一種陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及顯示技術領域，尤指一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]陣列基板是顯示面板的關鍵部件，目前，陣列集成彩膜技術(Color-filter OnArray，簡稱C0A)是將彩色濾光層直接形成于陣列基板上的技術，這種技術不會產生對位誤差，可以降低顯示面板制備過程中對盒工藝的難度，受到了廣泛應用。
[0003]然而，COA顯示基板上的具有反光特性的結構降低顯示區(qū)域畫面的可讀性，如何提高顯示基板的抗光線干擾性能，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。
【實用新型內容】
[0004]有鑒于此，本實用新型實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可以使外部光線照射到黑矩陣的表面時，對其進行散射，以減小反射光的光強，從而提高陣列基板的各像素單元所在區(qū)域的可見性。
[0005]因此，本實用新型實施例提供了一種陣列基板，包括:襯底基板，設置在所述襯底基板上的黑矩陣，所述陣列基板具有呈陣列排布的多個像素單元，所述黑矩陣的圖案在襯底基板上的正投影至少部分地覆蓋相鄰的所述像素單元之間的間隙處:
[0006]所述黑矩陣的至少一部分的表面具有可將照射到所述黑矩陣表面的光線進行漫反射的第一凹凸結構。
[0007]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，還包括:設置在所述黑矩陣的下方且與所述黑矩陣直接接觸的絕緣層，所述絕緣層的表面具有與所述黑矩陣表面的第一凹凸結構相匹配的第二凹凸結構。
[0008]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，所述黑矩陣的材料為金屬材料。
[0009]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，還包括:設置在襯底基板上的各所述像素單元所在區(qū)域內的狹縫狀的第一電極，所述第一電極與所述黑矩陣的材料相同且同層設置。
[0010]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，還包括:設置在襯底基板上的各所述像素單元所在區(qū)域內的第二電極；
[0011]所述第二電極通過所述絕緣層與所述第一電極相互絕緣。
[0012]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，所述第二電極為面狀電極或狹縫電極。
[0013]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，所述第一電極和所述第二電極在襯底基板上的正投影至少部分重合。
[0014]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；或，
[0015]所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
[0016]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，所述絕緣層為包括至少三種顏色不同的濾光片的彩色濾光層。
[0017]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，所述第一凹凸結構的寬度為3至6微米；和/或，
[0018]所述第一凹凸結構的深度為0.5至1.5微米；和/或，
[0019]所述第一凹凸結構的間隔為3至6微米。
[0020]本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的上述陣列基板。
[0021]本實用新型實施例的有益效果包括:
[0022]本實用新型實施例提供的一種陣列基板及顯示裝置，其中陣列基板包括:設置在襯底基板上的黑矩陣，陣列基板具有呈陣列排布的多個像素單元，黑矩陣的圖案在襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的像素單元之間的間隙處，黑矩陣的表面具有可將照射到黑矩陣表面的光線進行漫反射的第一凹凸結構，由于黑矩陣表面的第一凹凸結構具有漫反射作用，當外部光線照射到黑矩陣的表面時，外部光線被漫反射，從而減小反射光的光強，提高陣列基板的各像素單元所在區(qū)域的可見性，提升畫面的顯示效果。
【附圖說明】
[0023]圖1a至圖1d分別為本實用新型實施例提供的陣列基板的結構示意圖；
[0024]圖2為本實用新型實施例提供的陣列基板中的黑矩陣的制作方法流程圖；
[0025]圖3為本實用新型實施例提供的陣列基板的制作方法流程圖；
[0026]圖4a至圖4f分別為本實用新型實施例提供的陣列基板的制作方法在各步驟執(zhí)行后的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面結合附圖，對本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0028]其中，附圖中各膜層的厚度和形狀不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本【實用新型內容】。
