第一信號控制所述發(fā)光件開啟；當所述亮度傳感器檢測到的亮度大于或等于所述預定值時，向所述控制器發(fā)送第二信號，以使所述控制器能夠根據(jù)該第二信號控制所述發(fā)光件關閉。
[0020]相應地，本發(fā)明還提供一種上述顯示裝置的驅動方法，包括:
[0021 ]當環(huán)境光亮度小于預定值時，控制所述發(fā)光件開啟；
[0022]當環(huán)境光亮度大于或等于所述預定值時，控制所述發(fā)光件關閉。
[0023]在本發(fā)明中，由于本發(fā)明提供的對盒基板包括發(fā)光件，因此，包括所述對盒基板的反射式顯示面板在外界環(huán)境光亮度較大的情況下，反光層可以將環(huán)境光朝向液晶層反射，此時，環(huán)境光起到背光源的作用；當環(huán)境光亮度較低時，反光層可以將發(fā)光件發(fā)射的光線朝向液晶層反射，此時，發(fā)光件起到背光源的作用，從而改善所述顯示面板在外界環(huán)境光較低的情況下的顯示效果。
[0024]由于反射式顯示面板在環(huán)境光亮度較低的情況下的顯示效果較好，因此，在包括所述反射式顯示面板的顯示裝置在較暗的環(huán)境中，可以達到較好的顯示效果。在所述顯示裝置的驅動方法中，由于在環(huán)境光較量時，控制所述發(fā)光件關閉；在環(huán)境光較暗時，控制所述發(fā)光件開啟，從而降低顯示裝置的功耗。
【附圖說明】
[0025]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0026]圖1是本發(fā)明的實施例中提供的反射式顯示面板的第一種結構示意圖；
[0027]圖2是圖1的顯示面板利用發(fā)光件的光進行顯示時的示意圖；
[0028]圖3是圖1的顯不面板利用環(huán)境光進彳丁顯不時的不意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明的實施例中提供的反射式顯示面板的第二種結構示意圖；
[0030]圖5是本發(fā)明的實施例中提供的反射式顯示面板的第三種結構示意圖；
[0031]其中，附圖標記為:10:陣列基板;20:對盒基板;21:黑矩陣;22:色阻塊;23:對盒襯底;30:液晶層;40:反光層;50:發(fā)光件;51:第一電極;52:第二電極;53:發(fā)光功能層;60:第一偏光膜;70:第二偏光膜;81、82:絕緣層;90:公共電極層。
【具體實施方式】
[0032]以下結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0033]作為本發(fā)明的第一個方面，提供一種對盒基板20，請參考圖1至圖5，對盒基板20用于反射式顯示面板中，所述反射式顯示面板包括陣列基板10，陣列基板10的用于朝向液晶層30的表面設置有反光層40，對盒基板20包括對盒襯底23，對盒基板20還包括用于朝向反光層40發(fā)光的發(fā)光件50，發(fā)光件50設置在對盒襯底23的用于朝向陣列基板10的一側。
[0034]由于本發(fā)明提供的對盒基板20包括發(fā)光件，因此，包括所述對盒基板20的所述反射式顯示面板在外界環(huán)境光亮度較大的情況下，如圖3所示，反光層40可以將環(huán)境光朝向液晶層30反射，此時，環(huán)境光(如圖3中的箭頭所示)起到背光源的作用；當環(huán)境光亮度較低時，如圖2所示，反光層40可以將發(fā)光件50發(fā)射的光線(如圖2中的箭頭所示)朝向液晶層30反射，此時，發(fā)光件50起到背光源的作用，從而增強所述反射式顯示面板在環(huán)境較暗情況下的顯示亮度，改善其顯示效果。
[0035]其中，反光層40的材料可以為反射率較高的金屬材料，例如，銅、鋁、鈦等。
[0036]如圖1至圖5所示，對盒基板20還包括設置在對盒襯底23上的黑矩陣21，為了防止發(fā)光件50的設置影響像素單元的開口率，優(yōu)選地，發(fā)光件50設置在黑矩陣21的背離對盒襯底23的一側，且發(fā)光件50的發(fā)光區(qū)域與黑矩陣21相對應。
[0037]可選地，如圖1至圖5所示，對盒基板20還包括第一偏光膜60，發(fā)光件50位于對盒襯底23與第一偏光膜60之間，第一偏光膜60在對盒襯底23上的正投影至少覆蓋發(fā)光件50的發(fā)光區(qū)域在對盒襯底23上的正投影。
[0038]在反射式顯示面板中，環(huán)境光或發(fā)光件50所發(fā)射的自然光經(jīng)過第一偏光膜60后形成線偏振光，被反射后的光線仍然是線偏振光，不同位置的液晶材料發(fā)生不同程度的偏轉后，從而使得不同位置的線偏振光的偏振方向產(chǎn)生不同的偏轉，進而使得不同位置的線偏振光透過第一偏光膜60射出顯示面板時的透過率不同，以顯示圖像。
[0039]為了便于在對盒襯底23的用于朝向陣列基板10的一側形成第一偏光膜60，優(yōu)選地，第一偏光膜60為金屬線柵型偏光膜，所述金屬線柵型偏光膜與發(fā)光件50絕緣間隔。形成金屬線型偏光膜時，先依次形成金屬材料層和光刻膠層，然后采用納米壓印的方式在光刻膠層上形成所需要的圖形，再對金屬材料層進行刻蝕，最后去除剩余的光刻膠即可。其中，金屬材料層可以為鋁、銀等金屬材料。
[0040]可選地，發(fā)光件50包括沿逐漸遠離對盒襯底23的方向依次設置的第一電極51、發(fā)光功能層53和第二電極52，第一電極51在對盒襯底23上的正投影位于黑矩陣21在對盒襯底23上的正投影范圍內(nèi)，第二電極52為透光的電極，發(fā)光功能層53的同于與第一電極51和第二電極52交疊的區(qū)域形成為所述發(fā)光區(qū)域。其中，發(fā)光功能層53具體可以包括電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層，當?shù)谝浑姌O51和第二電極52上分別加載電信號時，電子和空穴分別朝向所述發(fā)光層迀移，從而形成光子。第一電極51可以金屬電極，如，鋁。如上文所述，第一偏光膜60與發(fā)光件50絕緣間隔，S卩，第一偏光膜60與第二電極52絕緣間隔，如圖1至圖5所示，第一偏光膜60與第二電極52之間設置有絕緣層81。
[0041]可選地，如圖1至圖5所示，對盒基板20還包括設置在對盒襯底23上的多個色阻塊22，多個色阻塊22排列為多行多列，每相鄰兩個色阻塊22之間均設置有所述黑矩陣21。第一電極51位于黑矩陣21的朝向陣列基板10的表面，第一電極51與相應位置的黑矩陣21的厚度之和不大于色阻塊22的厚度，因此，第一電極51并不會對對盒基板20的厚度產(chǎn)生影響，以減小發(fā)光件50的設置對所述對盒基板20厚度的影響。
[0042]本發(fā)明對發(fā)光功能層53所覆蓋的區(qū)