柵極等；所述有源區(qū)層包括多個(gè)薄膜晶體管的有源區(qū)；所述源漏電極層包括多個(gè)薄膜晶體管的源極和漏極。
[0043]為了實(shí)現(xiàn)液晶分子的初始取向，所述陣列基板上還可以形成有取向膜60，如圖2和圖3中所示。取向膜60覆蓋在形成有第一電極和第二電極的襯底基板50上。
[0044]作為本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本實(shí)用新型所提供的上述陣列基板。
[0045]由于所述顯示裝置包括本實(shí)用新型所提供的上述陣列基板，因此，在進(jìn)行顯示時(shí)，所述顯示裝置具有較小的存儲(chǔ)電容，并且需要較小的操作電壓。
[0046]容易理解的是，所述顯示裝置還可以包括與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板。所述對(duì)盒基板與所示陣列基板之間填充有液晶材料。所述對(duì)盒基板可以是彩膜基板。
[0047]與圖1中所示的現(xiàn)有技術(shù)相比，在利用包括圖2中所示的陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，存儲(chǔ)電容可降低79.8%，操作電壓可降低0.3V，大大降低了充電所需要的時(shí)間，并且降低了顯示裝置的總體能耗。此外，像素區(qū)最大透過率波動(dòng)范圍由0.0184降低到0.0139，由此可知，像素區(qū)透過率的均一性得到了提高。在利用包括圖4中所示的陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，存儲(chǔ)電容降低了 1.5%，操作電壓降低了 0.3V，也在一定程度上降低了充電所需要的時(shí)間，并且降低了顯示裝置的總體能耗。此外，像素區(qū)最大透過率波動(dòng)范圍由0.0184降低到0.0146，由此可知，像素區(qū)透過率的均一性得到了提高。
[0048]本實(shí)用新型所提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電腦顯示器、電視機(jī)、導(dǎo)航儀、電子相框等電子設(shè)備。
[0049]下面介紹上述陣列基板的制造方法，所述陣列基板的制造方法包括:
[0050]形成包括第二電極的圖形，其中，所述第二電極包括水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21 (參見圖6(b))；
[0051 ] 形成包括第一電極的圖形，所述第一電極與所述第二電極互相絕緣，所述第一電極包括多個(gè)第一電極條40，且第一電極條40的上表面與水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21的上表面平齊(參見圖6(d))，第一電極條40與水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21在襯底基板50上的正投影相交替。
[0052]在本實(shí)用新型中，對(duì)形成包括第二電極的圖形的具體方法并沒有特殊的限制。例如，可以利用傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝形成包括水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21的第二電極，也可以利用掩模蒸鍍等方法形成包括水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21的第二電極。
[0053]同樣地，在本實(shí)用新型中，對(duì)形成包括第一電極的圖形的具體方法也不做特殊限制。例如，可以利用傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝形成包括第一電極條40的第一電極，也可以利用掩模蒸鍍等方法形成包括第一電極條40的第一電極。
[0054]為了實(shí)現(xiàn)第一電極條40的上表面與水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21的上表面互相平齊，優(yōu)選地，所述制造方法還包括在形成包括第二電極的圖形之前進(jìn)行的:形成包括絕緣條10的圖形，該絕緣條10的位置對(duì)應(yīng)于水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21 (參見圖6(a))。容易理解的是，絕緣條10的數(shù)量以及形狀與水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21的數(shù)量和形狀均相同。
[0055]在本實(shí)用新型中，可以利用硅的氧化物(S1x)或硅的氮化物(SiNx)制成所述絕緣條10，也可以用有機(jī)樹脂材料制成所述絕緣條10。
[0056]在本實(shí)用新型中，對(duì)形成絕緣條10的具體工藝并沒有特殊的限制。例如，可以利用傳統(tǒng)的光刻工藝在襯底基板50上形成包括絕緣條10的圖形。
[0057]具體地，形成包括絕緣條的圖形的步驟可以包括:
[0058]在襯底基板的平坦化層上形成一層絕緣材料層；
[0059]在所述絕緣材料層上涂覆一層光刻膠層；
[0060]利用掩膜板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影；
[0061]以曝光顯影后的光刻膠層為掩膜對(duì)所述絕緣材料層進(jìn)行干刻或濕刻，以形成包括絕緣條10的圖形。
[0062]為了實(shí)現(xiàn)所述第一電極和所述第二電極之間互相絕緣，優(yōu)選地，所述制造方法還可以包括在形成所述第二電極之后進(jìn)行的:
[0063]形成絕緣層30，該絕緣層30覆蓋包括所述第二電極的襯底基板50 (如圖6 (c)所示)O
[0064]絕緣層30可以由硅的氧化物(S1x)或硅的氮化物(SiNx)制成。可以利用蒸鍍或者化學(xué)氣相沉積的方法在形成有第二電極的襯底基板50上形成絕緣層30。
[0065]包括第一電極條40的所述第一電極形成在絕緣層30上。
[0066]所述制造方法還包括在形成包括所述第一電極條的圖形之后進(jìn)行的:
[0067]形成取向?qū)印?br>[0068]所述取向?qū)拥淖饔檬鞘沟靡壕Х肿泳哂蓄A(yù)傾角。在本實(shí)用新型中，可以利用樹脂材料形成所述取向?qū)印＞唧w地，形成取向?qū)拥牟襟E包括:
[0069]在形成有所述第一電極的襯底基板上涂敷樹脂層；
[0070]利用摩擦法獲得所述取向?qū)印?br>[0071]作為本實(shí)用新型的第一種【具體實(shí)施方式】，所述第二電極具有圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)。如圖3中所示，所述第二電極還包括連接部22，該連接部22連接相鄰兩個(gè)水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21的端部。
[0072]作為本實(shí)用新型的第二種【具體實(shí)施方式】，如圖4中所示，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個(gè)水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21之間的連接部22，第一電極40位于連接部22上方。在這種實(shí)施方式中，水平電場(chǎng)產(chǎn)生部21和連接部22在襯底基板50上共同形成的正投影為矩形區(qū)域，如圖5所示。
[0073]形成圖3中所示的第二電極和圖5中所示的第二電極時(shí)所用到的掩膜板圖案不同。
[0074]在本實(shí)用新型中，利用透明電極材料(如，ITO)形成所述第一電極和所述第二電極。
[0075]如上文中所述，所述襯底基板上還包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的其他元件。當(dāng)所述薄膜晶體管具有底柵結(jié)構(gòu)時(shí)，所述制造方法包括在形成絕緣條的步驟之前進(jìn)行的:
[0076]在透明基板上形成柵線層；
[0077]在柵線層上形成柵絕緣層；
[0078]在柵絕緣層上形成有源層；
[0079]在有源層上方形成源漏電極層；
[0080]在源漏電極層上形成平坦化層。
[0081]所述柵線層包括柵線、公共電極線、柵極等；所述有源區(qū)層包括多個(gè)薄膜晶體管的有源區(qū)；所述源漏電極層包括多個(gè)薄膜晶體管的源極和漏極。
[0082]所述第一電極可以為像素電極，所述第二電極可以為公共電極。因此，所述第一電極可以通過過孔與所述源漏電極層中的漏極相連，所述第二電極可以通過過孔與位于所述柵線層中的公共電極線相連。
[0083]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括襯底基板和呈矩陣排列多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有第一電極和與所述第一電極互相絕緣的第二電極，所述第一電極包括多個(gè)第一電極條，其特征在于，所述第二電極包括水平電場(chǎng)產(chǎn)生部，所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部的上表面與所述第一電極條的上表面平齊，所述第一電極條和所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部在所述襯底基板上的正投影相交替。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括絕緣條和絕緣層，所述絕緣條設(shè)置在所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部下方，以使得所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部與所述第一電極條平齊，所述絕緣層覆蓋所述第二電極所在的層，所述第一電極形成在所述絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個(gè)所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部之間的連接部，所述第一電極位于所述連接部上方，且所述連接部和所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部在所述襯底基板上共同形成的正投影為矩形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個(gè)所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部的端部之間的連接部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
6.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板和呈矩陣排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有第一電極和與所述第一電極互相絕緣的第二電極，所述第一電極包括多個(gè)第一電極條，其中，所述第二電極包括水平電場(chǎng)產(chǎn)生部，所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部的上表面與所述第一電極條的上表面平齊，所述第一電極條和所述水平電場(chǎng)產(chǎn)生部在襯底基板上的正投影相交替。本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置。利用本實(shí)用新型所提供的陣列基板進(jìn)行顯示可以在不損失像素區(qū)整體透過率的前提下，降低每個(gè)像素單元的存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)電壓，提高了顯示區(qū)透過率的均一性。
【IPC分類】H01L27-12, G02F1-1343
【公開號(hào)】CN204374568
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520024747
【發(fā)明人】劉曉那
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月14日