[0029]本實用新型實施例提供了一種陣列基板，如圖1a至圖1d所示，包括:襯底基板100，設置在襯底基板100上的黑矩陣200，陣列基板具有呈陣列排布的多個像素單元，黑矩陣200的圖案在襯底基板100上的正投影至少部分地覆蓋相鄰的像素單元之間的間隙處；例如，黑矩陣200的正投影覆蓋陣列基板的柵線和數據線，還可以覆蓋TFT中至少溝道待形成區(qū)域。
[0030]該黑矩陣200的至少一部分的表面具有可將照射到黑矩陣200表面的光線進行漫反射的第一凹凸結構A。
[0031]由于黑矩陣200表面的第一凹凸結構A具有漫反射作用，當外部光線照射到黑矩陣200的表面時，外部光線被漫反射，從而減小反射光的光強，提高陣列基板的各像素單元所在區(qū)域的可見性，提升畫面的顯示效果。
[0032]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，為了更進一步能夠使黑矩陣表面形成可以發(fā)生漫反射的第一凹凸結構，如圖1a至圖1d所示，該陣列基板還可以包括:設置在黑矩陣200的下方且與黑矩陣200直接接觸的絕緣層300，絕緣層300的表面具有與黑矩陣200表面的第一凹凸結構A相匹配的第二凹凸結構B，此時，絕緣層300表面的第二凹凸結構B與黑矩陣200表面的第一凹凸結構A彼此相貼。在陣列基板的制作工藝上，在襯底基板上先形成具有第二凹凸結構B的絕緣層300的圖形，這樣會有利于下一步構圖工藝形成表面具有第一凹凸結構A的黑矩陣200的圖形，同時保證照射到黑矩陣200表面的外部光線會發(fā)生漫反射。
[0033]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，第一凹凸結構的寬度可以設置為3至6微米，具體寬度依情況而定，在此不作限定。
[0034]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，第一凹凸結構的深度可以設置為0.5至1.5微米，具體深度依情況而定，在此不作限定。
[0035]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，第一凹凸結構的間隔可以設置為3至6微米，具體間隔依情況而定，在此不作限定。
[0036]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，黑矩陣200的材料一般設置為金屬材料，這樣一方面可以阻擋由顯示面板中的背光模塊發(fā)出的光，以防止混色及漏光，一方面可以反射外部光線。
[0037]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，如圖1a至圖1d所示，該陣列基板還可以包括:設置在襯底基板100上的各像素單元所在區(qū)域內的狹縫狀的第一電極400，為了減少陣列基板的制作流程，具體地，該第一電極400與黑矩陣200的材料設置為相同的金屬材料，且為同層設置，這樣在陣列基板的制作流程上，通過對一金屬層進行一次構圖工藝，就可以同時形成黑矩陣200的圖形和第一電極400的圖形，即采用一次構圖工藝就形成兩個圖形，可見，減少了制作流程，降低了制作成本。
[0038]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，如圖1a至圖1d所示，該陣列基板還可以包括:設置在襯底基板100上的各像素單元所在區(qū)域內的第二電極500 ;該第二電極500通過絕緣層300與第一電極400相互絕緣，即三者的膜層關系為在陣列基板中的襯底基板100上依次設置的是第二電極500、絕緣層300以及第一電極400，這樣可以有效進行顯示控制，此時絕緣層300起到分離第二電極500與第一電極400的作用。
[0039]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b所示，第二電極500為面狀電極，或，如圖1c和圖1d所示，第二電極500為狹縫電極。
[0040]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，如圖1a至圖1d所示，第一電極400和第二電極500在襯底基板上的正投影至少部分重合。
[0041]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，根據顯示面板的不同的顯示模式，如圖1a和圖1b所示，當第一電極400設置為公共電極時，第二電極500 —般設置為像素電極；或者是另一種方式，如圖1c和圖1d所示，當第一電極400設置為像素電極時，第二電極500 —般設置為公共電極。在具體實施時，可以根據實際需要，由顯示面板的具體的顯示模式來決定的。
[0042]在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，包括至少三種顏色不同的濾光片的彩色濾光層一般設置在襯底基板和第二電極之間，不同顏色的濾光片分別用來濾光，如圖1a和圖1c所示，襯底基板100和第二電極500之間設置有彩色濾光層600，即彩色濾光層600是單獨設置的。為了減小陣列基板的厚度以及簡化陣列基板的制作工藝，具體地，在本實用新型實施例提供的上述陣列基板中，絕緣層可以設置為包括至少三種顏色不同的濾光片的彩色濾光層，如圖1b和圖1d所示，包括至少三種顏色不同的濾光片的彩色濾光層設置在第一電極400和第二電極500之間，即彩色濾光層直接作為絕緣層300，這樣減小了陣列基板的厚度，同時簡化了陣列基板的制作工藝。
[0043]在具體實施時，本實用新型實施例提供的陣列基板中一般還會具有諸如發(fā)光層、陰極和陽極等其他膜層結構，以及在襯底基板上還一般形成有薄膜晶體管、柵線、數據線、公共電極線等結